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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]1.5T SONOS闪存的制造方法-CN201910432630.9有效
发明人： 戴树刚 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明涉及1.5T SONOS闪存的制造方法，涉及半导体集成电路制造方法，首先在半导体衬底上沉积形成的第一层多晶硅栅极层，然后在第一层多晶硅栅极层内定义出存储管的形成区域，刻蚀掉存储管的形成区域内的多晶硅，停止在栅氧层上然后依次沉积ONO层和第二层多晶硅栅极层，对第二层多晶硅栅极层进行化学机械研磨，清洗去除掉第一层多晶硅栅极层顶部残留的ONO层，然后一次形成逻辑器件和1.5T SONOS器件的栅极结构，如此所需光罩个数减少，工艺简单，成本较低，且1.5T SONOS器件形成的过程与逻辑器件制造过程之间不会互相影响，从而提高了器件性能。
1.5 sonos 闪存制造方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201910698753.7有效
发明人：章晶;戴树刚;黄冠群 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体器件，所述半导体器件包括基底、位于所述基底上的第一氧化层，以及位于所述第一氧化层上的第一阻挡层，所述半导体器件分为第一区域和第二区域；去除所述第一区域的第一阻挡层和第一氧化层露出基底的表面；对所述第一区域的基底表面进行预清洗；在所述第一区域形成ONO层，在所述第二区域形成第二阻挡层和第二氧化层；去除所述第二区域的第二氧化层、所述第二阻挡层和所述第一阻挡层露出所述第一氧化层表面。在本发明提供的半导体器件的形成方法中，可以保护第一氧化层在预清洗过程中不受损，使得第一氧化层的厚度达标。
半导体器件形成方法

[发明专利]改善N型SONOS器件阈值电压均一性的方法-CN201810840290.9有效
发明人： 戴树刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善N型SONOS器件阈值电压均一性的方法，其中将阱注入分为两步，先进行离子注入形成深度较深的阱注入区，再通过含氢的氧化工艺形成牺牲层氧化层，最后利用铟进行深度较浅的防穿通注入和阈值电压调整注入。本发明利用含氢的氧化工艺形成牺牲层氧化层，从而使硅表面的硼B浓度降低，然后利用铟In不容易扩散的特点进行第二次离子注入，减少扩散带来的掺杂波动，形成更接近突变型的掺杂分布，从而改善N型SONOS器件阈值电压均一性。
改善 sonos 器件阈值电压均一方法

[发明专利]一种嵌入式闪存工艺集成方法-CN201711160947.9有效
发明人：王贺莹;黄冠群;戴树刚;陈广龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式闪存工艺集成方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括相互隔离的核心器件区、输入/输出器件区以及闪存区，在所述衬底上依次形成第一栅氧化层与绝缘层，对所述绝缘层进行刻蚀，保留所述闪存区内的所述绝缘层，然后对所述衬底进行热处理，之后去除所述核心器件区内的所述第一栅氧化层，在所述核心器件区内的衬底上形成第二栅氧化层。本发明在刻蚀绝缘层后进行热处理，使绝缘层刻蚀时对第一栅氧化层造成的损伤得到一定的修复，避免后续去除第一栅氧化层时化学物质的侧钻，从而降低输入/输出器件的漏电流。
一种嵌入式闪存工艺集成方法

[发明专利]一种NISSIN离子注入机台的自动化程式正确性管理方法及装置-CN201611018094.0有效
发明人：孙天拓;戴树刚;胡荣 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种NISSIN离子注入机台的自动化程式正确性管理装置及方法，该方法包括：接收用户的选择操作，选择目标机台服务器；于接收到用户的选择操作后，根据用户的选择操作从目标机台服务器下载待检查程式；采用先逐列遍历程式文件标题行、再逐行遍历程式文件的导弹攻击方法对每个程式收集待检查参数，生成待检查参数报表；对程式及待检查参数进行正确性检查，输出检查结果，通过本发明，可以自动对NISSIN离子注入机台程式进行正确性检查，不仅节省人工检查时的人力，而且更能保证100％检出程式错误，避免程式错误造成的损失。
一种离子注入机台自动化程式正确性管理方法装置

