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[发明专利]一种超细纳米晶银合金及其制备方法-CN202310802151.8在审
发明人：侯庆龙;林志河;叶开满;戴品强;洪春福;林智杰 -专利权人：福建阿石创新材料股份有限公司;福建理工大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C22F1/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种超细纳米晶银合金及其制备方法，属于超细晶制备技术领域。本发明提供的超细纳米晶银合金的制备方法，先对银合金进行轧制，通过轧制使银合金中原本的晶粒破碎，然后通过退火处理，使破碎的晶粒转变为等轴晶，接着在超低温下进行交叉挤压，通过超低温来抑制恢复再结晶，通过交叉挤压，使等轴晶破碎为超细等轴晶，再利用超低温轧制使晶粒进一步细化，最后通过退火处理使轧制完破碎的晶粒再结晶，从而得到了晶粒尺寸为纳米级的超细纳米晶银合金；超细纳米晶银合金的微观组织均匀，强度提升明显，且导电性和延展性好，同时制备方法简单，易于大型推广，在工业中拥有广泛的应用前景。
一种纳米合金及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸银合金镶嵌靶材及其制备方法和应用-CN202310793789.X在审
发明人：鄢展圣;张科;林祖溢;蔡小勇;戴品强;洪春福;林智杰 -专利权人：福建阿石创新材料股份有限公司;福建理工大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸银合金镶嵌靶材及其制备方法，属于溅射靶材技术领域。本发明提供的大尺寸银合金镶嵌靶材的制备方法，采用纯银靶加合金钉镶嵌的设计可以将合金钉与银靶冶金结合，结合面无缝隙空洞，导热导电性好，镶嵌处理得到的靶材结合紧密，溅射效率高、性能稳定、品质优良；利用旋转摩擦发热的原理将钉子放入靶槽中，使其熔化焊接在一起，解决了因靶钉与靶之间存在缝隙而引起的异常放电问题，操作简单，手持式钻头即可实现；且本发明的制备方法可以采用不同元素的合金钉在靶面上优化分布，实现多元合金靶。
一种尺寸合金镶嵌及其制备方法应用

[发明专利]一种银合金复合薄膜及其制备方法-CN202310510153.X在审
发明人：洪春福;张燕红;王海超;戴品强;张鑫;张科 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种银合金复合薄膜及其制备方法，属于OLED技术领域。所述银合金复合薄膜是采用磁控溅射镀膜仪在基体上通过双靶溅射交替沉积CrMoNbTaW膜层和Ag膜层制成，所述的复合薄膜以CrMoNbTaW膜层为最顶层，CrMoNbTaW膜层比Ag膜层多一层。本发明制备的银合金复合薄膜性能和成分稳定，具有高导电率、高反射率，制备工艺简单，适用于反射电极膜、液晶显示器、光记录介质、有机发光二极管等领域，能够抗电迁移，提高其抗硫化耐腐蚀性能和服役寿命。
一种合金复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种高比例孪晶银及其制备方法和应用-CN202310803302.1在审
发明人：张科;叶开满;苏百樱;林晓明;戴品强;洪春福 -专利权人：福建阿石创新材料股份有限公司;福建理工大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C22F1/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种高比例孪晶银及其制备方法和应用，属于银材料制备技术领域。本发明提供的一种高比例孪晶银的制备方法，本发明对银原料进行退火处理，可以使其均质化，会让晶粒完全再结晶，形成等轴晶，然后通过水冷进行快速降温，会形成大量的特殊晶界，接着通过冷轧可以使银原料中的晶粒破碎，最后进行二次退火，使破碎的晶粒再结晶，并通过二次水冷得到更多的特殊晶界，从而大幅度提高了银中孪晶的比例。实施例的结果显示，本发明提供的高比例孪晶银中低∑CSL晶界的比例为71.2％，孪晶含量高达70％，维氏硬度＞100HV，电导率≥54*106Ms/m。
一种比例孪晶银及其制备方法应用

[发明专利]一种靶材的修复方法-CN202310799759.X在审
发明人：侯庆龙;林晓明;鄢展圣;叶开满;戴品强;洪春福;林智杰 -专利权人：福建阿石创新材料股份有限公司;福建理工大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种靶材的修复方法，包括如下步骤：采用冷喷涂将与待修复靶材成分相同的合金粉末填充于待修复靶材的修复区的沟槽内，得到一次修复靶材；对所述一次修复靶材的修复区进行摩擦处理，得到摩擦处理的靶材；对所述摩擦处理的靶材进行去应力退火处理，得到修复的靶材。本发明采用冷喷涂法能够保证修复区与原靶材的界面为焊接态的冶金结合，不会出现脱层等现象，能够实现废弃靶材的反复使用，大幅度提高了靶材的利用率；在冷喷涂初步修复后，再使用摩擦处理和去应力退火处理能够细化靶材修复区的晶粒尺寸，从而解决了靶材修复区晶粒粗大的问题，保证了溅射靶材的均匀性。
一种修复方法

