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[发明专利]一种有机材料升华提纯装置-CN200610000696.3无效
发明人：曹国华;秦大山;李建平;曹峻松;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-01-13 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： B01D7/00 文献下载
摘要：本发明一种用于对有机材料进行提纯的升华提纯装置，提纯装置包括：一支撑架，该支撑架包括一台面，台面上纵向有一滑道；一真空部分，该真空部分位于支撑架台面的一侧；一加热炉，该加热炉位于支撑架台面上方的滑道上；一提纯部分，该提纯部分的一端与真空部分连接，且该提纯部分穿过加热炉；一钢瓶，该钢瓶位于支撑架的一端，且通过管路与提纯部分连接。该装置可除去有机材料中的杂质和包裹的溶剂，获得高纯度的有机材料，为研究和制备性能优良的有机半导体器件奠定基础。
一种有机材料升华提纯装置

[实用新型]梳棉机便卸式回转盖板-CN200620102048.4无效
发明人：陈少清;戴步忠;曾一平;朱丽华 -专利权人：浙江锦峰纺织机械有限公司
申请日： 2006-03-25 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： D01G15/24 文献下载
摘要：一种梳棉机便卸式回转盖板，包括盖板骨架，在盖板骨架两端堵头部位的端面上设有连接孔，连接孔内固定设有弹性卡件，相配套的销轴横穿传动链条的链条孔，其端部置于弹性卡件中弹性卡合，构成便卸式结构。本实用新型利用销轴穿过链条孔后插入弹性卡件内弹性卡合，拆装回转盖板非常方便，徒手即可拔出销轴进行拆卸，更换迅速，减少停机时间，使梳棉机工作效率更高。而且，弹性卡合的可靠性强，链条传动回转盖板时也不会松开连接。
梳棉机便卸式回转盖板

[发明专利]在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法-CN200510086899.4无效
发明人：刘喆;李晋闽;王军喜;王晓亮;王启元;刘宏新;王俊;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明一种在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选择一大失配衬底；(2)在大失配衬底上生长氧化物缓冲层，氧化物缓冲层可以缓解衬底与氮化镓薄膜之间的晶格失配，阻隔金属镓与衬底反应；(3)在氧化物缓冲层上生长外延层。
衬底生长裂纹氮化薄膜方法

[发明专利]铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法-CN200510086372.1无效
发明人：吴巨;王宝强;朱战平;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-09-08 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法，是在镓砷基体上分子束外延沉积两层铟砷，通过调控变化第二层铟砷的沉积温度，控制量子点的发光波长；其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层厚的外延层；步骤3：在外延层上沉积第一铟砷层，通过控制第一铟砷层的生长温度确定量子点面密度。步骤4：在第一铟砷层上沉积镓砷间隔层；步骤5：在镓砷间隔层上沉积第二铟砷层，第二铟砷层的生长温度决定了量子的发光波长；步骤6：在第二铟砷层上覆盖镓砷盖层，完成器件的制作。
铟砷量子分子外延生长方法

[发明专利]一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法-CN200510012104.5无效
发明人：冉军学;王晓亮;李建平;胡国新;王军喜;王翠梅;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-07-07 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及III－氮化物半导体材料技术领域，特别是一种可以减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法。采用提前关闭Cp₂Mg源并低温生长覆盖层的方法，有效减小Mg在pn结结面的记忆效应，其主要特征是在生长Mg掺杂p型GaN层时，提前适当时间关闭Cp₂Mg源，其它生长参数不变，这样可以将Mg记忆效应造成的表面富Mg层控制在p型层中；然后再在低温下生长一薄层GaN，可以抑制Mg原子从富Mg层中逸出而进入n型层中，从而增加pn结的p型掺杂结面陡峭性，提高pn结性能。
一种减小 mg 记忆效应 gan pn 生长方法

[实用新型]高效节能电子镇流器-CN200520142424.8无效
发明人：黄盛贤 -专利权人：黄盛贤;曾一平
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H05B41/295 文献下载
摘要：本实用新型是高效节能电子镇流器，包括镇流器扼流圈L、由两个电容C1、C2、两个电感L1、L3组成的滤波器，四个二极管D1～D4组成的桥式整流滤波，以及由两个串联的三极管Q1、Q2、高频变压器及电阻电容组成的正反馈电路，高频变压器线圈N1、N2、N3缠绕在磁环上，匝数比为3∶3∶5，其特征在于：还设有由四个二极管D5～D9和三个电容C3～C5组成的高频泵式无源滤波电路；另外在镇流器扼流圈L上加绕线圈L4，并在线圈L4两端接有由电阻R7、电容C14、二极管D17和继电器J组成的空载、过流、过压保护电路及由二极管D13～D16、电容C10、电阻R8、R9、R10、发光二极管D18组成的报警指示电路。使用时，日光灯管直接与镇流器扼流圈L串接，并在日光灯管两端跨接一电容C12。
高效节能电子镇流器

[发明专利]制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置-CN200510076325.9有效
发明人：刘喆;王军喜;钟兴儒;李晋闽;曾一平;段瑞飞;马平;魏同波;林郭强 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-06-14 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，该上盖板固定在竖直式石英外延生长室的上面，该上盖板的中间有一圆孔；一衬底旋转与提升装置，该衬底旋转与提升装置的前端有一杆部，该杆部的头端为衬底座，该杆部与上盖板的中间圆孔滑动配合；一金属反应源放置器，该金属反应源放置器放置在竖直式石英外延生长室中；一底盘，该底盘固定则竖直式石英外延生长室的下端，该底盘上开有多个进气孔；一氨气喷淋器，该氨气喷淋器上开有多个喷口，该氨气喷淋器用管路与底盘上的氨气进气孔连接。
制造氮化物材料氢化物外延装置

