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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]溅射靶-CN201580009968.3有效
发明人：荒川笃俊;森下优斗 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射靶，其为含有以Co或Fe作为主要成分的合金以及包含Mn和B的氧化物的溅射靶，其特征在于，上述溅射靶的组成满足9原子％≤Mn+B+O≤56原子％、B≤Mn(原子％)、Mn+B≤O(原子％)的条件，能够抑制成为溅射时的粉粒产生的原因的由非磁性材料引起的异常放电。
溅射

[发明专利]Sb‑Te基合金烧结体溅射靶-CN201580004783.3有效
发明人：小井土由将 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2015-02-20 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种Sb‑Te基合金烧结体溅射靶，其为Sb含量为10～60原子％、Te含量为20～60原子％、剩余部分包含选自Ag、In、Ge中的一种以上元素和不可避免的杂质的溅射靶，其特征在于，氧化物的平均粒径为0.5μm以下。本发明的目的在于，实现Sb‑Te基合金烧结体溅射靶组织的改善，防止溅射时电弧放电的发生，并且使溅射膜的热稳定性提高。
sb te 合金烧结溅射

[发明专利]氧化物烧结体-CN201680038373.5在审
发明人：挂野崇;角田浩二 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：一种氧化物烧结体，其为实质上包含铟、锡、镁和氧，以Sn/(In+Sn+Mg)的原子数比为5％～15％的比例含有锡，以Mg/(In+Sn+Mg)的原子数比为0.1％～2.0％的比例含有镁，剩余部分包含铟和氧的烧结体，其特征在于，所述烧结体的表面粗糙度Ra为0.3μm～0.5μm时的挠曲强度为140MPa以上。本发明的课题在于提供可以减少成膜时靶破裂、粉粒产生，并且可以形成非晶稳定性、耐久性优良的薄膜的溅射靶用氧化物烧结体。
氧化物烧结

[发明专利]碳化钨的制造方法-CN201680020032.5在审
发明人：河村寿文 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：本发明提供一种从含有包含钨的有用物质的原料混合物高效地制造碳化钨的方法。本发明的碳化钨的制造方法的特征在于包括通过使用有机系电解液对含有包含钨的有用物质的原料混合物进行电解而使钨溶解于电解液的工序；和通过将溶解有钨的电解液在800℃以上的温度进行烧成而获得碳化钨的工序。
碳化制造方法

[发明专利]氧化铟‑氧化锌类（IZO）溅射靶及其制造方法-CN201611242711.5在审
发明人：挂野崇 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化铟‑氧化锌类(IZO)溅射靶及其制造方法。一种溅射靶，其为包含In、Zn、O的溅射靶，其特征在于，Zn和In的原子比满足0.05≤Zn/(In+Zn)≤0.30，并且该靶的溅射面内的体电阻率的标准偏差为1.0mΩ·cm以下。本发明提供一种烧结体的翘曲小、并且抑制了由用于减小翘曲的磨削造成的体电阻率的面内偏差的氧化铟‑氧化锌类氧化物(IZO)烧结体靶的制造方法。
氧化氧化锌 izo 溅射及其制造方法

[发明专利]烧结体和非晶膜-CN201710312099.2有效
发明人：奈良淳史 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及烧结体和非晶膜。本发明的课题在于提供能够得到能够保持良好的可见光透射率和导电性的透明导电膜、尤其是低折射率的非晶膜的烧结体。这种薄膜的透射率高且机械特性优良，因此可用于显示器的透明导电膜、光盘的保护膜。本发明的目的在于由此提高光器件的特性、降低设备成本、大幅改善成膜的特性。
烧结非晶膜

[发明专利]锂离子电池废料的浸出方法、及来自于锂离子电池废料的金属的回收方法-CN201580052759.7在审
发明人：横田拓也;伊藤顺一 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可有效地降低处理成本的锂离子电池废料的浸出方法、及来自于锂离子电池废料的金属的回收方法。该发明的锂离子电池废料的浸出方法在利用酸性溶液使包含镍和/或钴、以及锰和/或铁的锂离子电池的废料浸出时，包括如下金属浸出工序将所述废料添加至酸性溶液中，首先，所述锰和/或铁进行浸出，使锰和/或铁的金属离子存在于所述酸性溶液中，之后，在存在锰和/或铁的金属离子的该酸性溶液中，使镍和/或钴、与锰和/或铁的金属离子接触，由此使镍和/或钴浸出。
锂离子电池废料浸出方法来自于金属回收

[发明专利]磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法-CN201580051739.8在审
发明人：荻野真一 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射靶，其为含有C和/或BN的FePt基烧结体溅射靶，其特征在于，在与该靶的溅射面垂直的截面的抛光面中AuCu合金粒子所占的面积率为0.5％以上且15％以下。本发明的课题在于提供可以减少在溅射时产生的粉粒，从而可以有效地形成磁记录介质的磁性薄膜的溅射靶。
记录形成溅射及其制造方法

[发明专利]溅射靶用母合金和溅射靶的制造方法-CN201580052685.7在审
发明人：浅野孝幸;小田国博 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射靶用母合金，其为用于溅射靶的母合金，其特征在于，将构成母合金的元素设为以下的X1、X2、Y1、Y2、Y3时，X1Ta或W中的一种或两种，X2Ru、Mo、Nb或Hf中的一种以上，Y1Cr或Mn中的一种或两种，Y2Co或Ni中的一种或两种，Y3Ti或V中的一种或两种，所述母合金包含上述构成元素的X1‑Y1、X1‑Y2、X1‑Y3、X2‑Y1、X2‑Y2中的任一种组合。由此具有下述优良效果能够得到缺陷少、高密度且均匀的合金组成的靶，并且通过使用该靶，可以提供能够以高速进行均质且粉粒少的合金阻挡膜的成膜的烧结体溅射靶。
溅射靶用母合金制造方法

[发明专利]锂离子电池废料的浸出方法、及来自于锂离子电池废料的金属的回收方法-CN201580052894.1在审
发明人：横田拓也;伊藤顺一 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可有效地降低处理成本的锂离子电池废料的浸出方法、及来自于锂离子电池废料的金属的回收方法。该发明的锂离子电池废料的浸出方法，在利用酸性溶液使包含镍和/或钴的锂离子电池的废料浸出时，包括如下金属浸出工序将所述废料中不含的锰和/或铁的单质、锰和/或铁的化合物，及包含锰和/或铁的金属离子的溶液中的至少一种与所述废料一并添加至酸性溶液中，使锰和/或铁的金属离子存在于所述酸性溶液中，之后，在存在所述锰和/或铁的金属离子的该酸性溶液中，使所述废料中所含的镍和/或钴、与所述锰和/或铁的金属离子接触，由此使镍和/或钴浸出。
锂离子电池废料浸出方法来自于金属回收

[发明专利]磁性材料溅射靶-CN201580008580.1在审
发明人：池田祐希;荒川笃俊 -专利权人： 捷客斯金属株式会社
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射靶，其为具有含有Fe的金属基质相、和形成粒子并分散存在的非磁性相的溅射靶，其特征在于，非磁性相含有0.1～40摩尔％的C，所述溅射靶的X射线衍射的单峰之中强度最高的衍射峰的积分宽度为0.8以下。本发明提供一种非磁性材料粒子分散型溅射靶，其通过抑制溅射时的初始粉粒的产生从而减少预烧时间，并且在溅射时可得到稳定的放电。
磁性材料溅射

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