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[发明专利]一种栅极漏电可调控的GaN功率器件及其制备方法-CN202310944028.X在审
发明人：武乐可;李亦衡;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅极漏电可调控的GaN功率器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。本发明在衬底上依次层叠生长缓冲层、势垒层和P‑GaN层；对所述P‑GaN层进行刻蚀，只保留栅极区域的P‑GaN层，将栅极区域的P‑GaN层刻蚀出若干凹槽，形成平面区域和凹陷区域，得到第一晶片；将所述第一晶片浸渍到四甲基氢氧化铵溶液中，取出后退火，得到第二晶片；在所述第二晶片上分别制作源极电极、栅极电极和漏极电极，得到栅极漏电可调控的GaN功率器件；所述栅极电极与P‑GaN层的平面区域和凹陷区域均接触。本发明通过调整平面区域和凹陷区域的面积比例，可以调节栅极的漏电大小，也可调整栅极的动态恢复性能。
一种栅极漏电调控 gan 功率器件及其制备方法

[发明专利]GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件-CN202310540438.8在审
发明人：李亦衡;朱廷刚;武乐可;王强;黄克强;秦佳明;魏鸿源;夏远洋 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件，制备方法包括：在蓝宝石衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长GaN通道层；在通道层上生长AlGaN阻挡层，且通道层与阻挡层之间的异质结界面处形成2DEG；从阻挡层向下刻蚀至通道层以形成两个凹槽，并分别将源极电极、漏极电极设置在凹槽中；在阻挡层上设置栅极电极；将蓝宝石衬底研磨至厚度小于或等于350μm，及在GaN HEMT器件上远离蓝宝石衬底的一侧形成钝化层；在钝化层的表面设置热扩散层，且热扩散层与2DEG处的有源器件通道区域在器件厚度方向的投影上至少部分重合，兼顾器件在蓝宝石衬底上的正常运行以及热扩散层的导热系数。
gan hemt 器件制备方法

[发明专利]一种高速GaN功率器件及其制备方法-CN202310250330.5有效
发明人：武乐可;范晓成;李亦衡;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高速GaN功率器件及其制备方法，涉及器件制备领域；在衬底上由底至顶依次生长缓冲层和AlGaN层；AlGaN层的顶部生长间隔分布的P‑GaN层和第一介质层；P‑GaN层的顶部生成栅极电极；AlGaN层的顶部的间隔区域还生长第二介质层；覆盖P‑GaN层和栅极电极的第二介质层的顶部以及第一介质层的顶部生成源极场板；第二介质层的一侧边缘处生成源极电极，另一侧边缘处生成漏极电极；源极电极和漏极电极均由顶向底依次贯穿第二介质层和AlGaN层并延伸至所述缓冲层内部与缓冲层内部形成的二维电子气层连接；本发明能够提高功率器件的性能。
一种高速 gan 功率器件及其制备方法

[发明专利]一种改善电磁兼容的功率器件-CN202310884283.X在审
发明人：孟祥翰;章涛;李继华;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开一种改善电磁兼容的功率器件，涉及半导体功率器件领域；该功率器件包括：GaN器件、开关器件和开关驱动模块；开关器件包括硅基场效晶体管；硅基场效晶体管的栅极作为功率器件的栅极；硅基场效晶体管的源极作为功率器件的源极；硅基场效晶体管的漏极与GaN器件的源极连接；GaN器件的漏极作为功率器件的漏极；开关驱动模块的一端与GaN器件的栅极连接；开关驱动模块的另一端与硅基场效晶体管的源极连接；本发明能够降低电压应力，改善电磁兼容。
一种改善电磁兼容功率器件

[实用新型]一种基于大口径PE管焊接防滑脱装置-CN202320583680.9有效
发明人：邹国平;李府勤;杨应兴;朱廷刚;代荣浩 -专利权人：云南建投第二安装工程有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B29C65/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于大口径PE管焊接防滑脱装置，包括L形连接套、第一PE管和第二PE管，所述第一PE管连接于所述L形连接套的一侧，所述第二PE管连接于所述L形连接套的底部，所述第一PE管和第二PE管上均设置有防脱组件，两个所述防脱组件之间通过两个连接组件连接。本实用新型，通过两个防脱组件的设置，可以需要焊接的加工时的PE管进行夹持，而且通过两个连接组件进行连接，确保两个防脱组件的稳定性，间接提高了焊接的稳定性，通过该设计制造可重复使用的防滑脱装置，不仅有效的提升工作效率，缩短施工工期，同时提高了管道组焊质量，提高了管道组焊质量和工作效率，减少工人劳动强度，使施工工序程序化。
一种基于口径 pe 焊接滑脱装置