[发明专利]一种靶材的修复方法-CN202310799763.6在审
发明人：鄢展圣;蔡小勇;林志河;苏百樱;戴品强;洪春福 -专利权人：福建阿石创新材料股份有限公司;福建理工大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种靶材的修复方法，包括如下步骤：在待修复靶材的修复区的沟槽内浇铸与靶材成分相同的合金熔体，得到一次修复靶材；对所述一次修复靶材的修复区进行摩擦处理，得到摩擦处理的靶材；对所述摩擦处理的靶材进行去应力退火处理，得到修复的靶材。本发明采用浇铸法，利用与待修复靶材成分相同的合金熔体进行修复，能够保证修复区与原靶材的界面为焊接态的冶金结合，不会出现脱层等现象，能够实现废弃靶材的反复使用，大幅度提高了靶材的利用率；为了消除浇铸修复区的缺陷，细化其晶粒，对修复区进行摩擦处理，并随后进行去应力退火，有效解决了靶材修复区晶粒粗大的问题，保证了溅射靶材的均匀性。
一种修复方法

[发明专利]一种多主元金属氧化物增强的电触头材料及其制备方法-CN202110699225.0有效
发明人：林智杰;高炜恒;戴品强;王金龙 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B22F3/14 文献下载
摘要：本发明公开一种多主元金属氧化物增强的电触头材料及其制备方法，包括如下步骤：S1，称取高熵氧化物粉末和银粉末；S2，将高熵氧化物粉末和银粉末进行混合，制备银基高熵氧化物复合粉体；S3，将银基高熵氧化物复合粉体转置于石墨模具中，进行热压烧结得到银‑高熵氧化物复合材料；S4，将银‑高熵氧化物复合材料置于箱式炉中，进行退火，温度降至室温时，制得成品银‑多主元金属氧化物复合电触头材料。本发明与现有常用的电触头第二相相比较，具有以下有优势：没有用到镉元素，避免了环境污染的问题；利用多主元金属氧化物在电弧作用下的固态相变吸热起到抗电弧侵蚀作用；相变产物为高熵氧化物，具有很好的稳定性，可以继续弥散强化电触头。
一种多主元金属氧化物增强电触头材料及其制备方法

[发明专利]一种基于纤维氧化铝的陶瓷管壳制备方法-CN202210145157.8有效
发明人：林智杰;余咏梅;常发;张惠华;洪春福;王羽;陈洪祥;张南菊;戴品强;傅建树;陈程;周水芳 -专利权人：福建闽航电子有限公司;福建工程学院
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明提供一种基于纤维氧化铝的陶瓷管壳制备方法，包括：配制陶瓷浆料，所述陶瓷浆料包括陶瓷粉末、塑化剂、表面活性剂和溶剂；将陶瓷浆料注入带有齿梳出口的流延机，流延并烘干，形成纤维沿流延方向定向排列的生坯带材；将生坯带材切割成板坯，印刷上导线，其中相邻板坯印刷导线时翻转90度；将印刷导线后的板坯层叠压实，进行冲孔，注浆后烧结获得陶瓷管壳，使得产品达到限位强化作用，并且避免基板翘曲。
一种基于纤维氧化铝陶瓷管壳制备方法

[发明专利]一种超厚含氮铬涂层及其制备方法-CN202210703334.X有效
发明人：洪春福;严立焜;范家敬;环宇翔;戴品强;张平山 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于金属材料表面防护领域，具体公开了一种超厚含氮铬涂层及其制备方法。所述涂层是采用磁控溅射‑阴极弧联合镀膜仪在基体上沉积形成的均匀单层涂层，涂层厚度为50~100μm，所述涂层的成分按氮/铬原子含量比为0.4~0.8，超厚含氮铬涂层的结构由纳米晶铬和纳米晶氮化铬复合组成。本发明适用于以活塞环为主要应用对象的多种金属工件，能够提高其耐磨损性能和服役寿命。
一种超厚含氮铬涂层及其制备方法

[发明专利]一种带V型腔的陶瓷外壳及其制造方法-CN202211665348.3在审
发明人：林智杰;张南菊;常发;王羽;戴品强;傅建树 -专利权人：福建闽航电子有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种带V型腔的陶瓷外壳及其制造方法，所述方法包括有准备生瓷片，生瓷片依次分为为底片大板、中片大板和上片大板；分别对上片大板和中片大板进行冲孔处理；在第一中片单元上印刷金属线路；对第二中片单元进行层压处理，并用激光打孔机加工出斜面，得到带V型腔体的瓷片层；将经过步骤S3处理的第一中片单元沿着第二腔体边缘进行切割刀痕处理；将第一中片单元和瓷片层通过定型层压板压合成中片大板；按照叠放的先后顺序，将底片大板、中片大板和上片大板叠合后，进行层压处理，得到坯体；将坯体分切成m个坯体单元；对坯体单元进行烧结，得到陶瓷单元。通过本发明的制造方法，能够制造出带V型腔体的陶瓷外壳，从而增加了光耦合器的受光面积。
一种陶瓷外壳及其制造方法