[发明专利]利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法-CN200510062744.7无效
发明人：沈文娟;曾一平;王启元;王俊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-03-28 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明一种利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法，其特征包括如下步骤：步骤1：选取一衬底；步骤2：在衬底(001)晶面上采用金属有机物化学气相沉积的方法高温生长氧化铝薄膜；步骤3：在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。
利用缓冲衬底生长氧化锌薄膜方法

[发明专利]利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法-CN200510062743.2无效
发明人：沈文娟;曾一平;王俊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-03-28 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明一种利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)取一衬底；(2)在该衬底上的硅(001)晶面上采用磁控溅射的方法低温生长氧化锌缓冲层；(3)在氧化锌缓冲层上，采用MOCVD方法低温生长氧化锌外延薄膜。
利用氧化锌缓冲生长薄膜方法

[发明专利]半导体材料残余应力的测试装置及方法-CN200510055896.4无效
发明人：陈涌海;赵玲慧;曾一平;李成基 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-03-17 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：一种半导体材料内部残余应力的测试装置，包括：一信号采集系统，该信号采集系统用于对采集的信号进行处理，得到样品的应力分布情况；一光学检偏棱镜，该光学检偏棱镜与信号采集系统连接；一光学起偏棱镜，该光学起偏棱镜置于光学检偏棱镜之前；一光弹性调制器，该光弹性调制器置于光学检偏棱镜和光学起偏棱镜之间；一激光光源，该激光光源提供光学系统的信号源。
半导体材料残余应力测试装置方法

[实用新型]一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托-CN200520023083.2无效
发明人：王晓亮;冉军学;李建平;胡国新;王军喜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-07-07 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体材料技术领域，一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托。由石英支架(10)、衬托(11)、蓝宝石片(12)、样品(13)、热电偶(14)组成，衬托(11)位于石英支架(10)之上，蓝宝石片(12)位于衬托(11)之上，热电偶(14)位于衬托(11)之下，样品(13)位于蓝宝石片(12)之上。在氮化物材料退火处理时采用这种加热衬托，氮化物在快速退火设备中退火时，在石英架上放上此种衬托作为加热衬托，将蓝宝石片放在此种衬托上，氮化物外延层面朝下扣于蓝宝石片上进行退火，利用这种加热衬托进行氮化物材料退火，可以减少退火过程中衬托对外延片的不良影响，提高退火均匀性，提高晶体质量。
一种用于氮化物半导体材料退火新型加热衬托

[实用新型]全固定盖板梳棉机-CN200520014488.X无效
发明人：陈少清;曾一平;戴步忠;朱丽华 -专利权人：浙江锦峰纺织机械有限公司
申请日： 2005-08-25 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： D01G15/04 文献下载
摘要：一种全固定盖板梳棉机，包括机架及设于其上配合的刺辊、锡林和道夫，在锡林上方相应位置固定有中曲轨，在中曲轨上连接排列有多个固定盖板，并设有数个吸风式棉网清洁器，各棉网清洁器和外设的风管连接。本实用新型全部使用固定盖板，无须回转盖板、传动机构、盖板花清除机构及磨刷装置等，机构大幅简化，运转耗能降低，营运成本减少。固定盖板使用中踵趾面无磨损，维护方便。梳理时，固定盖板的根数、齿密度、棉网清洁器的数量和位置均可根据梳理的要求灵活调整，符合梳理的机理，梳理柔和细致，纤维损伤少，梳理质量高，并且盖板花落棉少、分梳转移率提高，生条的制成率和产量高。
固定盖板梳棉机

[发明专利]改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构-CN200410101891.6有效
发明人：王晓亮;王翠梅;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：一种改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制作在高阻氮化镓缓冲层上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在非故意掺杂铝镓氮插入层上；一非故意掺杂铝镓氮空间隔离层，该非故意掺杂铝镓氮空间隔离层制作在高迁移率氮化镓沟道层上；一n型掺杂铝镓氮载流子供给层，该n型掺杂铝镓氮载流子供给层制作在非故意掺杂铝镓氮空间隔离层上；一非故意掺杂铝镓氮盖帽层，该非故意掺杂铝镓氮盖帽层制作在n型掺杂铝镓氮载流子供给层上。
改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能结构

[发明专利]双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法-CN200410009990.1无效
发明人：王晓亮;王翠梅;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底为蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制作在高阻氮化镓缓冲层上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在非故意掺杂铝镓氮插入层上；一薄层氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在高迁移率氮化镓沟道层上；一n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层，该n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层制作在薄层氮化铝插入层上。
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管制作方法

[发明专利]提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法-CN200410009922.5有效
发明人：王翠梅;王晓亮;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-02 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻半绝缘氮化镓缓冲层，该高阻半绝缘氮化镓缓冲层制作在衬底上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在高阻半绝缘氮化镓缓冲层上；一薄层氮化铝插入层，该薄层氮化铝插入层制作在高迁移率氮化镓沟道层上，该薄层氮化铝插入层可以提高氮化镓基高电子迁移率晶体管材料的综合性能；一n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层，该n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层制作在薄层氮化铝插入层上。
提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能结构制作方法