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[发明专利]热电转换材料、热电转换元件和热电转换材料的制造方法-CN201880035352.7有效
发明人：足立真宽;木山诚;山本喜之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N10/851 文献下载
摘要：一种板状热电转换材料，其具有第一主表面和在所述第一主表面的相反侧的第二主表面，并且由彼此接触的多个半导体颗粒形成。所述半导体颗粒各自包含由含有非晶质相的半导体构成的粒子和覆盖所述粒子的氧化层。所述第一主表面与所述第二主表面之间的距离超过0.5mm。
热电转换材料元件制造方法

[发明专利]热电转换材料、热电转换元件、热电转换模块和光学传感器-CN201880035315.6有效
发明人：足立真宽;木山诚;山本喜之;丰岛辽 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N10/851 文献下载
摘要：一种热电转换材料，其包含：由半导体构成的母相；和设置在所述母相中的纳米粒子，并且所述纳米粒子具有0.0055以上的晶格常数分布Δd/d。
热电转换材料元件模块光学传感器

[发明专利]热电转换材料、热电转换元件和热电转换模块-CN201780051235.5有效
发明人：足立真宽;木山诚;山本喜之;竹内恒博 -专利权人：住友电气工业株式会社;学校法人丰田学园
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10N10/851 文献下载
摘要：一种热电转换材料，其包含：基材，所述基材是半导体；和添加元素，所述添加元素不同于构成所述基材的元素。由所述添加元素形成的附加能带存在于所述基材的禁带内。相对于与所述基材的所述禁带相邻的价带的状态密度的最大值，所述附加能带的状态密度具有0.1以上的比率。
热电转换材料元件模块

[发明专利]氮化镓衬底-CN201910130397.9有效
发明人： 木山诚;弘田龙;中畑成二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：提供了一种氮化镓衬底。所述氮化镓衬底用C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带端发射强度的平均值，所述第一区域的带端发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带端发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1aIbe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。
氮化衬底

[发明专利]半绝缘性砷化镓晶体基板-CN202110717986.4在审
发明人：河本真弥;木山诚;石川幸雄;桥尾克司 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。
绝缘性砷化镓晶体

[发明专利]氮化镓衬底-CN201580039559.8有效
发明人： 木山诚;弘田龙;中畑成二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种氮化镓衬底，具有直径不小于100mm的表面，在边均具有2mm长度的各正方形区域处在微拉曼散射映射测量中的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不小于0.1cm‑1且不大于2cm‑1，正方形区域位于氮化镓衬底的表面上的包括中心位置和四个周边边缘位置的总共五个位置处，在这五个位置中的所有测量点处的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不大于2cm‑1。
氮化衬底

[发明专利]半绝缘性砷化镓晶体基板-CN201780094136.5在审
发明人：河本真弥;木山诚;石川幸雄;桥尾克司 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。
绝缘性砷化镓晶体

[发明专利]氮化镓衬底-CN201580040883.1有效
发明人： 木山诚;弘田龙;中畑成二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：提供了一种氮化镓衬底，所述氮化镓衬底用不小于100mm直径的C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带边发射强度的平均值，所述第一区域的带边发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带边发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。
氮化衬底

[发明专利]二极管-CN201510063849.8有效
发明人： 木山诚;松浦尚;岛津充 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.24×V_阻断²的关系。导通电阻R从二极管(1)的正向电流‑电压特性来获得。将反向阻断电压V_阻断定义为产生二极管(1)的击穿的反向电压。响应电荷Q通过在从0V至V_阻断的范围中对二极管(1)的反向电容‑电压特性中得到的电容(C)积分来获得。
二极管

[发明专利]III族氮化物复合衬底及其制造方法、层叠的III族氮化物复合衬底、III族氮化物半导体器件及其制造方法-CN201480002997.2有效
发明人： 木山诚;石桥惠二;八乡昭广;松本直树;中西文毅 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：具有75mm或更大直径的III族氮化物复合衬底(1)包括彼此结合的具有0.1mm或更大且1mm或更小的厚度t_s的支撑衬底(11)和具有比厚度t_s薄的、0.01mm或更大且0.25mm或更小的厚度t_f的III族氮化物膜(13)。通过从III族氮化物膜(13)的热膨胀系数α_f中减去支撑衬底(11)的热膨胀系数α_s确定的热膨胀系数之差Δα的绝对值|Δα|是2.2×10^‑6K^‑1或更小。支撑衬底(11)的杨氏模量E_s和厚度t_s、III族氮化物膜(13)的杨氏模量E_f和厚度t_f，以及热膨胀系数之差Δα满足通过以下关系：t_s²/t_f≥6E_f·|Δα|/E_s。因此，提供具有大厚度且高晶体质量的III族氮化物膜的低成本、大直径和低变形的III族氮化物复合衬底和由该III族氮化物复合衬底制成的III族氮化物半导体器件。
iii 氮化物复合衬底及其制造方法层叠半导体器件

