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[发明专利]一种光纤孔倒角的制造方法及其制造设备-CN202211169716.5有效
发明人：李朋;侯煜;张昆鹏;石海燕;李曼;岳嵩;王然;张喆;文志东;薛美;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种光纤孔倒角的制造方法及其制造设备，该制造方法通过先采用激光加工+湿法刻蚀工艺在玻璃基板内形状有至少一个倒角直通孔；之后采用激光热加工工艺，加热每个倒角直通孔与对应光纤孔连接处的玻璃基材，使其坍塌后形成截面为弧形的倒角曲面；再采用激光热加工工艺，加热每个倒角直通孔与对应光纤孔连接处的玻璃基材，使其坍塌后形成截面为弧形的倒角曲面；最后对倒角直通孔、倒角曲面及倒角外扩孔的表面进行抛光处理。能够实现微小端口倒角的加工。而且随着激光光束焦点大小的变化，能够进一步缩小加工尺寸，并且无机械应力式加工工艺，能够减小刀具加工玻璃基材时容易带来的脆性样品崩裂概率，从而增加成品率及良率。
一种光纤倒角制造方法及其设备

[发明专利]一种光纤孔的加工方法及基于其的加工设备-CN202211169853.9有效
发明人：侯煜;李朋;李曼;石海燕;张昆鹏;岳嵩;王然;张喆;文志东;薛美;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种光纤孔的加工方法及基于其的加工设备，该光纤孔的加工方法包括：提供一玻璃基板，玻璃基板具有相对的第一端面和第二端面；玻璃基板内形成有至少一个改性区，每个改性区均经激光分层加工改性而成，且每个改性区均贯穿第一端面和第二端面。将玻璃基板放入带有磁性粉末的氢氟酸溶液中。在承载有磁性粉末的氢氟酸溶液的周围外加交流磁场，驱动氢氟酸溶液流动，选择性腐蚀掉每个改性区中的材料，以在玻璃基板内形成至少一个光纤孔。采用带有磨料的高压水导光纤对每个光纤孔的孔壁进行旋转抛光。提高光纤孔孔壁的平整均匀度，减少后续光在波导内传播受到影响。
一种光纤加工方法基于设备

[发明专利]一种基于静电纺丝的[Au(CN)2-CN202211719519.6在审
发明人：王海超;文志东;李敏;胡祥婷;杨尧 -专利权人：烟台新旧动能转换研究院暨烟台科技成果转移转化示范基地;重庆科技学院;鲁东大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： D01F6/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于静电纺丝的[Au(CN)2]‑选择性分离印迹纳米纤维的制备方法，其包括如下步骤：1)将印迹功能单体、二氰合金酸钠、溶剂、静电纺丝聚合物单体和引发剂混匀，然后进行聚合反应；所述的印迹功能单体包括1,3‑二烯丙基‑2‑硫脲；(2)使用步骤(1)获得的产物进行静电纺丝，得到纳米纤维；(3)对步骤(2)获得的纳米纤维进行洗涤，移除[Au(CN)2]‑。本发明还公开了使用上述制备方法获得的印迹纳米纤维及其在[Au(CN)2]‑选择性分离中的应用。本发明将静电纺丝技术应用于印迹纳米纤维的制备，实现了[Au(CN)2]‑的高效专一性分离。
一种基于静电纺丝 au cn base sub

[发明专利]一种基于静电纺丝的铟离子选择性分离印迹纳米纤维的制备方法-CN202211663744.2在审
发明人：李敏;张林;王海超;文志东 -专利权人：重庆科技学院;烟台新旧动能转换研究院暨烟台科技成果转移转化示范基地
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： D01F6/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于静电纺丝的铟离子选择性分离印迹纳米纤维的制备方法，其包括如下步骤：（1）将印迹功能单体与铟盐混匀；所述的印迹功能单体包括甲基丙烯酸与乙烯基膦酸中的至少一种；（2）向步骤（1）获得的产物中加入溶剂、纺丝聚合物单体和引发剂，混匀，进行聚合反应；（3）使用步骤（2）获得的产物进行静电纺丝，得纳米纤维；（4）对步骤（3）获得的纳米纤维进行洗涤，移除铟离子。本发明还公开了通过上述制备方法获得的铟离子选择性分离印迹纳米纤维，并将其应用于铟离子的专一选择性分离。本发明将静电纺丝技术应用于铟离子选择性分离印迹纳米纤维的制备，实现了铟离子的高效专一性分离。
一种基于静电纺丝离子选择性分离印迹纳米纤维制备方法

