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[发明专利]标准单元库设计检查方法和系统以及可读存储介质-CN202010561005.7有效
发明人：魏聪;高兰;温建新 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种标准单元库设计检查方法和系统以及可读存储介质，通过设定验证条件，利用随机选取的方式选取标准单元库中的标准单元，并在版图上按照随机拼接的方式拼接放置标准单元，直至满足验证条件，最后对形成的标准单元库随机拼接版图进行设计检查。利用所述标准单元库设计检查方法可在标准单元版图的设计阶段完成高覆盖率规则检查，减少标准单元库建立过程中的反复工作，由于具有全随机性，因此本申请的技术方案覆盖率比现有技术的方案高，可有效降低后期使用标准单元库进行拼接时出现问题的概率。
标准单元设计检查方法系统以及可读存储介质

[发明专利]一种CMOS图像传感器结构及制造方法-CN202010339567.7有效
发明人：孙德明 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器结构，自下而上包括：P+型衬底，第一P型轻掺杂层和第二P型轻掺杂层，P阱；第二P型轻掺杂层之间的第一P型轻掺杂层上设有第一N型中掺杂层，第一N型中掺杂层上依次设有N型轻掺杂层和第三N型中掺杂层，P阱内部设有第二N型中掺杂层，第三N型中掺杂层及其一侧的一个P阱上设有P型重掺杂层，第三N型中掺杂层另一侧的另一个P阱上设有电荷转移晶体管栅极，电荷转移晶体管栅极与第三N型中掺杂层存在部分交叠，第三N型中掺杂层，N型轻掺杂层和第一N型中掺杂层组成光电二极管PN结的N区。本发明能减小漏电流，抑制像元间串扰。本发明还公开了一种CMOS图像传感器结构制造方法。
一种 cmos 图像传感器结构制造方法

[发明专利]CIS像素阵列任意像元完全耗尽电压的测试电路-CN202011589600.8有效
发明人：王玮;范春晖 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：本发明提供一种CIS像素阵列任意像元完全耗尽电压的测试电路，包括若干个像素单元和读出电路，所述像素单元呈行列排布，且通过所述读出电路相连；同一列的像素单元的传输管的栅极共用一第一电压输入端；同一行的像素单元的悬浮漏极共用一第二电压输入端，光电二极管的第一端共用一测试电压输出端，由此获得相应列的相应行的像素单元，即测试像元的完全耗尽电压。本发明方便有效的监控和提高像素阵列中像元满阱容量的一致性，制造出高质量的图像传感器像素阵列，提高采集图像的质量。
cis 像素阵列任意完全耗尽电压测试电路

[发明专利]参数配置系统及参数配置方法-CN202211479366.2在审
发明人：唐志祺;穆旭明;李林 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种参数配置系统，包括存储单元和读出单元，所述存储单元用于存储配置参数，所述读出单元与所述存储单元连接，用于从所述存储单元读取数据，并将所述配置参数按顺序输出至ISP芯片的各个算法模块，以依次配置所述ISP芯片的各个算法模块，通过所述存储单元统一存储配置参数，并在需要配置所述ISP芯片的各个算法模块时，读出单元从所述存储单元读取数据，并将所述配置参数按顺序输出至ISP芯片的各个算法模块，以依次配置所述ISP芯片的各个算法模块，无需使用配置寄存器，极大的降低了所占用的资源。本发明还提供了一种参数配置方法。
参数配置系统方法

[发明专利]一种高压摆率和宽输出范围的运算放大器-CN202010425165.9有效
发明人：芮松鹏;蔡化;陈正;陈飞;高菊 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供一种高压摆率和宽输出范围的运算放大器，用于驱动容性负载，其包括差分对输入模块EA_INPUT、输出模块DRIVE_MOS和正反馈模块；差分对输入模块EA_INPUT用于接受差分输入的两条支路电压信号，用于产生两条支路电流差；输出模块DRIVE_MOS接收两条支路的电流差以驱动容性负载；正反馈模块连接在的输出模块DRIVE_MOS的输出端和差分对输入模块EA_INPUT的输入端之间；其中，差分对输入模块EA_INPUT的输入端电位瞬时变化，通过正反馈模块使差分输入的两条支路驱动电流差增加；对于N型输入对管结构，通过瞬时增加的驱动电流来驱动容性负载上电位抬升时的压摆率；对于P型输入对管结构，通过瞬时增加的驱动电流来驱动容性负载上电位下拉时的压摆率。
一种高压输出范围运算放大器

