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[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201910131926.7在审
发明人：山野边智美;竹下佳伸;儿玉一隆;折津美奈子 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了半导体装置和半导体装置的制造方法，在具有场板的半导体装置和半导体装置的制造方法中抑制由于沟槽底部的电场集中所致的耐压的降低。半导体装置具备：第1导电类型的第1半导体层；设置在第1半导体层上的与第1导电类型不同的导电类型的第2导电类型的第2半导体层；在第2半导体层的表面形成的第1导电类型的杂质区；第1电极，其隔着第1绝缘膜与杂质区、第2半导体层和第1半导体层相接；以及第2电极，其隔着第2绝缘膜与第1电极相接并且隔着第3绝缘膜与第1半导体层相接，并且在隔着第3绝缘膜与第1半导体层相接的上部和隔着第3绝缘膜与第1半导体层相接的下部的边界具有PN接合。
半导体层半导体装置导电类型绝缘膜电极杂质区制造表面形成电场集中场板耐压

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310222771.0有效
发明人：鍜治昂男;佐佐木克仁;古平贵章;土井祐树;折津美奈子 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置防止与集合配置的元件分离用沟道结构邻接的沟道产生裂缝。半导体装置具备半导体基板；相互分离地形成于半导体基板的一主面的第1元件分离用沟道以及第2元件分离用沟道（30）、（20）；形成于第1元件分离用沟道内的第1绝缘物（120）；被第1元件分离用沟道围起的多个第1元件形成区域（38）、（39）；形成于第1元件形成区域的第1半导体元件；形成于第2元件分离用沟道内的第2绝缘物（120）；被第2元件分离用沟道围起的第2元件形成区域（26）；形成于第2元件形成区域的第2半导体元件；形成于第1元件分离用沟道和第2元件分离用沟道之间的应力缓和结构（40）。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310228546.8有效
发明人：鍜治昂男;佐佐木克仁;古平贵章;土井祐树;折津美奈子 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提高一种能够在防止在集合配置的元件分离用沟道结构的最外周部产生裂缝的半导体装置。该半导体装置具备形成在半导体基板的一主面的元件分离用沟道（30）、形成在元件分离用沟道（30）内的绝缘物（120）、被元件分离用沟道（30）包围的元件形成区域（38）以及形成在元件形成区域（38）的半导体元件，其中，所述元件分离用沟道（30）具备在X方向上延伸的元件分离用沟道（363）；在Y方向上延伸的元件分离用沟道（361、362）；以及在从X方向以角度θ(0°＜θ＜90°)倾斜的方向上延伸的元件分离用沟道（365、366）。
半导体装置及其制造方法