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[发明专利]一种图像锐化方法及装置-CN201910412335.7在审
发明人：王吉鹏;宋博;王勇;温建新 -专利权人： 成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种图像锐化方法及装置，图像锐化方法包括：步骤S110：对原始图像数据进行高斯滤波，获得第一图层数据；步骤S120：对所述原始图像数据与所述第一层图像数据做差，获得第二图层数据；步骤S130：以所述第二图层数据为导向图，对所述第二图层数据进行导向滤波，获得第三图层数据；步骤S140：将所述原始图像数据和第三图层数据进行相加，获得经锐化图像。改善图像锐化效果，提高锐化图像质量。
图层数据图像锐化原始图像数据锐化图像高斯滤波图像数据第一层滤波相加

[发明专利]基于红外成像的手势位置识别装置及识别方法-CN201510726263.5有效
发明人：史汉臣;张远;李琛 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于红外成像的手势位置的识别装置，包括发出特定波长的红外散射光的红外光源、接收经反射的红外散射光并生成原始图像的红外成像传感器；过滤除经反射的红外散射光之外的其他光线的滤光片；以及处理单元。处理单元对原始图像进行幂次变换、时间差分、密度筛选等处理以形成以“1”和“0”表示的二值图像并根据二值图像识别手势的位置。本发明能够方便地识别手势的位置。
基于红外成像手势位置识别装置方法

[发明专利]一种背照堆叠式全局曝光像素单元结构及其形成方法-CN201610601004.4有效
发明人：顾学强;赵宇航;周伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照堆叠式全局曝光像素单元结构及其形成方法，通过采用背照工艺和3D堆叠结构，在不同层面制作立体像素单元的光电二极管和存储电容结构，实现既可以避免入射光对全局像素单元的存储电容中电荷信号的影响，防止存储电容中信号的失真，又可以在不影响光电二极管感光面积的条件下增加存储电容的电容值，降低像素单元的读出噪声，同时还可以增加像素单元中光电二极管的感光面积，提高像素单元的灵敏度。
一种堆叠全局曝光像素单元结构及其形成方法

[发明专利]全局像素电路、图像传感器及信号采集方法-CN201611079834.1有效
发明人：任铮;赵宇航;温建新;李琛 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本发明提供了一种全局像素电路、图像传感器及信号采集方法，采用量子点光敏电阻作为感光元件实现可见光和短波红外的探测，同时，本发明的全局硅工艺量子点像素电路中，FD节点和量子点光敏电阻分别采用彼此独立的两个电平复位管，一个对电容MOS管进行复位，另一个对信号存储电容进行复位。该像素能够将曝光之后获取的信号电平存储在电容MOS管中，在信号读出阶段再将其采样读出，从而实现了全局曝光。
全局像素电路图像传感器信号采集方法

[发明专利]一种图像传感器及其制备方法-CN201610885730.3有效
发明人：李琛;任铮;皮常明;温建新;顾学强;范春晖 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器及其制备方法，包括：在第一SOI衬底的体硅区制备像素阵列及其连线；在第二SOI衬底的体硅区制备各个像素阵列的控制电路及其引出极；在一个硅衬底中制备读出电路和图像处理算法电路及其引出极；将第一SOI衬底具有像素阵列及其连线的一面与第二SPI衬底具有控制电路的一面进行键合，第一SOI衬底的像素阵列与第二SOI衬底的控制电路一一对应；将第一SOI衬底未键合的一面的硅层剥离掉，使得第一SOI衬底具有平坦的上表面；将第二SOI衬底的底面与所述硅衬底中的具有读出电路和图像处理算法电路的一面相键合；将第二SOI衬底的引出极与所述硅衬底中的引出极相连，从而降低了器件暗电流，提高了器件质量。
一种图像传感器及其制备方法