[发明专利]一种Co粘结的TiZrNbMoTa难熔高熵合金及其制备方法-CN202010041122.0有效
发明人： 戴品强;蔡冰杰;朱成龙;李战江 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了合金材料技术领域的一种以Co作为粘结剂的TiZrNbMoTa难熔高熵合金及其制备方法，采用高熔点金属元素Ti、Zr、Nb、Mo、Ta为原料，经机械合金化制备出高熵合金粉末，将高熵合金粉末与Co粉末均匀混合后进行放电等离子烧结而得到块体合金材料。本发明所得Co粘结的TiZrNbMoTa难熔高熵合金具有较小的晶粒尺寸以及较高的致密性，同时合金的成分分布均匀，并具有较为良好的性能，因而具有良好的应用前景。
一种 co 粘结 tizrnbmota 难熔高熵合金及其制备方法

[发明专利]一种弧形陶瓷外壳以及制造方法-CN202211660617.7在审
发明人：林智杰;张南菊;常发;王羽;戴品强;傅建树 -专利权人：福建闽航电子有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种弧形陶瓷外壳以及制造方法，制造方法包括将陶瓷粉、粘合剂、分散剂和增塑剂及溶剂等按一定比例经过球磨一定时间，形成陶瓷浆料；陶瓷浆料流延成型后，形成流延带料；流延带料进行冲孔和冲腔处理，得到生瓷带；用填孔机在生瓷带所冲出的孔内填实金属浆料；在生瓷带上印上电路；每一生瓷带分别采用等静压的方式压实，且按照叠放层级的先后顺序，所采用的等静压压力逐级递减；对压实后生瓷带，按照叠放层级顺序依次叠放；将生瓷坯体分切成生瓷坯体单元；生瓷坯体单元烧结后，得到弧形陶瓷外壳。在烧结处理时，由于各层的生瓷带之间的应力差，烧结后生瓷坯体会弯曲成弧形陶瓷外壳，以满足需要曲面的陶瓷外壳进行封装的需求。
一种弧形陶瓷外壳以及制造方法

[发明专利]一种陶瓷外壳封装体的制造方法及陶瓷外壳封装体-CN202211646895.7在审
发明人：常发;陈程;林智杰;戴品强;周水芳 -专利权人：福建闽航电子有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种陶瓷外壳封装体的制造方法，所述制造方法包括至少两层底层流延片、至少两层中层流延片、上层流延片以及封接环流延片，将每层中层流延片形成通孔，之后对每层中层流延片上印刷对应的导线层，再对每层中层流延片进行打孔挂浆操作；在每层底层流延片上印刷对应的导线层；并进行打孔注浆膜操作；将所有的底层流延片进行等静层压操作，将所有的中层流延片和上层流延片进行等静层压操作，之后将等静层压后的底层流延片、等静层压后的中层流延片和上层流延片以及封接环流延片进行等静层压操作，得到半成品；将所述半成品进行烧结，得到陶瓷外壳封装体，使得导通电阻大大降低。
一种陶瓷外壳封装制造方法

[发明专利]一种CBCC型陶瓷外壳封装体的制造方法及陶瓷外壳封装体-CN202211653399.4在审
发明人：常发;陈程;林智杰;戴品强;周水芳 -专利权人：福建闽航电子有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种CBCC型陶瓷外壳封装体的制造方法及陶瓷外壳封装体，所述制造方法包括：将成型底板进行打孔，形成通孔，之后与多个生瓷侧墙进行粘结，使所述底板与多个生瓷侧墙结合在一起，形成一个整体，然后进行烧结，得到陶瓷基座；在陶瓷基座的内侧的通孔上涂上一层钨，使得通孔一端部密封，然后将所述陶瓷基座进行烧结；钎焊后，在陶瓷基座的通孔内涂上一层镍，之后注入浆料，之后在通孔上放置背面极板，然后将陶瓷基座放置设定位置，再次进入钎焊炉进行钎焊，得到CBCC型陶瓷外壳封装体，使得工艺简单，便于实现，使得导通电阻大大降低。
一种 cbcc 陶瓷外壳封装制造方法

[发明专利]一种固相插层法制备高熵层状化合物的方法-CN202110678681.7有效
发明人：陈洪祥;李升;戴品强;林智杰;洪春福;常发 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种固相插层法制备高熵层状化合物的方法，所述高熵层状化合物的分子式表达为(HEM)xMX2，其中HEM为元素周期表中的任意四种或四种以上金属元素的组合，元素总量为x，，M为过渡族金属元素，X为S、Se、Te元素中的一种。本发明采用固相插层法合成了一系列的过渡族金属层状化合物(HEM)xMX2，即在MX2层与层之间引入一层高熵原子层，可以对其插层量进行调控，从而得到不同的晶体结构，该系列材料在新能源等应用领域具有巨大潜力，本发明的制备方法简易，反应周期短，成本低，可以获得高纯度的产物。
一种固相插层法制备高熵层状化合物方法

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