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[发明专利]一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离及其制备方法-CN201911126991.7有效
发明人： 曾绍海;李铭;刘谆骅 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开的一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离，包括衬底和位于衬底中的深沟槽，其中，所述深沟槽位于所述衬底背面，所述深沟槽中依次形成有填充层Ⅰ和填充层Ⅱ，且所述填充层Ⅰ的消光系数大于填充层Ⅱ；所述衬底中的信号通过所述深沟槽周围的掺杂衬底进行引出。本发明提供的一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离及其制备方法，在深沟槽中依次沉积消光系数较大的填充层Ⅰ，和消光系数较小的填充层Ⅱ，在激光退火过程中，既能避免深沟槽隔离下面的器件或金属受到激光光强的影响，又能避免由于吸光造成的在深沟槽隔离两侧的N型掺杂和P型掺杂衬底中激光光强分布不均匀问题。
一种用于衬底背面引出深沟隔离及其制备方法

[发明专利]一种具有浅沟槽隔离的SOI结构及制备方法-CN201911126992.1有效
发明人：陈张发;曾绍海 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开的一种具有浅沟槽隔离的SOI结构，包括衬底和位于衬底中的浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离包括位于衬底中的沟槽和填充在沟槽中的绝缘层；其中，所述沟槽包括M个沟槽子单元，每个沟槽子单元对应一个器件区域，所述沟槽子单元为V型槽，所述器件区域位于V型槽顶部，所述沟槽子单元将器件区域与所述衬底隔离。本发明提供的一种具有浅沟槽隔离的SOI结构及制备方法，在体硅中实现局部全隔离，从而避免现有技术中SOI制备过程中对顶层器件层的影响。
一种具有沟槽隔离 soi 结构制备方法

[实用新型]一种具有隔热功能的射嘴及隔热帽-CN202223351755.5有效
发明人：张智力;许仁皇;曾家伟;钟泳钊;赵勇;曾绍海 -专利权人：佛山市利和精密机械有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B29C45/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及注塑设备技术领域，具体公开了一种具有隔热功能的射嘴及隔热帽，包括嵌帽管、射嘴管和隔热槽环，嵌帽管与射嘴管固定连接，并位于射嘴管的一端，且嵌帽管与射嘴管连通，隔热槽环与射嘴管固定连接，并套设于射嘴管的外表壁，隔热槽环、射嘴管和嵌帽管之间形成隔热槽，且隔热槽呈环形。以上结构的设置，减小隔热帽与具有隔热功能的射嘴之间的接触面积，从而减少热量的传递，热量传递减少，可以使得具有隔热功能的射嘴的能耗损失减少，因而注塑时降低功率，能节约25％的能耗，同时具有隔热功能的射嘴之间形成的隔热槽可以便于隔热帽的设计更加节省材料，可以节约75％的材料，并且达到便于拆卸的目的。
一种具有隔热功能

[发明专利]一种检测离子注入腔中中子含量的装置和方法-CN201811582671.8有效
发明人： 曾绍海;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01T3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测离子注入腔中中子含量的装置，包括离子注入腔、离子源、数据收集模块和处理模块，所述离子注入腔中放置表面涂有光刻胶的衬底，所述离子源对所述衬底中的光刻胶进行离子注入，离子注入过程中产生的中子与光刻胶中C、H、O元素的原子核相互作用，产生γ射线，所述数据收集模块用于测量所述离子注入腔中γ射线的强度，并将该强度传输至所述处理模块，所述处理模块根据γ射线的强度计算出离子注入过程中产生的中子含量。本发明提供的一种检测离子注入腔中中子含量的装置和方法，通过测量Υ射线的强度，进而可以测量出高能离子注入过程中产生的中子含量。
一种检测离子注入中子含量装置方法

[发明专利]一种FinFET侧墙的制作方法-CN201811560774.4有效
发明人： 曾绍海;李铭;左青云 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种FinFET侧墙的制作方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极；步骤S02：在所述半导体衬底上淀积介质层，将所述鳍部和栅极完全覆盖；步骤S03：在所述栅极两侧的所述介质层中形成深槽；步骤S04：在所述深槽中淀积侧墙材料；步骤S05：去除所述深槽之外多余的侧墙材料；步骤S06：去除介质层材料，在所述栅极两侧形成侧墙。本发明的工艺可与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容，具有简单，方便，周期短的特点，明显降低了工艺成本。
一种 finfet 制作方法