[发明专利]一种CMOS图像传感器芯片及其制备方法-CN201610833372.1有效
发明人：李琛;任铮;皮常明;顾学强;范春晖 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器芯片及其制备方法，通过分别在一个标准SOI硅片的外延硅层上制作形成包括感光二极管和控制晶体管在内的像素阵列区，在另一个标准体硅片上制作形成读出电路区，并通过金属键合将具有像素阵列的SOI硅片与具有读出电路等的体硅片堆叠在一起，可避免由于传统减薄工艺所导致的图像质量下降问题，并且在SOI硅片上制作像素单元只需低成本的微米级工艺就可以实现，节省了大量工艺成本。
一种 cmos 图像传感器芯片及其制备方法

[发明专利]一种全画幅图像传感器系统-CN201611225827.8有效
发明人：李琛;温建新;张小亮;皮常明;杨海玲;张桂迪 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明提供了一种全画幅图像传感器系统，通过以像素阵列为中心，在像素阵列两侧分别对称设置有读出电路、通道选择电路、接口电路；成对的读出电路分别从像素阵列两侧与像素阵列相电连；在像素阵列的同一侧的通道选择电路与读出电路相电连；在像素阵列的同一侧的接口电路与通道选择电路相电连，从而使得像素阵列左右两侧电路基本对称，使得像素阵列的中心与整个芯片的中心几乎重合，为后续封装和应用带来方便，还降低了对单侧的PGA、ADC等电路的尺寸，克服了PGA、ADC等电路的高度不能超过像素阵列高度的限制下无法增加PGA、ADC等电路的容量的问题。
一种画幅图像传感器系统

[发明专利]像素结构、传感器及信号采集方法-CN201611090740.4有效
发明人：任铮;赵宇航;温建新;李琛 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H04N5/372 文献下载
摘要：本发明提供了一种像素结构、传感器及信号采集方法，至少包括：多个量子点光敏电阻、多个信号存储电容复位MOS管和一个信号读取电路单元；所述信号读取电路单元包括：复位开关管(M1)、多个传输管(M2)、源跟随器(M3)、行选开关管(M4)和多个像素单元输入端。本发明采用量子点光敏电阻作为感光元件实现可见光和短波红外的探测，通过设置多个量子点光敏电阻和多个信号存储电容复位MOS管共享一组信号读取电路，从而节省了像素单元面积，提高了填充因子。
像素结构传感器信号采集方法

[发明专利]一种图像传感器性能的替换方法-CN201611117546.0有效
发明人：李琛;皮常明;任铮;张远;顾学强 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器性能的检测方法，包括：获取图像传感器的量子效率、实际像素达到饱和输出时等效至单位面积的图像质量分辨率、饱和输出电压和达到饱和输出时所需的曝光时间；建立本征感光效率与量子效率、实际像素达到饱和输出时等效至单位面积的图像质量分辨率、饱和输出电压、以及达到饱和输出时所需的曝光时间的本征感光效率关系式，其中，本征感光效率与量子效率呈正比，与实际像素达到饱和输出时等效至单位面积的图像质量分辨率呈正比，与饱和输出电压呈正比，与达到饱和输出时所需的曝光时间呈反比；根据本征感光效率关系式，评价图像传感器的性能。本发明利用本征感光效率把CMOS图像传感器的各种参数统一起来。
一种图像传感器性能替换方法

[发明专利]改善NMOS热载流子效应的方法-CN201610803561.4有效
发明人：孙德明 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善NMOS热载流子效应的方法，通过氧化硅层作为刻蚀第二器件区的部分氮化硅层的保护层，采用第二器件区的剩余氮化硅层作为刻蚀第一NMOS器件区的氧化硅层的保护层，从而实现了第一NMOS器件区比第二器件区较厚的氮化硅层，然后再次在第一NMOS器件区和第二器件区同时沉积氮化硅材料来增加氮化硅层的厚度，从而使第二器件区的氮化硅层达到目标厚度；因此，后续刻蚀形成的第一NMOS器件区的第一二侧墙的厚度大于第二器件区的第二二侧墙的厚度，由于侧墙的厚度不同，使得后继续进行源漏离子注入时在第一NMOS器件区和第二器件区的侧墙两侧底部的深阱区中形成的源漏区的横向宽度不相同，从而避免现有的源漏离子注入后对第一NMOS器件区的横向电场的影响。
改善 nmos 载流子效应方法