[发明专利]SEN离子注入机台的自动化程式正确性管理方法及装置-CN201610585587.6有效
发明人：孙天拓;戴树刚;胡荣 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种SEN离子注入机台的自动化程式正确性管理装置及方法，该方法包括：接收用户的选择操作，选择目标机台服务器；于接收到用户的选择操作后，根据用户的选择操作从目标机台服务器下载待检查程式；采用导弹攻击方法对每个程式收集待检查参数，生成待检查参数报表；对程式及待检查参数进行正确性检查，输出检查结果，本发明可以自动对SEN机台程式进行正确性检查，不仅节省人工检查时的人力，而且更能保证100％检出程式错误，避免程式错误造成的损失。
sen 离子注入机台自动化程式正确性管理方法装置

[发明专利]一种离子注入机的剂量匹配方法-CN201510216741.8有效
发明人：胡荣;戴树刚;陆叶涛;孙天拓 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入机的剂量匹配方法，包括：第一步骤：提供硅晶片；第二步骤：在基准设备上对第一步骤S1提供的硅晶片进行离子注入，获取剂量匹配系数为1的基准方块电阻值；第三步骤：在新设备上对第一步骤提供的硅晶片采用分区域离子注入的方法在同一硅晶片上获得不同剂量匹配系数的区域，并针对每个区域获取多个点方块电阻值，通过对所述多个点方块电阻值进行数据处理以获取每个区域的方块电阻值；第四步骤：利用第二步骤获取的基准方块电阻值以及第三步骤获取的每个区域的方块电阻值，通过拟合曲线的方式，获得新设备相对于基准设备的剂量匹配系数。
一种离子注入剂量匹配方法

[发明专利]半导体结构的制作方法-CN201711394074.8在审
发明人：黄冠群;戴树刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制造方法，在布置有5V器件区和SONOS存储区的半导体基底上，首先在SONOS存储区形成ONO结构，该ONO结构包括覆盖其顶部和侧面的表面覆盖层，接着在5V器件区形成第一栅极结构，第一栅极结构包括第一栅硬掩模层，在SONOS存储区形成第二栅极结构，第二栅极结构包括第二栅硬掩模层，然后在5V器件区110进行LDD离子注入，由于表面覆盖层的保护，可以减小或避免完成该LDD注入后去除第一栅硬掩模层的刻蚀过程对ONO结构中的氮化层的影响，进一步的，可以利用ISSG工艺形成上述表面覆盖层，成本较低。
栅极结构表面覆盖层栅硬掩模器件区半导体结构半导体基底刻蚀过程氮化层减小去除离子侧面覆盖制作制造

[发明专利]用于监控炉管无氧氛围的监控片、制造方法及其监控方法-CN201410162818.3有效
发明人：江润峰;曹威;戴树刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种用于监控炉管无氧氛围的监控片，所述监控片包括硅基衬底，所述硅基衬底之本征氧化物薄膜的厚度小于15埃；二氧化硅薄膜层，所述二氧化硅薄膜层生长在所述硅基衬底上，且所述二氧化硅薄膜层的厚度为800～1200埃；氮化钛薄膜层，所述氮化钛薄膜层沉积在所述二氧化硅薄膜层之异于所述硅基衬底的一侧，且所述氮化钛薄膜层的厚度为200～1000埃。本发明用于监控炉管无氧氛围的监控片之制造方法简单，对所述无氧氛围的监控直观性强、即时性好，改善生产效率，提高产品良率。
用于监控炉管氛围制造方法及其

[发明专利]SONOS结构嵌入式闪存的制造方法-CN201610924741.8在审
发明人： 戴树刚;唐小亮;黄冠群 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供了一种SONOS结构嵌入式闪存的制造方法，包括：第一步骤：在完成阱注入之后，在整个硅衬底上形成叠层，该叠层包括上层氮化物层和下层氧化物层；其中，整个硅衬底包括核心器件区、外围器件区和存储器件区；第二步骤：利用掩模刻蚀掉存储器件区以外的其他区域覆盖的叠层；第三步骤：在整个硅衬底表面形成第一栅氧层的下部部分；第四步骤：利用掩模刻蚀掉存储器件区顶部的所述下部部分；第五步骤：在核心器件区和外围器件区形成第一栅氧层的上部部分，同时在存储器件区形成顶部氧化层。
sonos 结构嵌入式闪存制造方法