[发明专利]一种氰化尾渣氰化物蒸发脱毒方法-CN202211467129.4在审
发明人：王海超;楼涵;栾松明;赵振勋;文志东;楼正洪;邵军 -专利权人：山东（烟台）中日产业技术研究院（烟台市产业技术研究院）;烟台中萃环保科技有限公司;烟台新旧动能转换研究院暨烟台科技成果转移转化示范基地
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B09B3/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种氰化尾渣氰化物蒸发脱毒方法，其包括如下步骤：（1）预处理：将氰化尾渣用水调浆，并调节pH值至1~2；（2）氰根解离：向步骤（1）获得的矿浆中加入氰根解离剂，密闭反应1~120min；其中，所述的氰根解离剂为EDDHA‑Na、二氧化锡、氯化亚锡、盐酸羟胺、抗坏血酸、硼氢化钠中的一种或两种以上；（3）减压蒸发：向步骤（2）获得的矿浆中加入消泡剂，进行减压蒸发，将生成的氰化氢气体从浆料中排出。本发明通过氰根解离剂与减压蒸发的配合，有效解决了氰化尾渣中氰根难以回收的问题。
一种氰化氰化物蒸发脱毒方法

[实用新型]一种湿式氧化催化器-CN202222653725.3有效
发明人： 文志东;栾松明 -专利权人：烟台市重科产业技术研究院有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C02F1/72 文献下载
摘要：本实用新型涉及湿式氧化催化器技术领域，具体为一种湿式氧化催化器，包括容纳机构以及震动除垢机构，所述容纳机构包括容纳废水的储纳仓、安装在储纳仓内腔中部的梁管、安装在储纳仓顶部的进水管。在加强外框内侧的中部安装可转输催化气体的气流环管，并在气流环管底部开设的排气端头内活动安装可自由升降的芯管，并利用多个拉杆将均匀分布的多个芯管进行水平连接，同时配合垫环对拼装后多个芯管的横向约束，当伺服电机启动并运行时，此时伺服电机和辅助转轴外端的偏心转盘即可带动两个偏转竖板同步牵引牵引件沿着竖直方向进行循环性震动，此时拼装后的多个芯管的顶端即可沿着气流环管底部端管的内壁进行重复性剐蹭作业。
一种氧化催化

[发明专利]一种氰化尾渣中硫氰根的降解方法-CN202211628596.0在审
发明人：王海超;楼涵;刘海清;赵振勋;文志东;楼正洪;栾松明;邵军 -专利权人：山东（烟台）中日产业技术研究院（烟台市产业技术研究院）;烟台中萃环保科技有限公司;烟台新旧动能转换研究院暨烟台科技成果转移转化示范基地
申请日： 2022-12-17 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： A62D3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种氰化尾渣中硫氰根的降解方法，其包括如下步骤：（1）预处理：将氰化尾渣用水调浆，并调节pH值至2~4；（2）硫氰根剥离：向步骤（1）获得的矿浆中添加硫氰根剥离剂，曝气处理1~3小时；所述的硫氰根剥离剂为高锰酸钾、锰矿粉、2‑乙基己酸锰中的一种或两种以上；（3）硫氰根降解：向步骤（2）获得的矿浆中添加硫氰根降解药剂，去除硫氰根；（4）后处理：将步骤（3）获得的矿浆固液分离。本发明通过硫氰根剥离剂与硫氰根降解剂的配合，可高效脱除氰化尾渣尤其是金精矿氰化尾渣中的硫氰根,降低氰化尾渣中硫氰根的潜在危害。
一种氰化尾渣中硫氰根降解方法