[发明专利]一种高能离子注入机束流的调节装置和调节方法-CN201911334322.9有效
发明人：陈张发;曾绍海 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01J37/24 文献下载
摘要：本发明提供一种高能离子注入机束流的调节装置和方法，该装置包括离子源单元、吸极、磁分析器、第一和第二法拉第单元、反馈调节单元、加速单元、聚焦单元、扫描单元、偏转单元、透镜组以及靶室；离子被离子源单元旁边的吸极吸出，第一法拉第单元用于测定离子束流大小参数，第二法拉第单元设置于加速单元之前，测定离子束流的形状和位置参数；反馈调节单元接收并根据第一法拉第单元测定的离子束流大小，以及第二法拉第单元测定的离子束流的形状和位置，通过调整离子源单元的内部参数、吸极的位置参数和/或磁分析器参数，控制进入加速单元前的离子束流的大小、形状和位置参数达到加速单元最佳菜单中的离子束流的大小、形状和位置参数的要求。
一种高能离子注入机束流调节装置方法

[发明专利]一种电镀用基体及其制备方法和电镀方法-CN202010676419.4在审
发明人： 曾绍海;翟浩苇;李阳兴 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种电镀用基体及其制备方法和电镀方法，属于半导体工艺领域。该电镀用基体包括：待镀基体和有机保护膜；待镀基体的表面具有种子层；有机保护膜位于种子层表面；有机保护膜包括：含氮配体，含氮配体中的N原子与种子层中的金属原子络合，并且，络合能够通过电离解除。有机保护膜与种子层之间的络合依靠配位键进行结合，获得稳定的结合力。当电镀用基体以倾斜方式浸入电镀液中时，有机保护膜基于该结合力不会被电镀液所破坏，同时对种子层进行了有效防护。由于该络合能够通过电离解除，通过对电镀用基体施加电流进行电离，即可使有机保护膜从种子层上剥离，使种子层暴露，以使电镀用基体进行正常电镀作业。
一种电镀基体及其制备方法

[发明专利]一种减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法-CN201811374804.2有效
发明人： 曾绍海;左青云;李铭;黄仁东 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极；步骤S02：淀积侧墙材料，将所述鳍部和栅极覆盖；步骤S03：对所述侧墙材料执行以沉积保护层为目的的第一干法刻蚀，至少在所述鳍部的顶面上形成保护层；步骤S04：继续对所述侧墙材料执行以刻蚀去除为目的的第二干法刻蚀，对所述鳍部侧壁上的侧墙材料进行去除；步骤S05：循环重复步骤S03和步骤S04，直至将所述鳍部侧壁上的侧墙材料去除干净。本发明可与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容，具有简单，方便，周期短的特点，降低了工艺成本。
一种减小 finfet 刻蚀中鳍部损失方法

[发明专利]一种全包围栅极鳍式场效应晶体管的制作方法-CN201810809677.8有效
发明人： 曾绍海;左青云;黄仁东;王全;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种全包围栅极鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：在半导体衬底上依次淀积金属栅薄膜和高K金属薄膜；在金属栅薄膜和高K金属薄膜上淀积二氧化硅薄膜并图形化，形成鳍的图形；以氢气为还原剂，将二氧化硅还原成硅；第一次图形化高K金属薄膜和金属栅薄膜，形成位于鳍下方的高K金属图形和金属栅图形；再次淀积高K金属薄膜和金属栅薄膜，第二次图形化高K金属薄膜和金属栅薄膜，形成从四周包围鳍的高K金属图形和金属栅图形。本发明增加了沟道宽度，使沟道的有效面积得到提升，可在保证所需器件特性的同时，解决现有技术工艺复杂，成本高等问题，具有成本低，易于实施等优点。
一种包围栅极场效应晶体管制作方法

[发明专利]一种改善低温离子注入中结露现象的装置和方法-CN201810507749.3有效
发明人： 曾绍海;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善低温离子注入中结露现象的装置，包括：设于离子注入机中的传片机械手，所述传片机械手上设有加热模块，用于在通过所述传片机械手将半导体衬底从离子注入机的工艺腔向外界环境传送过程中，对所述半导体衬底进行加热。本发明可实现直接在传片机械手上对半导体衬底进行加热，避免出现结露现象，减少发生粘片及碎片的概率，提高注入工艺的质量。本发明还公开了一种改善低温离子注入中结露现象的方法，可以省掉以往需把半导体衬底传送到制热腔加热的过程，节约了时间，提高了生产效率，从而降低了工艺成本。
一种改善低温离子注入中结露现象装置方法

