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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]成膜装置和成膜方法-CN202310088366.8在审
  • 石丸友纪;户田将也;高桥恒太;虎谷健一郎;松尾和展 - 铠侠股份有限公司
  • 2023-02-09 - 2023-10-27 - C23C16/455
  • 本发明的实施方式涉及能够缩短成膜时间的成膜装置和成膜方法。实施方式的成膜装置具备：包含侧壁的腔室；设在腔室上部的喷淋头；设在腔室中并用于保持基板的保持器；向喷淋头供给第1气体的第1气体供给管；设在第1气体供给管上的第1阀；设在腔室的除喷淋头以外的区域上的气体供给部；向气体供给部供给第2气体的第2气体供给管；设在第2气体供给管上的第2阀；从腔室排出气体的气体排出管；以及与气体排出管连接的排气装置。
  • 装置方法
  • [发明专利]半导体存储装置-CN202210077720.2在审
  • 神谷优太;松尾和展;高桥恒太;户田将也;石丸友纪 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-01-24 - 2023-03-21 - H10B12/00
  • 本发明实施方式提供具备泄漏电流小的电容器绝缘膜的半导体存储装置。本发明实施方式的半导体存储装置具备：第一导电层与第二导电层之间的第一氧化物半导体层；将第一氧化物半导体层包围的第一栅极电极；第一电极，其与第二导电层电连接，包含Ti；第二电极，其将第一电极包围，包含Ti；第一电极与第二电极之间的第一电容器绝缘膜；与第一导电层电连接的第三导电层；第三导电层与第四导电层之间的第二氧化物半导体层；将第二氧化物半导体层包围的第二栅极电极；第三电极，其与第四导电层电连接，包含钛(Ti)；第四电极，其将第三电极包围，包含Ti；以及第三电极与第四电极之间的第二电容器绝缘膜。
  • 半导体存储装置
  •  1 
  • 共 3 条
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