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[发明专利]一种片状药片的挤压成型设备-CN202310800441.9在审
发明人：于乐斌;陈希;况永亮;何火亮;敖辉 -专利权人：江西仁齐制药有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B30B11/04 文献下载
摘要：本发明涉及制药设备领域，提供一种片状药片的挤压成型设备，包括；支撑装置；成型机构，所述成型机构设置在所述支撑装置的上侧，所述成型机构用于将药片挤压成型；送料机构，所述送料机构设置在所述支撑装置一侧；翻转机构，所述翻转机构设置在所述支撑装置上，所述翻转机构上设有模具，所述翻转机构用于将模具内挤压成型的药片倒出。通过设置圆环和弹性片，下压杆先伸入圆环内进入模具，此时弹性片与下压杆接触，弹性片被下压杆轻微弹压发生形变，当下压杆上移动时，若药片粘连在下压杆的底部，下压杆脱离圆环顶部时，弹性片反向复位进而会将下压杆底部的药片带下，实现药片不会粘连在下压杆的技术效果。
一种片状药片挤压成型设备

[实用新型]一种通讯模组的定位基座-CN202321125630.2有效
发明人：曾祖玉;敖辉;洪传华 -专利权人：深圳市威科三通电子科技有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种通讯模组的定位基座，包括定位基座本体，所述定位基座本体的内部设置有防护机构，所述定位基座本体的外部设置有固定组件，所述防护机构包括与定位基座本体固定连接的阻尼器，所述阻尼器的外部套接有减震弹簧，所述阻尼器的顶部固定连接有与定位基座本体滑动连接的安装板，所述安装板的底部铰接有数量为两个的限位杆，所述限位杆远离安装板的一端铰接有滑动座。该通讯模组的定位基座，通过设置防护机构，增加了通讯模组定位基座的功能性，提高了对通讯模组的防护，解决了现有的定位基座功能单一，不具备对通讯模组进行防护的功能，不能做到一物多用，影响了定位基座的实用性的问题。
一种通讯模组定位基座

[实用新型]一种车载台的防护结构-CN202320776962.0有效
发明人：曾祖玉;敖辉;林武胜;林风娟 -专利权人：深圳市威科三通电子科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B60R11/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及车载台技术领域，公开了一种车载台的防护结构，包括固定底板，所述固定底板的顶面开设有U型槽，且所述U型槽的内部设置有安装板，所述安装板的顶面设置有U型支架，所述安装板的顶面开设有多个螺纹孔，当车载台本体操作使用完毕后使用人员再将安装板推入到U型槽的内部，此时通过设置的防护壳体，便于对车载台本体进行防护，尽量防止外界物体对车载台本体造成损伤，防护壳体为亚克力透明板制成，方便人员对车载台本体进行观察，同时通过设置的防护壳体还可以起到防尘的效果，该装置结构简单操作便捷，方便人员对车载台本体进行操作使用，在操作使用完成后对其进行防护，整体实用性较好。
一种车载防护结构

[发明专利]一种车载台的对讲机装置-CN202310527775.3有效
发明人：曾祖玉;敖辉;林武胜;洪传华 -专利权人：深圳市威科三通电子科技有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H04B1/3822 文献下载
摘要：本发明涉及对讲机技术领域，具体为一种车载台的对讲机装置，包括车载台主体、连接线、手咪、回牵侧仓、限位仓孔、关闭压钮、关闭压盘、主动牵引轮和从动夹轮，所述车载台主体通过连接线与手咪连接，所述车载台主体的侧壁表面位置固定设置有回牵侧仓，所述回牵侧仓的前后表面位置分别贯穿开设有限位仓孔，两组所述限位仓孔同轴对应，所述连接线通过限位仓孔穿插经过回牵侧仓，所述回牵侧仓的前表面固定设置有关闭压钮，所述连接线的外表面固定设置有关闭压盘；本发明车载台的对讲机装置通过设置的摩擦驱动机构与主动牵引轮和从动夹轮配合，同时利用连接线可以在使用完手咪，随意放置后，自动将手咪缓慢牵引到车载台主体附近。
一种车载对讲机装置

