“旷明胜”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法-CN202111021595.5有效
发明人：范凯平;旷明胜;唐恝;何俊聪;徐亮;易翰翔 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片的制备方法，其包括：在衬底上形成N‑GaN层、MQW层和P‑GaN层；刻蚀形成贯穿至衬底的第一孔道；以第二光刻胶为掩膜，同时形成电离扩展层和贯穿至N‑GaN层的第二孔道；形成钝化层；以第三光刻胶为掩膜，同时形成侧壁保护结构、反射镜层和金属保护层；形成第一绝缘层；刻蚀形成第三孔道和第四孔道；形成第一电极、第二电极；形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第一焊盘层和第二焊盘层，研磨减薄后沿第一孔道劈裂，即得到倒装LED芯片成品。实施本发明，可大幅缩短制程工艺时间，提升工艺效率。
一种倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种修复外延层缺陷的方法-CN202211244493.4在审
发明人： 旷明胜;郑洪仿;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种修复外延层缺陷的方法，涉及半导体外延技术领域，包括以下步骤：在带缺陷的外延层上沉积第一金属薄层；退火处理，使第一金属薄层中的金属颗粒在外延层的缺陷处形成金属团聚物，并使第一金属薄层保持对外延层的非缺陷区域的覆盖形成缓冲层；等离子体轰击，使金属团聚物的金属颗粒与缺陷处紧密嵌合成一体，并且通过缓冲层将轰击能量间接传递到外延层的表面，使外延层的表面粗糙化；金属团聚物和缓冲层被等离子体轰击后在外延层的表面成型有第二金属薄层；采用化学药液去除外延层表面的所述第二金属薄层。本发明的方法通过修复外延层表面的缺陷，能有效地改善LED芯片的欧姆接触，提高芯片的出光效率，增强芯片的亮度性能。
一种修复外延缺陷方法

[发明专利]一种低翘曲度键合片的键合方法-CN202211314579.X在审
发明人：郑洪仿;旷明胜;陈慧秋 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种低翘曲度键合片的键合方法，涉及半导体制造领域，包括以下步骤：在外延层、硅衬底的预键合面形成第一、第二键合材料，对准后置入具有弧面的石墨盘中进行键合；使其升温至第一温度并对其施加第一压力，保持第一时间以使键合材料熔化融合；使温度从第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度，同时将压力从第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力，且每阶段按照预设时间值保持一段时间。本发明的方法通过使用具有弧面的石墨盘进行键合，而且控制温度与压力阶段性同时降低且每阶段保持一定时间，能减小键合结构中的应力，降低键合结构的翘曲度，获得具有低翘曲度的键合片。
一种曲度键合片方法

[发明专利]一种高稳定性倒装LED芯片及其制备方法-CN202210467157.X在审
发明人：唐恝;旷明胜;范凯平;何俊聪;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性倒装LED芯片的制备方法，其包括：在衬底上形成N‑GaN层、MQW层和P‑GaN层；刻蚀形成贯穿至N‑GaN层的第一孔道，继续刻蚀形成贯穿至衬底的第二孔道；依次形成电流扩展层、钝化保护层、金属反射层、金属导电层、第一绝缘层、N电极层、第二绝缘层和焊盘层，研磨减薄后劈裂，即得高稳定性倒装LED芯片。实施本发明，可提升芯片良率和稳定性。
一种稳定性倒装 led 芯片及其制备方法

[实用新型]一种低空洞率的倒装LED芯片-CN202120078301.1有效
发明人：范凯平;旷明胜;徐亮;仇美懿;何俊聪 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低空洞率的倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的电极，还包括设于电极上的焊接层、以及设于焊接层上的点测接触层；所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/Au叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/AuSn叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层AuSn层。本实用新型的倒装LED芯片，空洞率低，良率高。
一种空洞倒装 led 芯片

[实用新型]一种多电极焊点的倒装LED芯片-CN202120290021.7有效
发明人： 旷明胜;范凯平;何俊聪;唐恝 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多电极焊点的倒装LED芯片，包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的第二保护层、以及多个电极，所述电极贯穿所述第二保护层与所述发光结构形成导电连接，所述电极由金属焊料制成，所述金属焊料为SnAgCu焊料，所述金属焊料可通过钢网印刷的方法形成电极，且所述电极无需助焊剂可直接焊接在基板上。本实用新型的倒装LED芯片，成本低，与基板的焊接效果好。
一种电极倒装 led 芯片

[实用新型]一种易于焊接的倒装LED芯片-CN202120142912.8有效
发明人：范凯平;旷明胜;徐亮;仇美懿;何俊聪 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种易于焊接的倒装LED芯片，包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上第一电极、设于发光结构和第一电极上的钝化层、以及设于钝化层上第二电极，所述钝化层设有至少一个电极孔洞，所述电极孔洞内填充有导电物质，所述导电物质与钝化层的表面齐平，所述导电物质将第一电极和第二电极形成导电连接，所述导电物质的硬度≥80HBS。本实用新型的倒装LED芯片解决了钝化层与第一电极和第二电极的金属硬度不同的问题，减少封装焊接时第二电极与封装基板之间的空洞率，提高芯片的焊接性能。
一种易于焊接倒装 led 芯片

[发明专利]一种易于焊接的倒装LED芯片-CN202110070402.9在审
发明人：范凯平;旷明胜;徐亮;仇美懿;何俊聪 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种易于焊接的倒装LED芯片，包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上第一电极、设于发光结构和第一电极上的钝化层、以及设于钝化层上第二电极，所述钝化层设有至少一个电极孔洞，所述电极孔洞内填充有预设硬度的导电物质；其中，所述导电物质与钝化层的表面齐平，并将第一电极和第二电极形成导电连接，且与钝化层、第一电极和第二电极形成无缝连接；所述导电物质的硬度≥80HBS。本发明的倒装LED芯片解决了钝化层与第一电极和第二电极的金属硬度不同的问题，减少封装焊接时第二电极与封装基板之间的空洞率，提高芯片的焊接性能。
一种易于焊接倒装 led 芯片