[发明专利]比较器电路、图像感测装置及方法-CN202010617205.X有效
发明人：陈正;蔡化;芮松鹏;陈飞;高菊;夏天 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H04N25/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种比较器电路、图像感测装置及方法，包括第一级比较器以及第二级比较器，其中，第二级比较器可利用现有技术中的结构，第一级比较器包括三个耦合电容以及三个输入晶体管，与现有技术的4输入端比较器电路相比，比较器电路的第一端减少了一个耦合电容以及输入晶体管。利用本发明提出的比较器电路时，LCG的操作过程不变，HCG的复位只需对第三输入晶体管进行复位即可，也即通过单端复位实现。在不影响图像性能的前提下，比现有技术中的4输入端比较器减少了比较器电路中的器件数，可有效提高CIS的集成度。
比较电路图像装置方法

[发明专利]图像传感器的太阳黑子消除方法和电路、图像传感器-CN202011140801.X有效
发明人：蔡化;陈飞;高菊;王勇;陈正;夏天 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H04N25/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器的太阳黑子消除方法和电路、图像传感器，首先判断对应的像素上是否发生太阳黑子现象，若发生了太阳黑子现象，则利用锁存电路将计数器的所有所述锁定为高电平以使对应的像素显示为亮点。基于此，可以在出现太阳黑子现象时将计数器额定计数值锁定为满幅值，保证了在太阳黑子现象发生时能将出现的黑点完全消除。并且可以保证在不同照度的光强照射下出现的太阳黑子均能完全消除，使图像质量得到了保证，不会出现灰点。
图像传感器太阳黑子消除方法电路

[发明专利]CMOS图像传感器及其制备方法-CN202011457230.2有效
发明人：王勇 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器及其制备方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有第一环形沟槽，所述第一环形沟槽包括相对的第一子沟槽和第二子沟槽。对所述第一子沟槽执行离子注入工艺，以在所述第一子沟槽下方的衬底中形成阱区。采用绝缘介质填充所述第一环形沟槽，以形成第一浅沟槽隔离结构。对至少部分所述阱区以及所述第一浅沟槽隔离结构包围的部分所述衬底执行离子注入工艺，以形成第一光电二极管。因此，本发明通过在所述第一光电二极管的形成区域内形成所述阱区，并利用所述阱区阻挡光照，以替代挡光层，避免第一光电二极管过快饱和，降低其灵敏度。故本发明不仅降低成本，还对其他元器件没有干扰，提高成品率。
cmos 图像传感器及其制备方法

[发明专利]一种黑电平校正方法及装置-CN202010879840.5有效
发明人：李想;王勇;温建新;宋博 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H04N25/63 文献下载
摘要：本发明提供一种黑电平校正方法及装置，所述方法包括：获取预定帧图像数据、以及获取所述预定帧图像数据的上一帧图像数据的遮光区域的黑电平反馈值，所述黑电平反馈值用于指示遮光区域的基准黑电平值；计算出预定帧图像数据的遮光区域的像素值与上一帧图像数据的遮光区域的黑电平反馈值之间的误差值；基于预定帧图像数据的遮光区域的误差值确定出预定帧图像数据的遮光区域的黑电平反馈值并存储；基于预定帧图像数据的遮光区域的黑电平反馈值对所述预定帧图像数据的有效像素区域进行黑电平校正。本发明的方法会避免出现偏色和闪烁的现象。
一种电平校正方法装置

[发明专利]一种坏点检测校正方法及装置-CN202010922827.3有效
发明人：宋博;王勇;温建新 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H04N25/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种坏点检测校正方法及装置，该方法包括：在图像数据中确定出预定像素点；确定预定像素点是否为坏点或者是否为疑似坏点；当预定像素点为坏点时，对预定像素点的像素值执行第一校正操作；当预定像素点为疑似坏点时，判断预定像素点在图像数据中的所属图像区域，当判断出预定像素点位于图像数据的平坦区域时，确定预定像素点为坏点，对预定像素点的像素值执行第二校正操作，当判断出预定像素点位于图像数据的边缘区域时，再次判断预定像素点是否为坏点，当判断出预定像素点为坏点时，对预定像素点的像素值执行所述第二校正操作。本发明的方法的检测准确率以及校正准确率均较高、成本较低、且可以保证图像边缘信息以及细节信息。
一种检测校正方法装置

