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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种LED测试结构、测试方法及该结构的制作方法-CN201310134445.4有效
发明人： 时军朋 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开的一种LED测试结构、测试方法及该结构的制作方法，其中该结构包括：基板；接合层，形成于所述基板上；反射层，形成于所述接合层上，具有金属反射结构；p型外延层、有源层、n型外延层依次叠放于所述反射层之上；N电极，位于n型外延层之上；至少两个P电极，与所述金属反射结构形成欧姆接触且与n型外延层和有源层之间绝缘；其中，所述金属反射结构呈条形状，使得当金属发生迁移时电阻变化能够通过电子仪器探测。在两个P电极上加小电流，通过测量电阻的变化就可以探测反射层金属电迁移的情况。
一种 led 测试结构方法制作方法

[发明专利]一种倒装发光二极管及其制作方法-CN201210459767.1有效
发明人： 时军朋;卓佳利;杨力勋;黄少华 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开的一种倒装发光二极管，其结构包括：基板，表面具有p区金属部分、n区金属部分，且两者之间相互隔离；p型外延层、有源层、n型外延层依次叠放于所述基板之上；反射层，位于所述基板与p型外延层之间；电流阻挡层，位于所述反射层与p型外延层之间，其所在位置使得电流不聚集在发光二级管的边缘；绝缘保护层，包裹发光二极管侧壁，裸露一部分n型外延层侧壁；P电极，连接所述金属反射层与基板的p区金属部分；N电极，连接n型外延层侧壁与基板的n区金属部分。本发明所述的倒装发光二极管不需要蚀刻掉有源层，充分利用了有源层的面积，侧壁电极也不会阻挡光线的出射，从而有效提高了发光效率。
一种倒装发光二极管及其制作方法

[发明专利]具有扩展电极的发光二极管-CN201210423346.3有效
发明人： 时军朋;李水清;杨力勋;梁兴华;郑高林;钟志白 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开的一种具有提高出光效率和改善出光均匀性的电极结构的发光二极管，通过减小单个指形电极的宽度和电极厚度到接近光的波长，利用光的衍射和干涉特性，使光绕过电极而出射，从而增加出光效率。所述电极结构包含两个或两个以上接触点和指形电极部分。该结构可应用于正装或者垂直结构的发光二极管芯片。
具有扩展电极发光二极管

[发明专利]具有反射电极的发光装置-CN201210426841.X有效
发明人：杨力勋;时军朋;梁兴华;郑高林;钟志白;黄少华;关杰夫 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效提高半导体发光二极管LED工作稳定性的电极结构，涉及到包含反射层的LED电极结构，并且在这种结构中，反射层起到电流扩展的作用。这种电极结构是从反射层的侧面注入电流，从而在电极与LED接触面上形成一定的电势梯度，从而抑制反射层中金属离子在使用过程中由于电场作用发生的迁移，提高器件的稳定性能。同时作为注入电流的电极部分可以包含具有较高反射率但是又不易发生离子迁移的材料，从而增加整体的反射面积，提高出光效率。
具有反射电极发光装置

[实用新型]真空辐射式加热器-CN200420051279.8无效
发明人：宋长安;温振超;孙志文;时军朋 -专利权人：温振超;孙志文;时军朋
申请日： 2004-05-22 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本实用新型是一种可用于真空蒸发、溅射镀膜的加热器。本实用新型能有效地防止真空蒸发镀膜时被加热粉末状材料的进溅，提高了材料的利用率，且可以在真空溅射的同时对样片进行炭化、退火、氧化等处理，温度可在室温至950℃之间任意调节控制。它由托盘、加热管和盖板三部分组成：托盘呈圆柱形，在其下底中心钻有测温孔，托盘内置加热管，上置盖板；加热管是提供辐射式加热的热源，呈环形，外壳为石英制品，内置钨丝；盖板中心开一圆孔，在蒸发时用来放置源容器，圆孔四周固定四只钢夹，在溅射时用来固定样片。本实用新型能够广泛应用于高真空下蒸发、溅射等薄膜的制备。
真空辐射加热器

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