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[发明专利]一种DNA修复蛋白用于修复CRISPR/Cas9基因编辑相关宿主基因损伤的方法-CN202310800501.7在审
发明人：孙岩松;李浩;韩尧;杨兰;宋英杰;董雪;魏明臣;方梦雅 -专利权人：中国人民解放军军事科学院军事医学研究院
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C12N15/85 文献下载
摘要：本发明公开了一种DNA修复蛋白用于修复CRISPR/Cas9基因编辑相关宿主基因损伤的方法，具体为一种提高DNA修复效率的蛋白、表达质粒、基因编辑质粒在修复基因编辑相关损伤的应用，所述蛋白的核苷酸序列如SEQ ID NO:1所示，所述表达质粒的核苷酸序列如SEQ ID NO:2所示，所述基因编辑质粒的核苷酸序列如SEQ ID NO:3所示。本发明的结果显示RAD52过表达载体能够显著增加宿主细胞内的RAD52基因在mRNA和蛋白质水平的表达量，本发明提供的蛋白和载体能够修复基因编辑所致损伤，相比于现有的通过抑制Cas9蛋白活性而降低基因编辑的方法，能够修复已经造成DNA损伤；本发明为修复基因编辑相关损伤的提供了一种新方法。
一种 dna 修复蛋白用于 crispr cas9 基因编辑相关宿主损伤方法

[发明专利]一种靶向敲除鸡TET2基因的sgRNA及CRISPR/Cas9系统与应用-CN202211162746.3在审
发明人：陈世豪;潘诗雨;王佳兴;刘茵茵;王德东;方梦雅;李微 -专利权人：扬州大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C12N15/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种靶向敲除鸡TET2基因的sgRNA及CRISPR/Cas9系统与应用，所述sgRNA核苷酸序列如SEQ ID NO.1‑4任一所示，本发明还公开了靶向敲除鸡TET2基因的CRISPR‑Cas9系统，以及该系统在敲除鸡TET2基因的细胞株中的应用。本发明通过CRISPR‑Cas9技术首次靶向敲除鸡巨噬细胞系(HD11)的TET2基因，适用于较难转染和抗生素筛选敏感的免疫细胞，且确保了细胞中不含有转基因片段，同时发现敲除TET2基因的HD11细胞具有免疫抑制特征，为鸡免疫抑制机制的研究提供了理想模型。
一种靶向 tet2 基因 sgrna crispr cas9 系统应用

[外观设计]吊灯（节节高-FMY001）-CN202130390338.3有效
发明人： 方梦雅 -专利权人： 方梦雅
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：吊灯（节节高‑FMY001）。2.本外观设计产品的用途：室内照明。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.本外观设计产品的俯视图为使用时不容易看到或看不到的部位，省略俯视图。
吊灯节节 fmy001

[发明专利]一种双钙钛矿型阳极材料及其制备方法-CN201410374939.4有效
发明人：赵海雷;杜志鸿;夏青;杨春阳;严春林;卢瑶;方梦雅 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种双钙钛矿型阳极材料及其制备方法，属于固体氧化物燃料电池技术领域。本发明通过对双钙钛矿型（A2BB′O6）固体氧化物燃料电池阳极材料LaxSr2‑xMgMoO6的Mg位和Mo位同时进行Fe的掺杂从而形成一种高性能、高稳定性双钙钛矿结构的混合导体材料，该双钙钛矿型阳极材料的分子式为：LaxSr2‑xMg1‑yFe2yMo1‑yO6‑δ，其中0<x<1，0<y<1，0≤δ≤1；本发明还制备了致密型阳极材料和多孔薄膜型阳极材料。本发明的技术效果为：根据电荷补偿原理，Fe同时进入Mg和Mo位可以实现材料体系的电荷自洽，从而有效改善该材料的氧化还原稳定性；选用廉价的Fe作为掺杂元素可降低材料的成本，同时由于Fe具有较强的变价能力，可在B位形成有效的导电网络，有利于材料催化活性以及电导率的提升。
一种双钙钛矿型阳极材料及其制备方法

[发明专利]一种Cu掺杂硅基磷灰石电解质材料及其制备方法-CN201410373711.3有效
发明人：赵海雷;方梦雅;杨天让;杜志鸿;陈宁 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01M8/10 文献下载
摘要：本发明公开了本发明的目的旨在提供一种制备工艺简便、成本低廉，同时能够有效提高硅基磷灰石电解质材料电导率的Cu掺杂硅基磷灰石电解质材料及其制备方法。本发明使用溶胶凝胶法制备了Si位掺杂Cu的硅基磷灰石电解质材料La10-xSi6-yCuyO26+1.5x-y，其中0≤x≤0.67，0.7<y≤2；Cu的掺杂可以有效提高材料的离子电导率。本发明在硅基磷灰石体系的Si位掺杂Cu，由于Cu2+的离子半径大于Si4+，Cu掺杂可以增大晶胞参数和氧迁移通道的尺寸，提升载流子的迁移率，所以Cu掺杂可以达到提高电导率的目的。在相同的Cu掺杂量下，降低La位的阳离子缺位数量，可以增加体系的氧离子数量，从而提高氧离子迁移过程中的载流子的数量，进一步提高材料的电导率。
一种 cu 掺杂磷灰石电解质材料及其制备方法