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[发明专利]具有隧道电介质的太阳能电池-CN201910114397.X有效
发明人： 戴维·D·史密斯 -专利权人：迈可晟太阳能有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池可具有第一电介质，所述第一电介质形成在硅基板的第一掺杂区上方。所述太阳能电池可具有第二电介质，所述第二电介质形成在所述硅基板的第二掺杂区上方，其中所述第一电介质是与所述第二电介质不同类型的电介质。掺杂半导体可形成在所述第一电介质和所述第二电介质上方。P型金属和N型金属可形成在所述掺杂半导体上方。
具有隧道电介质太阳能电池

[发明专利]用于在太阳能电池上图案化特征的三层半导体堆叠-CN201780033216.X有效
发明人：基兰·马克·特雷西;戴维·D·史密斯;文卡塔苏布拉马尼·巴鲁;阿斯纳特·马萨德;安·瓦尔德豪尔 -专利权人：迈可晟太阳能有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明描述了用于在太阳能电池上图案化特征的三层半导体堆叠以及所得到的太阳能电池。在一个实例中，太阳能电池包括基板。半导体结构设置于基板上方。半导体结构包括直接设置于第一半导体层上的P型半导体层。第三半导体层直接设置于P型半导体层上。第三半导体层的最外侧边缘自第一半导体层的最外侧边缘横向凹入一定宽度。P型半导体层的最外侧边缘自第三半导体层的最外侧边缘倾斜至第三半导体层的最外侧边缘。导电触点结构电连接至半导体结构。
用于太阳能电池图案特征三层半导体堆叠

[发明专利]太阳能电池-CN201810745035.6有效
发明人：加布里埃尔·哈利;戴维·D·史密斯;蒂姆·丹尼斯;安·瓦尔德豪尔;金泰锡;彼得·约翰·卡曾斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：通过激光烧蚀形成太阳能电池(420)的接触孔，以适应多种太阳能电池设计。通过用具有大体均匀厚度的膜(424)替换形成于所述扩散区上的膜，从而有利于使用激光形成所述接触孔。接触孔可形成到深扩散区，以增大所述激光烧蚀方法裕度。可调整所述激光配置以形成穿过不同厚度的介质膜的接触孔。
太阳能电池

[发明专利]具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池的金属化-CN201780033222.5有效
发明人： 戴维·D·史密斯;蒂莫西·韦德曼;斯科特·哈林顿;文卡塔苏布拉马尼·巴鲁 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明描述了制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法以及所得的太阳能电池。在一个实例中，背接触太阳能电池可以包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，该第一薄介电层设置在所述基板的背表面上。第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，第二薄介电层设置在基板的背表面上。第三薄介电层设置在第一多晶硅发射极区的暴露的外部部分上，并且直接侧向设置在第一多晶硅发射极区和第二多晶硅发射极区之间。第一导电触点结构设置在第一多晶硅发射极区上。第二导电触点结构设置在第二多晶硅发射极区上。本发明还描述了金属化方法，其包括用于形成第一导电触点结构和第二导电触点结构的蚀刻技术。
具有区分架构太阳能电池金属化

[发明专利]具有包括区分开的P型和N型区与偏置触点的混合结构的太阳能电池-CN202080016423.6在审
发明人： 戴维·D·史密斯;杰弗里·艾尔·科特;戴维·阿龙·伦道夫·巴尔克豪泽;金太锡 -专利权人：太阳电力公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池以及制造所述太阳能电池的方法。所述太阳能电池可包括基板之上的第一发射极区，所述第一发射极区具有围绕所述基板的一部分的周边。第一导电触点在所述第一发射极区的所述周边之外的位置处电联接至所述第一发射极区。
具有包括区分偏置触点混合结构太阳能电池

[发明专利]利用晶体硅对太阳能电池光接收表面进行钝化-CN202110740253.2在审
发明人：迈克尔·C·约翰逊;基兰·马克·特雷西;普林斯·卡尔米·托马达;戴维·D·史密斯;林承笵;佩里纳·雅弗雷努 -专利权人：道达尔销售服务公司;太阳能公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明描述了利用晶体硅将太阳能电池的光接收表面钝化的方法以及所得的太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在所述硅基板的所述光接收表面上方设置有本征硅层。在所述本征硅层上设置有N型硅层。所述本征硅层和所述N型硅层中的一者或两者是微晶或多晶硅层。在另一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在所述硅基板的所述光接收表面上设置有钝化介电层。在所述钝化介电层上设置有N型微晶或多晶硅层。
利用晶体太阳能电池接收表面进行钝化

[发明专利]具有改善的寿命、钝化和/或效率的太阳能电池-CN202110491530.0在审
发明人： 戴维·D·史密斯;蒂姆·丹尼斯;拉塞尔·德耶稣·塔巴琼达 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造太阳能电池的方法，该方法可包括在硅基板上形成电介质区。该方法还可包括在电介质区上方形成发射极区以及在硅基板的表面上形成掺杂物区。在实施方案中，该方法可包括在高于900摄氏度的温度下加热硅基板，以将杂质吸至发射极区并将掺杂物从掺杂物区驱动到硅基板的一部分。
具有改善寿命钝化效率太阳能电池

[发明专利]用于太阳能电池的发射极层的沉积方法-CN201680018065.6有效
发明人：迈克尔·C·约翰逊;邱泰庆;戴维·D·史密斯;彼得·约翰·卡曾斯;斯塔凡·韦斯特贝格 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了制造太阳能电池的方法以及所得的太阳能电池。在一个实例中，制造太阳能电池的方法包括通过自由基氧化或等离子体氧化基板的表面，在所述基板的所述表面上形成薄介电层。所述方法还包括在所述薄介电层上形成硅层。所述方法还包括由所述硅层形成多个发射极区。
用于太阳能电池发射极沉积方法

