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[发明专利]一种提高协同设计效率的方法-CN202010766842.3在审
发明人：朱晓松;高瀛东;范硕奕;陈永松;李林;刘倩倩;孟帅;史柯;敖辉;曹思维;李庆旭;刘春华;张锦生;张林花;姜俊娇;姜潞波;沈燕华 -专利权人：上海原构设计咨询有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G06Q10/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高协同设计效率的方法，包括如下步骤：S1，各专业在新建文件中绘制施工图；S2，建筑专业以文件A200进行提资，其余专业以单一零件图进行提资；S3，建筑专业的文件A200图纸上的凡涉及机电专业内容，均为粗略位置，后期由机电专业定好后提资，提资后的文件，经建筑专业的文件A200覆盖引用确认后，需将原先的平面图上的管井洞口删除，以各专业提资文件为准。本发明，相对其他协同操作方法，可至少多1级引用，及时性方面：各岗位设计人、校对人、审核人可随时看到最新图纸；公用的图纸内容只画一遍，其余均为参照，避免该部分调整，其余专业均须替换对应图纸内容；减少重复劳动，提高各专业的工作效率。
一种提高协同设计效率方法

[发明专利]用于在网页端展示线性工程BIM模型的方法-CN201911295836.8在审
发明人：黄俊;梁顺;杨奎;张忠宇;赵光;董飞;李志远;敖辉;邢冬冬 -专利权人：苏交科集团股份有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G06T17/10 文献下载
摘要：一种用于在网页端展示线性工程BIM模型的方法，包括：接收用户触发的显示指令，显示指令包括用于显示BIM模型预定区域的剖切面的信息；根据所述信息，从特征点数据库中提取相匹配的特征点；基于相匹配的特征点按顺序将BIM模型的剖切面进行显示；所述顺序从所述显示指令中确定；特征点数据库包括预先收集的BIM模型特征点，所述BIM模型特征点包括剖切面位置、剖切面角度、剖切方向和与剖切面位置、剖切面角度、剖切面方向相对应的摄像机位置。直接快速定位模型剖切面，提供一种更加直观、高效的查看手段。
用于网页展示线性工程 bim 模型方法

[发明专利]一种氮化镓基高光效LED外延垒晶片及其制备方法-CN201810052575.6在审
发明人：颜建锋;敖辉;彭泽洋;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基高光效LED外延垒晶片及其制备方法，包括在n型氮化镓与量子阱之间生长含C高缺陷密度层，含C高缺陷密度层生长方法包括：完成n型氮化镓生长后，调整外延垒晶反应室内温度在600℃——990℃之间，以含甲基或乙基的气体源为部分垒晶源参与生长含C高缺陷密度层，引入C掺杂，控制含C高缺陷密度层中C含量浓度10¹⁶——10²⁰cm^‑3，控制含C高缺陷密度层厚度在100nm——1000nm之间。本发明的LED外延垒晶片提高了现有技术同等规格LED外延片制备的芯片的光效。
密度层晶片制备生长氮化镓基高光效甲基或乙基量子阱气体源光效晶源掺杂室内芯片引入

[发明专利]一种长波长LED外延垒晶片、芯片及制备方法-CN201810052678.2在审
发明人：颜建锋;敖辉;彭泽洋;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种长波长LED外延垒晶片的制备方法，制备步骤包括：把外延垒晶衬底放入外延生长反应室内；在外延垒晶衬底上生长CaN外延垒晶层，CaN外延垒晶层厚度为h，控制厚度6µm≥h≥0.35µm，在外延垒晶衬底表面生长GaN缓冲层，在GaN缓冲层上生长n型CaN，在n型CaN上生长量子阱，量子阱上生长p型CaN。本发明制备的氮化镓基长波长 LED外延垒晶片制备成的LED电性性能与蓝绿CaN基 LED电性性能一致。
制备生长长波长晶片电性性能量子阱衬底衬底表面氮化镓基外延生长层厚度放入芯片室内

[实用新型]一种长波长LED外延垒晶片及芯片及全彩发光体-CN201820089998.0有效
发明人：颜建锋;敖辉;彭泽洋;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种长波长LED外延垒晶片及芯片及全彩发光体，包括：外延垒晶衬底、CaN基外延垒晶层，外延垒晶衬底上表面依次垂直生长有CaN基外延垒晶层，CaN 基外延垒晶层包括：缓冲层：在n型CaN与外延垒晶衬底之间生长CaN缓冲层；n型CaN：生长于CaN缓冲层之上，量子阱之下；量子阱：为多量子阱，量子阱≥7对，在n型CaN与p型CaN之间，在CaN量子阱中分布沉积有C；p型CaN:生长于CaN量子阱之上。本实用新型的长波长LED外延垒晶片制备成的LED电性性能与蓝绿CaN LED电性性能一致。
量子阱长波长缓冲层晶片本实用新型全彩发光体电性性能衬底生长芯片衬底上表面垂直生长多量子阱沉积制备

[实用新型]一种氮化镓系高光效LED外延垒晶片及芯片-CN201820089758.0有效
发明人：颜建锋;敖辉;彭泽洋;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓系高光效LED外延垒晶片及芯片，包括：外延垒晶衬底、外延垒晶层，外延垒晶层依次包括：缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓，在量子阱与n型氮化镓之间包括一层高缺陷密度层：缓冲层：在n型氮化镓与外延垒晶衬底之间生长氮化镓缓冲层；n型氮化镓：生长于氮化镓高缺陷密度层之上，量子阱之下；高缺陷密度层：在量子阱与n型氮化镓之间，为含C缺陷层；量子阱：为发光层，在高缺陷密度层与p型氮化镓之间；p型氮化镓:生长于氮化镓量子阱之上。本实用新型的LED外延垒晶片提高了现有技术同等规格LED外延片制备的芯片的光效。
量子阱密度层晶片本实用新型氮化镓系芯片氮化镓高光效缓冲层衬底生长氮化镓缓冲层发光层缺陷层光效制备