[发明专利]倾斜式GaN基结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202310028683.0在审
发明人：敖辉;韩甲俊;马正蓊;刘新科;庄文荣 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种倾斜式GaN基结势垒肖特基二极管及其制备方法，包括：n型衬底；n型GaN漂移区，n型GaN漂移区具有倾斜侧壁；p型掺杂区，排布于n型GaN漂移区中，其中，p型掺杂区的掺杂源包括Mg离子和O离子；倾斜式场板介质层，设置在倾斜侧壁；阳极，设置在n型GaN漂移区和p型掺杂区上；阴极，设置在n型衬底的底面。本发明可以有效缓解发生在阳极的电场集中和PN结耗尽区侧壁的电场分布，提高结势垒肖特基二极管的反向耐压并减少漏电流。本发明采用Mg和O双离子注入，采用施主和受主的共掺杂，将两种类型的杂质的溶解度提高到超过任一种杂质在主体半导体中的溶解度极限，从而大大增加P型掺杂区的激活率。
倾斜 gan 基结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]高阈值电压增强型HEMT器件的制备方法-CN202310034971.7在审
发明人：韩甲俊;敖辉;刘新科;庄文荣 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种高阈值电压增强型HEMT器件的制备方法，包括：于衬底上形成缓冲层和非故意掺杂GaN层；形成AlGaN势垒层，非故意掺杂GaN层与AlGaN势垒层形成异质结，异质结中形成有二维电子气；形成P型GaN盖帽层；刻蚀以形成P型GaN栅，P型GaN栅两侧显露AlGaN势垒层的表面；于P型GaN栅上形成保护层；采用Ar等离子体对显露的AlGaN势垒层表面进行清洗处理，以获得光洁的表面；制作源电极、漏电极和栅电极。本发明采用低能量的Ar等离子体对显露的AlGaN势垒层表面进行清洗处理，以获得光洁的表面，从而有效提高增强型HEMT器件的阈值电压和饱和电流，提高器件的性能和稳定性。
阈值电压增强 hemt 器件制备方法

[发明专利]GaN基垂直型肖特基二极管及其制备方法-CN202310034973.6在审
发明人：王瑞;韩甲俊;李博;敖辉;刘新科;庄文荣 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基垂直型肖特基二极管及其制备方法，方法包括：1)提供n型衬底；2)在n型衬底上形成n型GaN漂移层；3)在n型GaN漂移层中刻蚀出多个隔离槽结构，以隔离出多个n型GaN漂移区；4)在n型GaN漂移区的周侧注入第一缺陷离子和第二缺陷离子，以在n型GaN漂移区的周侧形成高阻区，第一缺陷离子包括C离子和N离子中的一种或两种，第二缺陷离子包括He离子；5)在n型GaN漂移区上形成阳极，在n型衬底的底面形成阴极。本发明可以有效提高肖特基二极管的反向耐压以及减小反向高压下的漏电。
gan 垂直型肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]氮化镓同质外延方法-CN202211139490.4在审
发明人：王瑞;庄文荣;孙明;颜建峰;敖辉 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓同质外延方法，包括步骤：提供一氮化镓衬底，在氮化镓衬底上生长氮化镓外延层，其中，生长氮化镓外延层包括多个生长阶段，每个当前生长阶段的生长温度高于前一生长阶段的生长温度，每个当前生长阶段的生长速率大于前一生长阶段的生长速率，以抑制生长氮化镓外延层过程中，氮化镓衬底在高温下的分解。本发明生长初期通过较低的生长温度，可以有效抑制氮化镓衬底表面的分解，从而获得良好的生长表面，提高氮化镓外延层的生长质量，后期通过提高生长温度和生长速率，可以有效提高氮化镓外延层的生长效率。通过上述方法，可以在保证生长效率的同时，避免氮化镓衬底表面的分解，获得晶体质量良好的氮化镓外延层。
氮化同质外延方法