[发明专利]一种改善SONOS结构嵌入式闪存性能的方法-CN201610854734.5在审
发明人： 戴树刚;唐小亮;黄冠群 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善SONOS结构嵌入式闪存性能的方法，包括在定义有核心器件区、外围器件区、存储器件区的整个硅衬底表面依次形成隧穿氧化层、氮化硅电荷俘获层，去除存储器件区以外区域覆盖的隧穿氧化层、氮化硅电荷俘获层，仅在存储器件区以外的硅衬底表面形成一层第一二氧化硅层，在整个硅衬底表面形成一层第二二氧化硅层，以在核心器件区、外围器件区形成由第一、第二二氧化硅层构成的栅氧层薄膜，在存储器件区形成由隧穿氧化层、氮化硅电荷俘获层以及第二二氧化硅层构成的ONO薄膜，可解决SONOS器件尺寸缩小时产生的性能退化以及擦写窗口减小问题。
一种改善 sonos 结构嵌入式闪存性能方法

[发明专利]离子注入角度监控方法-CN201310630276.3有效
发明人：胡荣;戴树刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入角度监控方法，包含提供一晶片；利用离子注入机按不同的注入角度注入预定能量、剂量的离子，并进行快速热退火处理；进行数据测量，建立电阻值—注入角度特征曲线，并确定监控参考角度，将该监控参考角度、预定能量、剂量的离子设为离子注入条件；定期在所述离子注入条件下进行离子注入，并测量相应的晶片电阻值；根据所测量的晶片电阻值与电阻值—注入角度特征曲线确定离子注入角度的准确性。本发明能够对离子注入过程中晶片的偏转角度进行准确的监控。
离子注入角度监控方法

[发明专利]ONO介质层的制备方法-CN201410374742.0在审
发明人：江润峰;戴树刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种ONO介质层的制备方法，具体制备ONO介质层的中间氮化物的步骤包括：步骤S1、通过前驱气体管路通入含硅气体至反应炉内，并在通入含硅气体的同时，关闭其他管路；步骤S2、关闭前驱气体管路，打开净化气体管路通入净化气体至反应炉内；步骤S3、关闭净化气体管路，打开特气管路通入含氮气体至反应炉内，通入的含氮气体与含硅气体反应生成氮化硅附着在硅片表面；步骤S4、关闭特气管路并再次打开净化气体管路输送净化气体至反应炉。本发明可有效的改善硅片表面各位置处的薄膜厚度的均匀度，为提升器件性能提供保证。
ono 介质制备方法

[发明专利]自对准STI的形成方法-CN201410357232.2在审
发明人：江润峰;戴树刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准STI的形成方法，在传统工艺生长浅沟槽侧壁氧化层之后，再生长一层浅沟槽侧壁氮化硅层，随后对浅沟槽填充，并退火。本发明通过在浅沟槽侧壁增加生成一层结构更加致密、稳定的氮化硅层，可以有效阻止水汽或氧气分子的扩散，使得后续工艺退火时，水汽被致密的氮化硅层所阻止，避免水汽与硅衬底以及多晶硅浮栅反应生成二氧化硅，从而确保隧穿氧化硅层边缘厚度不再变厚，保证了产品的质量和可靠性。
对准 sti 形成方法

[发明专利]降低炉管工艺中Cu污染的炉管装置及其方法-CN201410106474.4在审
发明人：江润峰;戴树刚;孙天拓 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低炉管工艺中Cu污染的炉管装置及其方法，其中，所述的炉管装置包括炉管主体、燃烧腔、水汽进气管；其中，所述燃烧腔通过所述水汽进气管与所述炉管主体连接，所述的水汽进气管进入炉管主体内部的顶部；所述的方法步骤包括对含有杂质的炉管进行预清洗后，将一定体积比的H₂和O₂点火燃烧，生成水汽，采用水汽去除炉管内的Cu元素，所述的预清洗采用Trans-LC工艺。本发明所述的装置及其方法，采用预清洗与高纯水汽结合清除炉管主体内部的Cu元素及其他杂质，从而降低炉管工艺中铜杂质的含量，降低金属污染，最终提高产品的良产率。
降低炉管工艺 cu 污染装置及其方法

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