[发明专利]二极管-CN201510064902.6在审
发明人： 木山诚;松浦尚;岛津充 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.25×V_阻断²的关系。导通电阻R从二极管(1)的正向电流-电压特性来获得。将反向阻断电压V_阻断定义为产生二极管(1)的击穿的反向电压。响应电荷Q由用双脉冲方法实施测试的结果来获得。
二极管

[发明专利]半导体装置和其生产方法-CN201180071482.4无效
发明人：斋藤雄;冈田政也;上野昌紀;木山诚 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供一种可稳定地获得低导通电阻同时实现高纵向击穿电压的半导体装置，和一种用于生产所述半导体装置的方法。所述半导体装置是以基于GaN的堆叠层形式形成的，包括n型漂移层(4)、p型层(6)和n型顶层(8)。所述半导体装置包括再生长层(27)，其被形成以便覆盖所述基于GaN的堆叠层的暴露于开口(28)的一部分，所述再生长层(27)包括通道。所述通道是在电子漂移层与电子供应层之间的界面处形成的二维电子气。当假定所述电子漂移层(22)具有厚度d时，所述p型层(6)具有在d到10d范围内的厚度，并且形成浓度从所述p型层中的p型杂质浓度降低的分级p型杂质层(7)，以便从所述p型层与所述n型顶层之间的界面延伸到所述n型顶层内部。
半导体装置生产方法

[发明专利]氮化物电子器件、氮化物电子器件的制作方法-CN201180071382.1无效
发明人：斋藤雄;冈田政也;善积祐介;木山诚;上野昌纪;片山浩二;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：提供一种具有能够避免沟道层的载流子浓度增大而降低泄漏的结构的、氮化物电子器件。半导体叠层（15）的斜面（15a）及主面（15c）分别相对于第一基准面及第二基准面（R1、R2）延伸。由于半导体叠层（15）的主面（15c）相对于表示六方晶类III族氮化物的c轴方向的基准轴（Cx）以5度以上40度以下的范围内的角度倾斜，且第一基准面（R1）的法线与基准轴（Cx）所构成的角度小于第二基准面（R2）的法线与基准轴（Cx）所构成的角度，所以能够使沟道层（19）的氧浓度小于1×1017cm-3。因此，在沟道层（19）中，能够避免因氧添加而载流子浓度增加的情况，能够降低经由沟道层的晶体管的泄漏电流。
氮化物电子器件制作方法

[发明专利]制造氮化物电子设备的方法-CN201180069623.9无效
发明人：斋藤雄;冈田政也;木山诚 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-04-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：提供一种可降低栅泄漏电流的制造氮化物电子设备的方法。在时刻t0将基板产物配置到生长炉后，将基板温度上升到摄氏950度。在基板温度充分稳定的时刻t3，将三甲基镓及氨提供到生长炉，生长i-GaN膜。在时刻t5，基板温度达到摄氏1080度。在基板温度充分稳定的时刻t6，将三甲基镓、三甲基铝及氨提供到生长炉，生长i-AlGaN膜。在时刻t7，停止三甲基镓及三甲基铝的供给并停止成膜后，迅速停止对生长炉提供氨及氢，并且开始氮的供给，在生长炉的炉膛中，将氨及氢的气氛变更为氮的气氛。形成了氮的气氛后，在时刻t8开始基板温度的降低。
制造氮化物电子设备方法

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201310306272.X无效
发明人：堀井拓;宫崎富仁;木山诚 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明涉及肖特基势垒二极管。所述肖特基势垒二极管包括：GaN层（3）和肖特基电极（4），所述肖特基电极（4）形成在所述GaN层（3）上，其中，使与所述肖特基电极（4）相接触的所述GaN层（3）的区域（3c）的位错密度为1×108cm-2或更小以减小反向泄漏电流，通过使所述肖特基电极（4）中与所述GaN层（3）相接触的部分由Ni或Ni合金构成来增加势垒高度。由于在肖特基势垒二极管反向偏置时，由位错导致的反向泄漏电流小，所以由于肖特基电极的势垒高度增加而可以增强肖特基势垒二极管的耐受电压。
肖特基势垒二极管

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