[发明专利]垂直型GaN基同质外延结构及其制备方法-CN202210869613.3在审
发明人：王瑞;庄文荣;孙明;颜建峰;敖辉 -专利权人：东莞市中器集成电路有限公司;东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直型GaN基同质外延结构及其制备方法，包括：第一载流子浓度的n型GaN自支撑衬底；第二载流子浓度的n+型GaN缓冲层，位于n型GaN自支撑衬底上；第三载流子浓度的n‑型GaN漂移层，位于n+型GaN缓冲层上，其中，第一载流子浓度与第二载流子浓度具有相同的载流子浓度数量级，第三载流子浓度比第一载流子浓度或/及第二载流子浓度低至少一个载流子浓度数量级。本发明的垂直型GaN基同质外延结构的n‑型GaN漂移层具有高厚度、低载流子浓度及高掺杂均匀性的优点。
垂直 gan 同质外延结构及其制备方法

[实用新型]一种隧道伸缩缝中后置式止水带-CN202220913314.0有效
发明人：张忠宇;黄俊;敖辉;邹鸿浩;陈聪;李奥;董飞;陈喜坤;黄杰 -专利权人：苏交科集团股份有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： E21D11/38 文献下载
摘要：本实用新型属于隧道工程施工防水技术领域，尤其涉及一种隧道伸缩缝中后置式止水带。该止水带与凹槽相配合安装于伸缩缝两侧的混凝土中，包括一体化结构的弯曲段和一体化结构的水平段，第二边缘部为凸起结构；弯曲段和水平段形成一体式的平面结构；弯曲段与凹槽通过膨胀螺栓固定，并用改性沥青塞紧。由此，该隧道伸缩缝中后置式止水带，避免了止水带妨碍施工，也抵抗了止水带被钢筋等构件和混凝土的破坏，实现了有效防止建筑的漏水，渗水，保证了防水效果，延长了工程建筑物的使用寿命的目的。
一种隧道伸缩缝后置止水带

[发明专利]一种通过磁场加速土体固结沉降的试验方法-CN202210503611.2在审
发明人：陈喜坤;黄俊;敖辉;张忠宇;赵光;高才驰;仇安群;周新华;杨奎;董飞;李奥;黄杰;董盛时;邹鸿浩;陈飞;徐浩;谈力昕 -专利权人：苏交科集团股份有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G01N33/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过磁场加速土体固结沉降的试验方法，包括：S1、将金属导线以螺旋的形式埋在待进行压缩试验的土体中，使该金属导线的两端接头留在待进行压缩试验的土体之外，而该金属导线除两端的接头的部分在待进行压缩试验的土体中形成螺旋线圈；S2、将埋有金属导线的待进行压缩试验的土体放置于磁场中；S3、将金属导线留在待进行压缩试验的土体之外的两端接头接入直流电电源，并开通直流电源开关，对该待进行压缩试验的土体进行固结试验，获取试验结果。
一种通过磁场加速固结沉降试验方法

[发明专利]一种装配式隧道接缝错台量测量系统以及方法-CN202210475472.7在审
发明人：陈喜坤;黄俊;敖辉;张忠宇;赵光;高才驰;周新华;杨奎;董飞;李奥;黄杰;董盛时;邹鸿浩;陈飞;徐浩;谈力昕 -专利权人：苏交科集团股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01B5/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种装配式隧道接缝错台量测量系统以及方法，其包括多个滑轨和多个图像采集装置。装配式隧道由多个分块装配而成，任意两块分块的接缝处均沿垂直于隧道内壁的方向设置刻度线，刻度线位于分块的第一面，分块的第一面朝向装配式隧道的出口或入口。多个滑轨均沿装配式隧道的延伸方向设置于装配式隧道的内壁上，多个滑轨之间相互平行；图像采集装置与滑轨一一对应滑动连接；图像采集装置用于采集任意一块分块上显示的刻度线值。图像信息识别通过识别刻度线的具体数值和发生的位置，从而明确隧道内错台发生位置以及错台量。图像采集装置采集整个装配式隧道全部接缝的错台情况，适应大面积长距离的装配式隧道，结构简单，安装方便，成本低。
一种装配式隧道接缝错台量测量系统以及方法

