“文森特·C·韦内齐亚”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有掺杂钛酸盐主体的金属－氧化物－半导体-CN200580036120.6有效
发明人：古川有纪子;文森特·C·韦内齐亚;拉杜·苏尔代亚努 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-10-19 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：一种金属－氧化物－半导体(MOS)器件，具有单晶钛酸锶或钛酸钡主体，其中所述主体包括与介电区(26)相邻的掺杂半导体区(24)。所述主体还包括借助介电区而与半导体区分离的掺杂导电区。以各种方式掺杂时，利用单晶钛酸锶的本质特征，提供MOS叠层的绝缘部件、导电部件和半导体部件。使用单独的主体有利地避免了在叠层部件之间出现界面层，改善了诸如场效应晶主体管之类的MOS器件的特征。
具有掺杂钛酸盐主体金属氧化物半导体

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200580029073.2无效
发明人：约辛·J·G·P·洛;文森特·C·韦内齐亚;尤里·波诺马廖夫 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-08-10 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种方法，用于制造具有半导体主体(1)的半导体器件(10)，半导体主体(1)包括被电绝缘层(4)彼此分开的半导体衬底(2)和半导体区(3)，电绝缘层(4)包括第一和第二子层(4A、4B)，在投影方向观看时，这两个子层相邻，其中第一子层(4A)的厚度小于第二子层(4B)，而且在位于第一子层(4A)之上的半导体区(3)的第一子区(3A)中，形成至少一个数字半导体元件(5)，在位于第二子层(4B)之上的半导体区(3)的第二子区(3B)中，形成至少一个模拟半导体元件(6)。根据本发明，第二子层(4B)以如下方式形成，即第二子层(4B)的下边界相对于第一子层(4A)的下边界凹入半导体主体(1)。这样，容易形成所谓的FD(完全耗尽)SOI器件(10)。优选地，使用局部促进或减缓(防止)的热氧化来形成子层(4A、4B)。优选地，使用衬底转移技术来形成半导体区(3)。
半导体器件及其制造方法