[发明专利]一种耗尽型GaN HEMT器件反偏老化测试装置-CN202310353957.3在审
发明人：宋亮;朱廷刚;李亦衡 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开一种耗尽型GaNHEMT器件反偏老化测试装置，涉及功率器件测试领域，装置包括：电源模块和测试电阻转换模块的一端均与测试模块连接；测试模块用于放置待测试器件；电源模块用于对所述待测试器件提供电压；测试电阻转换模块的另一端与测试电阻连接；测试电阻转换模块用于根据待测试器件的电压和电流调节测试电阻的阻值；控制模块分别与电源模块和测试电阻转换模块连接；控制模块用于控制电源模块的开关，并设置测试电阻转换模块的参数，以进行反偏老化测试。本发明的电源模块能够仅对功率器件的漏极提供高压，栅极接地，提高了功率器件反偏老化测试的稳定性。
一种耗尽 gan hemt 器件老化测试装置

[发明专利]一种氮化镓器件制备方法及氮化镓HEMT-CN202380007926.0在审
发明人：李亦衡;朱廷刚;武乐可;夏远洋;魏鸿源;王强;秦佳明;黄克强 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，公开了一种氮化镓器件制备方法及氮化镓HEMT，所述氮化镓器件制备方法包括以下步骤：在衬底上通过化学气相沉积方式外延生长多个层，所述层间包括有源器件通道区域；对所述衬底的全局背面进行研磨；在研磨后的衬底背面的局部区域加工孔结构和/或沟槽结构，所述局部区域与所述有源器件通道区域在所述衬底的上下两侧相对；将所述衬底背面通过导电焊膏附接到封装芯片。本发明能够进一步提高氮化镓器件的散热性能，同时能够保证器件的强度，避免发生器件翘曲和破裂等问题。
一种氮化器件制备方法 hemt

[发明专利]一种低损伤氮化镓肖特基二极管及其制备方法-CN202310657781.0在审
发明人：武乐可;李亦衡;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及电学器件技术领域，尤其涉及一种低损伤氮化镓肖特基二极管及其制备方法。本发明提供的制备方法包括在衬底的表面依次沉积第一n+GaN层、AlN层和SiN层后，刻蚀掉部分SiN层和AlN层后，依次沉积第二n+GaN层和n‑GaN层，然后去除剩余的SiN层、AlN层以及SiN层表面的第二n+GaN层和n‑GaN层，裸露出部分第一n+GaN层；在裸露出的第一n+GaN层部分表面制备欧姆电极，在SiN层的部分表面制备肖特基电极后，在裸露出的第一n+GaN层剩余部分表面和所述SiN层的剩余部分表面制备钝化层，得到低损伤氮化镓肖特基二极管。该制备方法降低了所述低损伤氮化镓肖特基二极管的导通电阻。
一种损伤氮化镓肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种高栅压摆幅的增强型GaN功率器件及其制备方法-CN202310368461.3有效
发明人： 朱廷刚;李亦衡;武乐可;夏远洋 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种高栅压摆幅的增强型GaN功率器件及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明在P‑GaN层生长结束后，继续生长一层AlGaN‑2层，在AlGaN‑2层生长过程中进行Mg掺杂，形成P型半导体，并使Al组分为渐变的，以减小AlGaN‑2层与P‑GaN层之间的应力，减弱压电极化效应。P型半导体与金属接触时，金属的功函数相对于半导体的功函数越小，形成的肖特基接触势垒就越高。本发明利用AlGaN‑2层功函数比P‑GaN大的特点，其与栅极上方的金属形成的肖特基接触，势垒更高，从而导致栅极耐压会更强，提升了器件的栅压摆幅。
一种高栅压摆幅增强 gan 功率器件及其制备方法

