专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储器的制作方法、存储器及存储器系统-CN202210800127.6在审
  • 揭黎;王健舻;曾明;徐伟;霍宗亮 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2022-07-06 - 2022-09-23 - H01L27/11582
  • 本申请提供一种存储器的制作方法、存储器及存储器系统,该制作方法包括:在衬底上形成堆叠层,该堆叠层包括交替层叠设置的栅牺牲层和第一栅间隔层,该堆叠层包括核心区;形成沿纵向贯穿该核心区并延伸至该衬底内的存储沟道结构,该存储沟道结构包括电荷捕获层;去除该栅牺牲层,得到第一空槽;在该第一空槽中形成栅极层;去除该核心区中的该第一栅间隔层、以及与该第一栅间隔层对应的该电荷捕获层,得到第二空槽;在该第二空槽中形成隔离结构,从而能在纵向上将电荷的迁移通道进行切断,防止电荷捕获层中存储的电荷在纵向上发生迁移扩散。
  • 存储器制作方法系统
  • [发明专利]存储器的制作方法、存储器及存储器系统-CN202210622523.4在审
  • 揭黎;孙矩;王健舻;曾明;霍宗亮 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2022-06-01 - 2022-09-16 - H01L27/1157
  • 本申请提供一种存储器的制作方法、存储器及存储器系统,该制作方法包括:在衬底上形成堆叠层和台阶填充结构,堆叠层包括核心区和台阶区,堆叠层在台阶区形成有台阶结构,台阶填充结构覆盖台阶结构,且核心区中形成有存储沟道孔,台阶区中形成有虚设沟道孔;在存储沟道孔中形成存储沟道结构,并在虚设沟道孔中形成虚设沟道结构,存储沟道结构和虚设沟道结构中均包括沟道层,且存储沟道结构中沟道层的厚度小于虚设沟道结构中沟道层的厚度,从而能制作高强度的虚设沟道结构,减少虚设沟道结构因台阶填充结构的收缩而发生的倾斜现象,确保了虚设沟道结构的良好支撑性能和存储沟道结构的良好存储性能。
  • 存储器制作方法系统

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