[发明专利]一种基于静电纺丝的铬离子选择性分离印迹纳米纤维的制备方法-CN202211719051.0在审
发明人：李敏;张林;文志东;王海超;邵鹏辉;杨利明 -专利权人：重庆科技学院;烟台新旧动能转换研究院暨烟台科技成果转移转化示范基地;南昌航空大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： D01F6/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于静电纺丝的铬离子选择性分离印迹纳米纤维的制备方法，包括如下步骤：(1)将印迹功能单体、重铬酸盐、溶剂、静电纺丝聚合物单体和引发剂混匀，然后进行聚合反应；所述的印迹功能单体包括N,N'‑亚甲基双丙烯酰胺与甲基丙烯酰胺中的至少一种；(2)使用步骤(1)获得的产物进行静电纺丝，得到纳米纤维；(3)对步骤(2)获得的纳米纤维进行洗涤，移除铬离子，得到铬离子选择性分离印迹纳米纤维。本发明还公开上使用上述方法制备的铬离子选择性分离印迹纳米纤维及其在选择性回收铬离子中的应用。本发明将静电纺丝技术应用于铬离子选择性分离印迹纳米纤维的制备，实现了铬离子的高效专一性分离。
一种基于静电纺丝离子选择性分离印迹纳米纤维制备方法

[发明专利]一种基于静电纺丝的钯离子选择性分离印迹纳米纤维的制备方法-CN202211719544.4在审
发明人：王海超;文志东;李敏;孙月君 -专利权人：烟台新旧动能转换研究院暨烟台科技成果转移转化示范基地;重庆科技学院;鲁东大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： D01F6/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于静电纺丝的钯离子选择性分离印迹纳米纤维的制备方法，其包括如下步骤：(1)将印迹功能单体、氯钯酸钠、溶剂、静电纺丝聚合物单体和引发剂混匀，然后进行聚合反应；所述的印迹功能单体包括烯丙基硫脲；(2)使用步骤(1)获得的产物进行静电纺丝，得到纳米纤维；(3)对步骤(2)获得的纳米纤维进行洗涤，移除钯离子，得到钯离子选择性分离印迹纳米纤维。本发明还公开了使用上述方法获得的钯离子选择性分离印迹纳米纤维及其在钯离子选择性分离中的应用。本发明将静电纺丝技术应用于钯离子选择性分离印迹纳米纤维的制备，实现了钯离子的高效专一性分离。
一种基于静电纺丝离子选择性分离印迹纳米纤维制备方法

[发明专利]一种基于静电纺丝的氟化纳米纤维的制备方法-CN202211714455.0在审
发明人：李敏;张林;文志东;王海超;邵鹏辉;杨利明 -专利权人：重庆科技学院;烟台新旧动能转换研究院暨烟台科技成果转移转化示范基地;南昌航空大学
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： D06M13/332 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于静电纺丝的氟化纳米纤维的制备方法，其包括如下步骤：(1)获取静电纺丝纳米纤维；(2)对步骤(1)获得的静电纺丝纳米纤维与氨基化试剂反应，进行氨基化处理，得到氨基化纳米纤维；(3)对步骤(2)获得的氨基化纳米纤维与全氟辛酸反应，进行氟化处理，得到氟化纳米纤维。本发明对静电纺丝纤维进行改性，实现了铟铁离子的高效选择性分离，且可通过分步解吸，将铟离子和铁离子分开。本发明的氟化纳米纤维可应用于从炼锌废渣和废弃液晶显示屏等废弃物中专一性回收铟离子。
一种基于静电纺丝氟化纳米纤维制备方法

[发明专利]一种氰化尾渣氰化物脱除处理方法-CN202211467151.9在审
发明人：王海超;楼涵;栾松明;赵振勋;文志东;楼正洪;邵军 -专利权人：山东（烟台）中日产业技术研究院（烟台市产业技术研究院）;烟台中萃环保科技有限公司;烟台新旧动能转换研究院暨烟台科技成果转移转化示范基地
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氰化尾渣氰化物脱除处理方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）预处理：将氰化尾渣用水调浆，并调节pH值至4~6；（2）脱氰处理：向步骤（1）获得的体系中加入主处理剂，反应0.1~2h；再加入副处理剂，反应0.1~1h；其中，所述的主处理剂为高铁酸钠、硫酸亚铁、硫酸铁、EDDHA‑Fe、EDTA‑Fe、乙酸铁中的一种或两种以上；其中，所述的副处理剂为包括2‑乙基己酸钴、十八胺和异丙醇的混合物；（3）浮选分离处理。本发明有效解决了氰络合物与矿浆分离的问题，简化了工艺，并提高了氰脱除效率。
一种氰化氰化物脱除处理方法

