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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电容器及其制造方法-CN200980133182.7有效
发明人： 古川有纪子;吉内什·巴拉克里什纳·皮拉伊·库查普拉克尔;约翰·亨德里克·克洛特威克;弗兰克·帕斯威尔 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2009-08-11 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01G4/10 文献下载
摘要：一种电容器(110)，其中电容器(110)包括电容器电介质(112)，电容器电介质(112)包括第一介电常数值的电介质基体(114)，和比第一介电常数值大的第二介电常数值的多个纳米团簇(116)，所述纳米团簇(116)至少部分地嵌入在电介质基体(114)中，其中所述多个纳米团簇(116)通过自然成核形成在电介质基体(114)中。
电容器及其制造方法

[发明专利]使用具有相变材料的MEMS的可调谐电容器和开关-CN200980113529.1有效
发明人： 古川有纪子;克罗斯·赖曼;克里斯蒂娜·安德利娜·瑞德斯;彼得·G·斯蒂内肯;莱斯伯·范彼得森;刘瑾;弗里斯科·J·耶德玛 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2009-04-17 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01G5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS，例如开发MEMS用于移动通信应用，例如开关、可调谐电容器、可调谐滤波器、移相器、多路复用器、电压控制振荡器以及可调谐匹配网络。相变层的体积变化用于MEMS器件的双稳态致动。MEMS器件包括至少可弯曲悬臂、相变层和电极。给出了一种实现该器件的工艺和一种使用方法。
使用具有相变材料 mems 调谐电容器开关

[发明专利]包含核与壳的粒子及其应用-CN200880111735.4无效
发明人： 古川有纪子;奥拉夫·温尼克;罗伯图斯·A·M·沃尔特斯;耐恩克·维尔哈德 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2008-10-13 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C09C1/36 文献下载
摘要：本发明涉及包含核与壳的粒子，制备所述粒子的方法，所述粒子的各种用途以及包含所述粒子的各种产品。依据本发明所述的粒子可被用作光催化剂，抗菌剂，清洁剂，防雾剂以及分解剂。此外，这种粒子还可应用于太阳能电池。
包含粒子及其应用

[发明专利]包含核与壳的微粒-CN200880111551.8无效
发明人： 古川有纪子;威廉默斯·C·凯乌;哈里·范哈勒;科内利斯·A·H·A·穆特桑尔 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2008-10-13 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： C09C1/36 文献下载
摘要：本发明涉及包含核与壳的微粒，以及制备所述微粒的方法。核主要包含TiN，而壳主要包含TiO2。壳的厚度为大于5nm且小于200nm。核的尺寸优选大于10nm并且优选小于100μm。
包含微粒

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200680003430.2无效
发明人： 古川有纪子;约翰·麦克内尔 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2006-01-25 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法。在该方法中，将半导体器件设置为包括衬底(10)，所述衬底(10)用具有表面(25)的低k前体层(20)覆盖。在该步骤之后，执行部分固化步骤，其中低k前体层(20)的表面(25)处或其附近形成密集层(30)。该密集层(30)可以用作保护层(30)。低k前体材料(20)是从具有可用于非固化或部分固化状态的性质的材料组中选择的。该方法的主要优点是不需要向低k前体层(20)提供单独的保护层(30)，因为密集层(30)由低k前体层(20)本身形成。因此，密集层(30)具有与低k前体层(20)的良好粘附性。
制造半导体器件方法

[发明专利]具有掺杂钛酸盐主体的金属－氧化物－半导体-CN200580036120.6有效
发明人： 古川有纪子;文森特·C·韦内齐亚;拉杜·苏尔代亚努 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-10-19 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：一种金属－氧化物－半导体(MOS)器件，具有单晶钛酸锶或钛酸钡主体，其中所述主体包括与介电区(26)相邻的掺杂半导体区(24)。所述主体还包括借助介电区而与半导体区分离的掺杂导电区。以各种方式掺杂时，利用单晶钛酸锶的本质特征，提供MOS叠层的绝缘部件、导电部件和半导体部件。使用单独的主体有利地避免了在叠层部件之间出现界面层，改善了诸如场效应晶主体管之类的MOS器件的特征。
具有掺杂钛酸盐主体金属氧化物半导体

[发明专利]电子设备制造方法-CN200480013493.7无效
发明人： 古川有纪子;罗贝尔图斯·A·M·沃尔特斯 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2004-05-12 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：提供了一种电子设备的制造方法，其中利用193nm光刻形成一个互连。理想线宽不发生变形，在于使用了离解成低分子量离子的等离子气体。该电子设备特别是一个集成电路。
电子设备制造方法

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