[发明专利]一种低空洞率的倒装LED芯片及其制备方法-CN202110038564.4在审
发明人：范凯平;旷明胜;徐亮;仇美懿;何俊聪 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种低空洞率的倒装LED芯片及其制备方法，所述倒装LED芯片包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的电极，还包括设于电极上的焊接层、以及设于焊接层上的点测接触层；所述焊接层的材料选用Au和Sn，Au和Sn的质量百分比为(15％～30％)：(70％～85％)；其中，所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/Au叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/AuSn叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层AuxSn1‑x层，每层AuxSn1‑x中Au和Sn的比例不同。本发明的倒装LED芯片，空洞率低，良率高。
一种空洞倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种多电极焊点的倒装LED芯片及其制备方法-CN202110136650.9在审
发明人： 旷明胜;范凯平;何俊聪;唐恝 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多电极焊点的倒装LED芯片及其制备方法，所述制备方法包括S1、在衬底上形成发光结构；S2、在发光结构上形成第二保护层；S3、对所述第二保护层进行刻蚀，形成多个电极孔洞；S4、采用钢网印刷的方法，将金属焊料填充在电极孔洞内，以形成电极；其中，所述金属焊料主要由Sn、Ag和Cu组成；S5、对电极进行阶梯保温，以获得成品。本发明的制备方法，成本低，工艺简单，所制得的倒装LED芯片与基板的焊接效果好。
一种电极倒装 led 芯片及其制备方法

[实用新型]一种高亮度侧镀倒装LED芯片-CN201822269975.0有效
发明人： 旷明胜;徐亮;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高亮度侧镀倒装LED芯片，包括衬底、发光结构、切割道、第一孔洞、第二孔洞、第一金属支撑层、第二金属支撑层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第二绝缘层和侧镀金属层，所述侧镀金属层覆盖在衬底和第二绝缘层的侧壁。本实用新型在衬底和发光结构的侧壁形成一层侧镀金属层，将芯片侧面发出的光线进行反射，使更多的光线从芯片的轴向发出，从而增加芯片的轴向出光量，防止芯片“漏蓝”，提高芯片的亮度，此外，还可以减少芯片的发光角度，提高光色纯度。
绝缘层芯片镀金属层衬底孔洞倒装LED芯片本实用新型金属支撑层发光结构侧壁轴向第二电极第一电极光色纯度芯片侧面出光量切割道反射发光覆盖

[发明专利]一种高亮度侧镀倒装LED芯片及其制作方法-CN201811636105.0在审
发明人： 旷明胜;徐亮;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种高亮度侧镀倒装LED芯片，包括衬底、发光结构、切割道、第一孔洞、第二孔洞、第一金属支撑层、第二金属支撑层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第二绝缘层和侧镀金属层，所述侧镀金属层覆盖在衬底和第二绝缘层的侧壁。相应地，本发明还提供了一种高亮度侧镀倒装LED芯片的制作方法。本发明在衬底和发光结构的侧壁形成一层侧镀金属层，将芯片侧面发出的光线进行反射，使更多的光线从芯片的轴向发出，从而增加芯片的轴向出光量，防止芯片“漏蓝”，提高芯片的亮度，此外，还可以减少芯片的发光角度，提高光色纯度。
绝缘层芯片倒装LED芯片镀金属层衬底孔洞金属支撑层发光结构侧壁轴向第二电极第一电极光色纯度芯片侧面出光量切割道反射制作发光覆盖

[发明专利]一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法-CN201710500222.3在审
发明人：向雄志;旷明胜;程淼 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明适用于透明导电薄膜领域，提供了一种银纳米线透明导电薄膜，所述银纳米线透明导电薄膜包括柔性衬底及覆盖在所述柔性衬底上的银纳米线，所述银纳米线呈扁平化连接；所述扁平化连接为纳米银线发生塑性变形由圆筒状转变为长条状而形成的相互连接网络。本发明提供的银纳米线透明导电薄膜，所述透明导电薄膜中银纳米线呈网状镶嵌在柔性衬底上，所述银纳米线之间呈扁平化连接，接触紧密、接触面积大、且无需添加任何粘结剂，获得的透明导电薄膜透光率可达85％～90％，方阻降低至30～50Ω/square,雾度3‑15。
一种纳米透明导电薄膜及其制备方法

[实用新型]一种综合腐蚀试验装置-CN201620081155.7有效
发明人：向雄志;程淼;旷明胜 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： G01N3/14 文献下载
摘要：本实用新型适用于材料腐蚀性能测试技术领域，尤其涉及一种综合腐蚀试验装置，包括施力系统和腐蚀反应釜，所述腐蚀反应釜内设置有夹具装置，所述夹具装置包括于竖直方向上、下设置的一上夹具以及一下夹具，所述上夹具与所述施力系统固定连接，所述下夹具与所述腐蚀反应釜固定连接；所述上夹具包括上固定销，下夹具包括下固定销，进行腐蚀试验的试样包括至少一个缺口和至少两个孔洞，所述上、下固定销分别穿过位于所述缺口两侧的孔洞与所述试样连接，且所述上固定销与其穿入的孔洞之间以及下固定销与其穿入的孔洞之间均预留有缝隙。本实用新型结构简单，操作方便，成本较低；可实现在腐蚀反应釜中同时进行应力腐蚀、缝隙腐蚀和点蚀的实验。
一种综合腐蚀试验装置

1
共 14 条