[发明专利]图像色调映射的调整方法、系统、存储介质及终端-CN202211482028.4在审
发明人：李佳坤;宋博;王勇;温建新 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像色调映射的调整方法、系统、存储介质及终端，包括：根据像素值和图像相关信息确定高位宽图像的第一特征信息；将高位宽图像的划分为多个特征区域，并做图像增强；对特征区域进行初步色调映射，以得到每个特征区域中像素点的映射增益；获取特征区域中每层图像的亮度信息和细节信息，根据亮度信息、图像信息以及特征区域的划分关系，重建基于高位宽图像原始分辨率的第二特征信息；根据融合权重对每个特征区域的映射增益进行复合，以得到各个特征区域的合成增益；根据合成增益对高位宽图像进行处理以得到低位宽输出图像。本发明能够将高位宽图像映射到显示器可显示的亮度范围，并改善图像质量。
图像色调映射调整方法系统存储介质终端

[发明专利]图像运动区域的定位方法、装置、存储介质及终端-CN202211482042.4在审
发明人：李佳坤;宋博;王勇;温建新 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06T7/207 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像运动区域的定位方法、装置、存储介质及终端，所述方法包括：获取待处理图像，判断所述待处理图像是否满足存在运动区域的基本条件；在确定所述待处理图像中满足存在运动区域的基本条件之后，在所述待处理图像中选择一帧图像作为基准帧图像，将所述待处理图像中的其余帧作为比较帧图像；提取所述比较帧图像和所述基准帧图像中的多层次图像信息，对所述多层次图像信息进行图像增强处理分别得到比较帧增强图像和基准帧增强图像；计算所述比较帧增强图像与所述基准帧增强图像的图像差异因子；根据所述图像差异因子确定所述比较帧增强图像中的运动区域。本发明能够快速识别出多帧图像之间的运动区域，提高图像处理效果。
图像运动区域定位方法装置存储介质终端

[发明专利]一种具有挡光结构的全局像元结构及形成方法-CN201910688464.9有效
发明人：顾学强;王言虹;陈力山 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有挡光结构的全局像元结构，包括设于衬底上的光电二极管，传输管，存储节点，衬底上层间介质层中的金属互连层位于相邻像素单元的光电二极管之间的上方区域，并将存储节点覆盖，光电二极管上方的层间介质层中设有环状深沟槽，深沟槽下端与光电二极管的上表面之间相电性隔离，一复合挡光结构填充于深沟槽中，并自深沟槽上端转折覆盖于金属互连层上的层间介质层的上表面上，实现将复合挡光结构所覆盖的层间介质层、金属互连层以及存储节点完全绝缘遮蔽，因此储存节点的信号不会受到入射光线的影响，避免了输出信号的失真。本发明还公开了一种具有挡光结构的全局像元结构的形成方法。
一种具有结构全局形成方法

[发明专利]用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路-CN202010560967.0有效
发明人：金毓奇;曾夕;温建新;皮常明;连夏梦 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路，包括加法电路和比较电路，在地址译码过程中一共有两条地址数据通路，其一是由外部输入的高N位外部实际地址数据通路，其二是由加法电路对人为初始地址不断累加形成的高N位内部参考地址数据通路。加法电路产生的高N位内部参考地址仅对复用像素控制子电路进行地址标记。通过比较电路比较高N位外部实际地址与加法电路本身累加的高N位内部参考地址进行使能操作，从而等效地实现了译码电路的功能，增大复用的灵活性。
用于大面拼接 cmos 图像传感器像素控制电路

[发明专利]一种图像传感器-CN202010790220.4有效
发明人：蔡化;王勇;陈正;陈飞;苪兴佳 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器，通过与像素单元数量一致的模数转换单元对与之对应的像素单元产生的像素低增益信号和像素高增益信号与斜坡信号在同一个行读周期内进行分时比较，以获得像素低增益值和像素高增益值，并将像素高/低增益值传输至输出信号处理器中进行处理以获得处理后的图像。由于模数转换单元的数量与像素单元的数量一致，且能够在一个行读周期内，将像素单元产生的像素低增益信号和像素高增益信号通过同一个模数转换单元进行转换，使得在没有增加模数转换单元的数量的基础上，在一个行读周期内读取像素低增益信号和像素高增益信号，即解决了在不用倍增ADC个数的情况下，在同一行读周期内读取高增益和低增益信号的问题。
一种图像传感器