[发明专利]一种提高薄膜生长外延片均匀性的方法-CN201810354036.8在审
发明人：颜建锋;敖辉;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：一种提高薄膜生长外延片均匀性的方法，包括以下步骤：选取衬底，该衬底的规格尺寸大于等于预生长外延片的规格尺寸；设置一个环结构件，该环结构件的内径尺寸大小等于衬底的规格尺寸，环结构件的厚度与衬底的厚度可以相等或者不相等；将衬底放置入环结构件中，环结构件将衬底的边缘全部包围连成一个连续的生长区域；将衬底及环结构放置在生长室中进行生长，使得衬底上生长出预设规格结构的薄膜外延片；生长完成后，将环结构件取出，烘烤、清洗干净留待下次使用。本发明利用环结构件降低由于衬底边界条件带来的不利影响，最终获得均匀性很好的外延片。
衬底环结构外延片均匀性生长薄膜生长薄膜外延片边界条件规格结构生长区域不相等生长室烘烤预设相等清洗取出包围

[外观设计]羽毛球拍-CN201830143920.8有效
发明人：敖辉 -专利权人：敖辉
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： 21-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：羽毛球拍。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于打羽毛球。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
外观设计羽毛球拍羽毛球图片

[外观设计]儿童游泳衣-CN201830143944.3有效
发明人：敖辉 -专利权人：敖辉
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： 02-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：儿童游泳衣。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于儿童游泳时的救生衣。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
外观设计儿童游泳衣救生衣儿童游泳图片

[外观设计]插座-CN201730575145.9有效
发明人：敖辉 -专利权人：敖辉
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1、外观设计产品的名称：插座。2、外观设计产品的用途：一种电气元件，主要用来和各种电气设备连接，实现给电气设备供电。3、外观设计的设计要点：在于该外观设计的外部形状。4、指定一幅最能表明设计要点的图片或者照片：立体图。
插座

[实用新型]一种双层立交隧道-CN201420060798.4有效
发明人：黄俊;陈方伟;李勇;赵光;张忠宇;肖军华;王廷伯;李晓春;杜岳;戴慧兰;敖辉 -专利权人：中交公路规划设计院有限公司
申请日： 2014-02-10 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： E21D9/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双层立交隧道，其包括：上层主线、上层匝道，下层包括下层主线、下层匝道；其中，上层匝道和下层匝道用于提供车辆的转弯行驶路线，匝道和主线之间通过中隔墙隔开，同一层匝道和主线上的行车方向相同，不同层匝道和主线上的行车方向相反，在立交隧道的出口和／或入口所述匝道和主线合二为一。本实用新型为了实现相交道路相邻两支的地下互通，采用双层主线、双层匝道的隧道结构，其通过采用双层立交、共建式互通方案，充分节约了地下横向空间。
一种双层立交隧道

[发明专利]一种双层立交隧道-CN201410046691.9有效
发明人：黄俊;陈方伟;李勇;赵光;张忠宇;肖军华;王廷伯;李晓春;杜岳;戴慧兰;敖辉 -专利权人：中交公路规划设计院有限公司
申请日： 2014-02-10 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： E21D9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层立交隧道，其包括：上层主线、上层匝道，下层包括下层主线、下层匝道；其中，上层匝道和下层匝道用于提供车辆的转弯行驶路线，匝道和主线之间通过中隔墙隔开，同一层匝道和主线上的行车方向相同，不同层匝道和主线上的行车方向相反。本发明为了实现相交道路相邻两支的地下互通，采用双层主线、双层匝道的隧道结构，其通过采用双层立交、共建式互通方案，充分节约了地下横向空间。
一种双层立交隧道

[发明专利]一种发光二极管及其缓冲层的制备方法-CN201210366990.1无效
发明人：林桂荣;庄文荣;孙明;颜建锋;敖辉 -专利权人：江苏汉莱科技有限公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其缓冲层的制备方法,所述发光二极管包括：蓝宝石衬底，依次形成于蓝宝石衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源发光层、P型半导体层，所述的缓冲层材料为InxGa1-xN，在整个外延缓冲层生长过程中，缓冲层中In、Ga的含量处于梯度变化的过程，x是不断变化的过程，x从开始的1到缓冲层生长结束时为0，即缓冲层中In的量是不断递减的过程，Ga的量是不断递增的过程。
一种发光二极管及其缓冲制备方法

[实用新型]一种新型双色LED芯片-CN201320115903.5有效
发明人：林桂荣;颜建锋;敖辉;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：江苏汉莱科技有限公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型LED芯片，属于LED发光二极管领域，本实用新型所述的新型LED芯片，包括衬底、缓冲层、发光层、P\N层、及电极，其中发光层为双发光层，并且有三个电极。
一种新型 led 芯片

[外观设计]古生物化石装饰托板-CN02352969.5无效
发明人：敖辉 -专利权人：敖辉
申请日： 2002-05-24 - 公布日： 2003-04-23 - 主分类号： 11-02 文献下载
摘要：主要创作部位在主视图上，故省略其他视图。
古生物化石装饰