[发明专利]一种增强型GaN功率器件的制造方法-CN202211495729.1有效
发明人：武乐可;范晓成;李亦衡;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强型GaN功率器件的制造方法，属于晶体管技术领域。本发明不必采用复杂昂贵的高选择比p‑GaN刻蚀技术，只用常规的GaN刻蚀工艺刻蚀掉大部分p‑GaN层，保留少部分p‑GaN层，避免了AlGaN表面的损伤，同时保留的p‑GaN层与AlGaN层接触，会形成耗尽区，二维电子气中的电子，很难越过耗尽区到达AlGaN表面，从而改善了器件的动态特性。
一种增强 gan 功率器件制造方法

[实用新型]一种有利于热设计的桥式封装电路-CN202223537395.8有效
发明人：章涛;李继华;宋亮;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有利于热设计的桥式封装电路，包括级联设置的第一开关管、第二开关管，所述第一开关管的源极与第二开关管的漏极连接；其中，所述第一开关管的漏极被配置为与BUS电压端连接，所述第二开关管的源极被配置为接地；所述桥式封装电路还包括第一散热部件和第二散热部件，其中，所述第一散热部件的散热面与所述第一开关管的漏极相连，所述第二散热部件的散热面与所述第二开关管的源极相连。本实用新型提供的桥式封装电路能够从噪音源头上降低共模传导噪声，有利于热设计。
一种有利于设计封装电路

[发明专利]一种准垂直结构GaN肖特基势垒二极管及其制备方法-CN202310101736.7有效
发明人：武乐可;李亦衡;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种准垂直结构GaN肖特基势垒二极管及其制备方法，属于二极管制备技术领域。本发明在蓝宝石衬底表面依次外延生长N+GaN层和N‑GaN层；在所述N‑GaN层表面低温生长非掺杂GaN层；所述GaN层不做任何掺杂；所述GaN层的厚度小于5nm；所述低温生长的温度为500~700℃；采用强碱性溶液对所述GaN层进行表面腐蚀，形成平整的GaN层；在所述平整的GaN层表面制作肖特基电极，在需要制作欧姆接触的区域，刻蚀N‑GaN层直至暴露出N+GaN层，在暴露出的N+GaN层表面制作欧姆电极，得到准垂直结构GaN肖特基势垒二极管。本发明制备的GaN SBD具有反向耐压高、正向导通电压低的优点。
一种垂直结构 gan 肖特基势垒二极管及其制备方法

[发明专利]一种准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法-CN202310101818.1有效
发明人：武乐可;朱廷刚;李亦衡 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种准垂直结构GaN肖特基二极管的制备方法，涉及肖特基二极管技术领域。本发明采用一次性生长P‑GaN的方式，可以实现产业化。在P‑GaN刻蚀过程，N‑GaN暴露出来的表面会受到刻蚀损伤，导致其与后续的肖特基金属接触的界面质量变差，从而会导致器件的反向漏电增加，反向耐压降低，本发明通过覆盖一层薄的AlN薄膜，由于ALD沉积（原子层沉积）的AlN具有晶体结构，与GaN的晶格常数能较好地匹配，因此可以修复刻蚀后N‑GaN表面的刻蚀损伤。本发明将AlN薄膜的厚度控制在4nm以内，薄的AlN层在器件加正向电压时，电子会通过隧穿的方式从N‑GaN进入到肖特基电极，形成电流，从而不影响开启电压。
一种垂直结构 gan 肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种低反向漏电准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法-CN202310316493.9有效
发明人：武乐可;李亦衡;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种低反向漏电准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明提供的低反向漏电准垂直结构GaN SBD，在刻蚀后余下N‑GaN层的侧壁及刻蚀平台的部分区域（也即N+GaN表面的部分区域）进行离子注入，将注入区域的GaN变成绝缘体，阻止了电子从侧壁向欧姆电极的流动（即表面漏电），从而降低了反向漏电流，提升了器件的反向耐压。
一种反向漏电垂直结构 gan 肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法-CN202310402411.2在审
发明人：宋亮;朱廷刚;李亦衡;武乐可;夏远洋 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明制备的增强型GaN HEMT器件在相同器件面积下，相对于传统p‑GaN栅HEMT器件，输出电流提高50%~200%，栅漏电降低1~4个数量级，阈值电压可以在1~5V范围调整。驱动电压可以工作在10V，最大可以工作在30V，p‑GaN栅HEMT器件工作在6V，最大不能超过7V。本发明的增强型GaN HEMT器件电流密度更大，驱动电压范围较宽，可靠性高。
一种增强 gan hemt 器件及其制备方法

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