[发明专利]提高黑硅吸收率的方法-CN202211154782.5在审
发明人：张紫辰;文志东;侯煜;张喆;石海燕;张昆鹏;李曼;王然;岳嵩;薛美;李朋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种提高黑硅吸收率的方法，包括：当前加工行不是第一条加工行时，将待处理材料置于空气氛围中，采用圆形高斯光斑对当前加工行进行清洗；当前加工行完成清洗后，将待处理材料置于六氟化硫氛围中，采用圆形高斯光斑对当前加工行进行诱导。本发明提供的提高黑硅吸收率的方法，能够有效的降低杂质堆积对当前加工行的影响，提高黑硅的吸收性能。
提高吸收率方法

[发明专利]一种旋转磁场耦合光电芬顿的高浓度重金属废水处理装置-CN202011380987.6有效
发明人：王海超;文志东 -专利权人：鲁东大学;烟台市重科产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： C02F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种旋转磁场耦合光电芬顿的高浓度重金属废水处理装置，包括电磁场耦合光电芬顿有机废水处理设备主体、中和池、沉淀池以及净水池，所述中和池设置于电磁场耦合光电芬顿有机废水处理设备主体的排液端一侧，所述沉淀池与中和池相连通，所述净水池设置于沉淀池一侧、且与沉淀池相连通，本发明经过综合处理完成后的废水，进入到沉淀池内，在沉淀池上部设置移动式投料机构，从而在整个沉淀池的宽度方向上进行絮凝剂的均匀投料，同时移动式投料机构下端设置有震动式捣浆机构，将对投入絮凝剂后的沉淀池内的混合液进行震动捣浆，从而使得絮凝剂快速的溶解在废水中，结构简单，自动化程度高，絮凝剂投入量均匀稳定。
一种旋转磁场耦合光电浓度重金属废水处理装置

[发明专利]一种碳化硅晶片的生成方法及其装置-CN202211322542.1在审
发明人：张紫辰;石海燕;侯煜;文志东;张昆鹏;张喆;李曼 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶片的生成方法及其装置，该碳化硅晶片的生成方法通过先将激光光束聚焦在距离单晶碳化硅锭内部的预定深度层并扫描，在预定深度层位置处形成改质层；之后采用金刚石线锯对改质层进行线切割，以改质层为界面，将单晶碳化硅锭的一部分剥离生成碳化硅晶片。由于改质层的材料为单晶硅、非晶硅及碳，其硬度均较碳化硅低得多，在采用金刚石线锯对改质层进行线切割时，减少金刚石线锯的磨损，减小线切割难度。选择更细的金刚石线锯，降低单晶碳化硅锭的损失，提高单晶碳化硅锭的切片产出率。无需采用机械剥离方式，能够避免出现机械剥离过程中可能会因受力不均造成碳化硅晶片碎裂的现象，提高产品良率及剥离效率。
一种碳化硅晶片生成方法及其装置

[发明专利]一种MT插芯的制造方法及其设备、MT插芯-CN202211169855.8在审
发明人：张紫辰;李朋;侯煜;张昆鹏;石海燕;李曼;王然;岳嵩;张喆;文志东;薛美 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G02B6/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种MT插芯的制造方法及其设备、MT插芯，该MT插芯的制造方法包括：提供一玻璃基板，玻璃基板具有相对的第一端面和第二端面；采用激光工艺去除玻璃基板的表面的污渍；对玻璃基板内的至少一个待加工光纤孔位置处进行激光分层加工改性，以在玻璃基板内形成至少一个改性区，其中，每个改性区均贯穿第一端面和第二端面；采用选择性腐蚀工艺去除每个改性区中的材料，以在玻璃基板内形成至少一个光纤孔；对每个光纤孔的孔壁进行抛光处理；采用激光工艺在每个光纤孔两端端口中的至少一个端口处进行倒角。利用玻璃基板的耐温性好，热膨胀系数小的特性，能够解决目前MPO连接器耐温性差，在高温条件下稳定性差等缺陷。
一种 mt 制造方法及其设备

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