[发明专利]太阳能电池的金属化-CN201580006163.3有效
发明人：加布里埃尔·哈利;斯科特·哈林顿;戴维·D·史密斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本文描述了太阳能电池的金属化方法以及所得的太阳能电池。在一个例子中，制造太阳能电池的方法涉及在基板中或基板上方形成多个交替的N型区和P型区。该方法还涉及在多个交替的N型区和P型区上形成金属晶种层。该方法还涉及在与交替的N型区和P型区之间的位置对准的区域处对金属晶种层的至少一部分进行图案化。所述方法还涉及在所述图案化之后，在所述交替的N型区和P型区之间的所述位置处进行蚀刻以形成沟槽，从而将所述交替的N型区和P型区彼此隔离。
太阳能电池金属化

[发明专利]使用离子注入制造太阳能电池发射极区-CN201580035521.3有效
发明人： 戴维·D·史密斯;蒂莫西·韦德曼;斯塔凡·韦斯特贝格 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本公开描述了使用离子注入制造太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个例子中，背接触太阳能电池包括具有光接收表面和背表面的晶体硅基板。第一多晶硅发射极区设置在所述晶体硅基板上方。所述第一多晶硅发射极区掺杂有第一导电类型的掺杂物杂质物质，并且还包括不同于所述第一导电类型的所述掺杂物杂质物质的辅助杂质物质。第二多晶硅发射极区设置在所述晶体硅基板上方，并且与所述第一多晶硅发射极区相邻但分开。所述第二多晶硅发射极区掺有第二相反导电类型的掺杂物杂质物质。第一导电触点结构和第二导电触点结构分别电连接到所述第一多晶硅发射极区和所述第二多晶硅发射极区。
使用离子注入制造太阳能电池发射极

[发明专利]具有隧道电介质的太阳能电池-CN201580007956.7有效
发明人： 戴维·D·史密斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池可具有第一电介质，所述第一电介质形成在硅基板的第一掺杂区上方。所述太阳能电池可具有第二电介质，所述第二电介质形成在所述硅基板的第二掺杂区上方，其中所述第一电介质是与所述第二电介质不同类型的电介质。掺杂半导体可形成在所述第一电介质和所述第二电介质上方。P型金属和N型金属可形成在所述掺杂半导体上方。
具有隧道电介质太阳能电池

[发明专利]高通量激光烧蚀方法和用于在太阳能电池中形成接触孔的结构-CN201280048567.5有效
发明人：金泰锡;加布里尔·哈利;戴维·D·史密斯;彼得·约翰·卡曾斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：本发明提供了通过激光烧蚀而形成的太阳能电池（300）的接触孔，以适应多种太阳能电池设计。通过引入具有例如比上覆的金属接触更窄的宽度的线性基极扩散区，从而改进了太阳能电池烧蚀过程的通量。通过具有到达基极扩散区的接触孔也可改进太阳能电池烧蚀过程的通量，所述到达基极扩散区的接触孔垂直于到达发射极扩散区的接触孔。为了允许连续激光扫描，可将激光阻挡层设置于层间介质上，以防止在某些区域上形成接触孔，所述某些区域为例如其中一种极性的金属接触可向相对极性的扩散区进行电分流的区域。在混合设计中，太阳能电池可具有线性和散布式基极扩散区这两者。可使用电光调制器以允许在散布的基极扩散设计中进行连续激光扫描。
通量激光方法用于太阳能电池形成接触结构

[发明专利]具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构-CN201310175111.1有效
发明人： 戴维·D·史密斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：一种太阳能电池包括在诸如硅晶片之类的衬底（103）背面（106）上的多晶硅P型和N型掺杂区域。沟槽结构（104）将P型掺杂区域（101）和N型掺杂区域（102）分开。P型和N型掺杂区域中的每个均可以形成在薄电介质层（113）上。沟槽结构（104）可以包括具有纹理的表面（114）,该表面用来增加太阳能辐射收集。其他优点之一是：形成的结构通过在相邻的P型和N型掺杂区域之间提供隔离来提高效率，从而防止掺杂区域会接触的空间电荷区域中的复合。
具有多晶掺杂区域背面接触太阳能电池沟槽工艺结构

[发明专利]用于太阳能电池导电触点的粘附力增强的晶种层-CN201380067004.5有效
发明人：邬俊波;迈克尔·C·约翰逊;迈克尔·卡德兹诺维克;约瑟夫·本克;朱希;戴维·D·史密斯;理查德·汉密尔顿·休厄尔;涂修文;林承笵 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明描述了用于太阳能电池导电触点的粘附力增强的晶种层和形成太阳能电池导电触点的方法。例如，制造太阳能电池的方法包括在基板的发射极区上方形成粘附层。在所述粘附层上形成金属晶种糊剂层。对所述金属晶种糊剂层和所述粘附层进行退火以形成与所述基板的发射极区接触的导电层。由所述导电层形成所述太阳能电池的导电触点。
用于太阳能电池导电触点粘附增强晶种层

[发明专利]用于制造太阳能电池的方法和结构-CN201610220531.0有效
发明人：加布里埃尔·哈利;戴维·D·史密斯;蒂姆·丹尼斯;安·瓦尔德豪尔;金泰锡;彼得·约翰·卡曾斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：通过激光烧蚀形成太阳能电池(420)的接触孔，以适应多种太阳能电池设计。通过用具有大体均匀厚度的膜(424)替换形成于所述扩散区上的膜，从而有利于使用激光形成所述接触孔。接触孔可形成到深扩散区，以增大所述激光烧蚀方法裕度。可调整所述激光配置以形成穿过不同厚度的介质膜的接触孔。
用于制造太阳能电池方法结构

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