[发明专利]一种明挖隧道变形缝中后置式止水带及施工方法-CN202210396075.0在审
发明人：张忠宇;黄俊;敖辉;邹鸿浩;陈聪;李奥;董飞;陈喜坤;黄杰 -专利权人：苏交科集团股份有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： E02D29/05 文献下载
摘要：本发明属于隧道工程施工防水技术领域，尤其涉及一种明挖隧道变形缝中后置式止水带及施工方法。该止水带与槽口相配合安装于变形缝两侧的混凝土中，包括一体化结构的橡胶段和一体化结构的钢板段，橡胶第二边缘部为凸起结构；橡胶段和钢板段形成一体式的平面结构。该止水带的施工方法是在第二次混凝土结构的施工完成后，再将止水带置入，将止水带的橡胶段在第一次混凝土的槽口中固定，然后浇筑第二次混凝土。由此，该明挖隧道变形缝中后置式止水带及施工方法，避免了止水带妨碍施工，也抵抗了止水带被钢筋等构件和混凝土的破坏，实现了有效防止建筑的漏水，渗水，保证了防水效果，延长了工程建筑物的使用寿命的目的。
一种隧道变形缝后置止水带施工方法

[发明专利]大偏角蓝宝石衬底上氮化镓模板的制备方法-CN202011343593.3在审
发明人：敖辉;孙明;庄文荣;颜建锋 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种大偏角蓝宝石衬底上氮化镓模板的制备方法，包括：步骤1)，提供一蓝宝石衬底，将蓝宝石衬底送进MOCVD反应腔，蓝宝石衬底的外延面取向为c面且向a面倾斜一偏角，偏角大于等于0.2°；步骤2)，在蓝宝石衬底上沉积低温缓冲层；步骤3)，在低温缓冲层上进行超晶格生长，超晶格为二维生长层与三维生长层交替生长堆叠而成；步骤4)，在超晶格上进行氮化镓模板层的生长。本发明可以在c面偏向a面0.2°以上的蓝宝石衬底上获得具有平整表面、晶体质量高的c面且偏向m面的氮化镓模板，使用该氮化镓模板可以获得c面且偏向m面的氮化镓单晶，进而获得性能良好的氮化镓基垂直结构功率器件。
偏角蓝宝石衬底氮化模板制备方法

[发明专利]硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法-CN202110825054.1在审
发明人：韩甲俊;孙明;庄文荣;颜建锋;敖辉;陈兴虎;严鹏 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基GaN‑HEMT外延结构的制作方法，包括：采用金属有机物化学气相沉积工艺于硅衬底上形成GaN‑HEMT外延结构，包括成核层、缓冲层、碳掺杂的GaN高阻层、非掺杂的GaN沟道层、AlN空间层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层；所述GaN‑HEMT外延结构的外延生长所采用的气源包括有机金属源和氮源，以H2和N2作为载气，其中，氮源的载气H2与N2的体积比为1.75～2.5之间，有机金属源的载气H2与N2的体积比为0.4～1之间。本发明可有效提高GaN‑HEMT外延生长过程中的不同区域生长速率均匀性、厚度均匀性、AlGaN势垒层的Al组分均匀性以及2DEG密度和二维电子气的迁移率。
硅基 gan hemt 外延结构制作方法

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