[发明专利]一种全局快门CMOS像素单元及图像采集方法-CN201611090316.X有效
发明人：段杰斌;任铮;蒋宇;温建新;皮常明 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：本发明提供了一种全局快门CMOS像素单元及图像采集方法，该像素单元包括：电源、像素产生单元、信号采样保持单元和信号输出单元；像素产生单元的输出端与信号采样保持单元的输入端相连，信号采样保持单元的输出端与信号输出单元的输入端相连。本发明通过将像素输出电压‑光生电流设置为对数关系，有效提高了信号输出的动态范围，使其在高速读取的同时提高了图像输出信号的动态范围；此外，本发明的像素单元具有消除工艺偏差的特点，有效提高了像素单元所输出的图像信号的一致性。
一种全局快门 cmos 像素单元图像采集方法

[发明专利]高动态CMOS像素单元及其信号采集方法-CN201611090274.X有效
发明人：段杰斌;温建新;任铮;皮常明;张小亮 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS像素单元及其信号采集方法，包括：感光二极管的阳极与电源的负极相连；强光处理电路与第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的源极相互连接，用于在感光二极管受到强光照射时，为电信号增加一个存储电容；列电流源的正极与第三NMOS关的漏极相连，并且作为高动态CMOS像素单元信号输出端，列电流源的负极与电源的负极相连；第一NMOS管的源极与感光二极管的阴极相连，用于导通感光二极管；第二NMOS管的源极与第一NMOS管的漏极相连，第二NMOS管的漏极与电源的正极相连，用于实现输出信号复位；第三NMOS管的源极与强光处理电路相连，用于实现每个像素单元与列输出端的选择性连接。
动态 cmos 像素单元及其信号采集方法

[发明专利]一种高速红外图像传感器读出电路-CN201611042106.3有效
发明人：段杰斌;袁庆;温建新;蒋宇 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速红外图像传感器读出电路，包括光生电压产生模块及输出驱动模块，光生电压产生模块用于将接收红外线照射时的红外感光单元的阻抗变化转换为光生电压变化，输出驱动模块用于向下一级输出光生电压。本发明的读出电路可以有效提高红外图像传感器的读出速度，并可以减小工艺变化对输出的影响，适于推广使用。
一种高速红外图像传感器读出电路

[实用新型]一种调整图像传感器像素排列的装置及系统-CN201821779749.0有效
发明人：叶红磊;王勇;叶红波;张悦强;蒋亮亮;王凯;姚清志;李赟晟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本实用新型提供一种调整图像传感器像素排列的装置及系统，所述图像传感器包括像素阵列，所述像素阵列包括沿行方向和列方向重复排列的多个像素组，每个像素组包括多个像素，每个像素组包括n种不同颜色的像素，n为大于等于3的整数，装置包括：n种光源，用于依次向所述图像传感器照射n种不同颜色的光；逻辑电路，用于根据n种不同颜色的光照射所述图像传感器后，所述图像传感器的像素阵列中各像素的像素值，确定n种不同颜色的像素在各所述像素组中的位置，并根据预设像素组中各像素的排列调整所述图像传感器输出的像素阵列中各像素的位置。本实用新型提供的装置及系统，可按预设像素组的像素排列调整图像传感器的像素排列。
像素像素组图像传感器像素阵列装置及系统调整图像本实用新型传感器像素像素排列预设重复排列光照射列方向传感器光源照射输出

[发明专利]3D全局像素单元及其制备方法-CN201610478591.2有效
发明人：赵宇航 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种3D全局像素单元及其制备方法，包括在第一硅衬底层上制作的感光单元和位于第二硅衬底层上制作的信号存储与读出电路；感光单元与信号存储与读出电路竖直方向上排布；通过第一电介质层和第二电介质层的连接、第一直接连接结构与第二直接连接结构的连接来实现感光单元与信号存储与读出电路的互连；本发明通过采用背照工艺和3D结构，在不同层面制作立体单元结构，可以实现信号存储与读出电路和感光二极管的垂直互连；从而不仅提高了外界与感光二极管的光通路，改善了信号存储电容的光隔离度，而且减小了像素单元所占用的芯片面积。
全局像素单元及其制备方法