[发明专利]一种基于体硅全包围栅极SOI FinFET的制作方法-CN201810852420.0有效
发明人： 曾绍海;黄仁东;左青云;李铭;夏亮 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于体硅全包围栅极SOI FinFET的制作方法，包括：在硅衬底上依次淀积第一介质层薄膜，第一金属栅薄膜和第一高K金属薄膜；图形化第一高K金属薄膜，形成第一高K金属图形；淀积第二介质层薄膜并平坦化；在上述结构表面键合一单晶硅片并减薄；图形化单晶硅片，形成鳍的图形，去除第二介质层薄膜；淀积第二高K金属薄膜并图形化，形成从四周包围鳍的第二高K金属图形；淀积第二金属栅薄膜并图形化，形成从四周包围鳍和第二高K金属图形的第二金属栅图形。本发明以体硅为衬底形成全包围的栅极结构，并通过键合一单晶硅片形成鳍结构，在保证所需器件特性的同时，解决了现有技术工艺复杂，成本高问题，成本低，易于实施。
一种基于体硅全包围栅极 soi finfet 制作方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管结构的形成方法-CN201810527816.8有效
发明人： 曾绍海;李铭;陈张发 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式场效应晶体管结构的形成方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次淀积介质层和硬掩模层；步骤S02：在硬掩模层上淀积二氧化硅层；步骤S03：图形化二氧化硅层，形成第一鳍部；步骤S04：以氢气为还原剂，将第一鳍部的二氧化硅材料还原为单质硅，以形成第二鳍部；步骤S05：去除第二鳍部下方以外区域的硬掩模层和介质层材料；步骤S06：在第二鳍部的顶部和侧壁形成横跨第二鳍部的栅极结构。本发明避免了直接对硅材料进行刻蚀，降低了刻蚀工艺难度，可以精确控制鳍部的宽度和高度，并可与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容，具有简单，方便，周期短的特点，降低了工艺成本。
场效应晶体管结构形成方法

[发明专利]一种形成浅沟槽隔离的方法-CN201811312576.6有效
发明人： 曾绍海;左青云;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成浅沟槽隔离的方法，包括如下步骤：S01：在衬底上形成垂直于衬底的鳍结构；S02：以四氯化硅和氧气为刻蚀气体，对相邻鳍结构之间的衬底进行刻蚀，得到从衬底上方到下方逐渐变窄的浅沟槽隔离以及覆盖在所述鳍结构侧壁和上表面的氧化硅层；S03：去除上述的氧化硅层，形成位于鳍结构之间的浅沟槽隔离。本发明提供的一种形成浅沟槽隔离的方法，采用不同的刻蚀方式形成鳍结构和浅沟槽隔离，从而同时满足鳍结构以及浅沟槽隔离与衬底表面的不同夹角需求。
一种形成沟槽隔离方法

[发明专利]一种测量半导体鳍部粗糙度的方法-CN201810234848.9有效
发明人： 曾绍海;左青云;李铭;黄仁东 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量半导体鳍部粗糙度的方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一表面形成有半导体鳍部的衬底；步骤S02：将一金属电极放置在半导体鳍部的一侧；步骤S03：将半导体鳍部接地，并对金属电极施加一定电压；步骤S04：记录金属电极处于半导体鳍部侧壁不同位置时产生的电场力，以根据电场力的大小来测量半导体鳍部侧壁不同位置的粗糙度。本发明方法简单，成本低，可解决其他测量仪器无法有效测量半导体鳍部侧壁粗糙度的问题。
一种测量半导体粗糙方法

[发明专利]一种制备高导电性铜互连线的方法-CN201911293091.1在审
发明人：陈张发;曾绍海 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高导电性铜/石墨烯复合互连线的方法，包括如下步骤：S01：在介质层中刻蚀通孔；S02：在所述通孔中依次沉积铜阻挡层和铜籽晶层；S03：在所述铜籽晶层上生长铜，形成位于所述通孔中的铜互连层；S04：将石墨烯前驱体注入所述铜互连层中，从而在通孔中形成铜/石墨烯复合互连线。本发明提供的一种制备高导电性铜/石墨烯复合互连线的方法，该方法基于成熟的铜互连工艺，形成铜/石墨烯复合互连线，可以有效解决随着技术节点向下延伸，互连线中铜电阻变大，无法达到芯片对其导电性要求的问题；并且石墨烯在铜晶界表面生成，可以有效保护金属铜，避免铜被氧腐蚀，延长复合互连线使用寿命，减少不必要的电阻。
一种制备导电性互连方法

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