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[发明专利]太阳能电池制作方法-CN201810750610.1有效
发明人：林刘毓;丘立安;刘浩哲;罗伯特·维斯 -专利权人： 成都先锋材料有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供的太阳能电池制作方法，涉及半导体技术领域。太阳能电池制作方法包括：提供一模具，该模具的支架具有N行M列共N*M个间隔呈矩阵分布的固定槽；在每一固定槽固定一衬底；在每一衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层；在每一阻挡层的上方位置的一面制作电极层；在每一电极层的上方位置的一面制作吸收层；在每一吸收层的上方位置的一面制作缓冲层，并对该缓冲层与对应的吸收层的导带能阶的差进行调节；在每一缓冲层的上方位置的一面制作高阻抗层；在每一高阻抗层的上方位置的一面制作低阻抗层；分离所述模具以得到N*M片太阳能电池。通过上述方法，可以改善通过现有的方法以制作太阳能电池而存在产率低的问题。
太阳能电池制作方法

[发明专利]太阳能电池制作方法-CN201810751918.8有效
发明人：林刘毓;丘立安;刘浩哲;罗伯特·维斯 -专利权人： 成都先锋材料有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提供的太阳能电池制作方法，涉及半导体技术领域。太阳能电池制作方法包括：提供一模具，该模具的支架具有N行M列共N*M个间隔呈矩阵分布的固定槽；针对每一固定槽，将一衬底固定于该固定槽；在每一衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层；在每一阻挡层的上方位置的一面制作电极层；在每一电极层的上方位置的一面制作吸收层；在每一吸收层的上方位置的一面制作缓冲层；在每一缓冲层的上方位置的一面制作高阻抗层；在每一高阻抗层的上方位置的一面制作低阻抗层；分离所述模具以得到N*M片太阳能电池。通过上述方法，可以改善通过现有的方法以制作太阳能电池而存在产率低的问题。
太阳能电池制作方法

[发明专利]一种薄膜、镀层、化合物靶材及其制作方法、应用-CN201911196565.0有效
发明人：李宗雨;丘立安 -专利权人： 成都先锋材料有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种薄膜、镀层、化合物靶材及其制作方法、应用，属于开关材料领域。本申请示例方案将硼和/或碳掺杂在硫族元素化合物中，以形成化合物。并且该化合物的X光衍射峰中，不存在碳化硼的衍射峰、也不存在硫族元素化合物的衍射峰。这样的化合物具有灵敏电压响应特性，可以被施加电压而从非导电态快速地转变为导电态。
一种薄膜镀层化合物及其制作方法应用

[发明专利]薄膜、太阳能电池及其制备方法和装置-CN202010328867.5有效
发明人：李宗雨;丘立安 -专利权人： 成都先锋材料有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种薄膜、太阳能电池及其制备方法和装置，属于太阳能电池领域。薄膜具有至少一个叠层单元，且每个叠层单元具有超晶格结构且包括叠置的下述层：铜铟镓硒层；在铜铟镓硒层之上的N型半导体层，所述N型半导体层的材质包括硫化镉、硒化铟或硫化铟；在硫化镉层之上的透明导电氧化物层。当超晶格薄膜具有两个以上的叠层单元时，相邻两个叠层单元之间以铜铟镓硒层与透明导电氧化物层相对贴合的欧姆接触的方式叠置。该薄膜可以用于形成高光电转换效率的太阳能电池。
薄膜太阳能电池及其制备方法装置

[发明专利]溅射靶材的绑定材料及绑定方法-CN201910571560.5有效
发明人：林刘毓;张力平;丘立安 -专利权人： 成都先锋材料有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射靶材的绑定材料，属于溅射镀膜技术领域。所述绑定材料为在硅胶中掺入碳纳米管形成CNT硅胶，加入导电分散剂后机械搅拌得到。本发明还提供绑定靶材的绑定方法，将绑定材料涂布在背板及靶材的结合面，使结合面相互接触并施以压力，在25℃～100℃温度下掺入碳纳米管的硅胶充分固化实现靶材的绑定。本发明将碳纳米管掺入到硅胶中，利用碳纳米管的导电、导热性能使原本不具导电且导热不佳的硅胶，变成导热且导电的硅胶，并将具备导电导热的硅胶用于靶材的绑定。采用本发明绑定材料，使平面靶、旋转靶、厚靶材、薄靶材、金属、非金属、氧化物陶瓷靶材及含硫族难绑定的靶材都可以得到稳定、安全、低温的绑定。
溅射绑定材料方法

[发明专利]一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法-CN201711414838.5有效
发明人：吴振兴;林刘毓;刘浩哲;吴绍懋;程子桓;翁良志;刘健群;丘立安;黃乾燿;戴体贤 -专利权人： 成都先锋材料有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法，属于影像传感器技术领域。一种CMOS影像传感封装结构的制作方法，包括：在第一绝缘层、晶圆形成的结合层形成盲孔，盲孔穿过第一绝缘层且孔底位于晶圆，第一绝缘层背离晶圆的表面具有微凸镜；将第二绝缘层形成于盲孔的孔壁，然后在具有第二绝缘层的盲孔内填充导电材料，将结合层内与微凸镜和IC信号连接的导线引至第一绝缘层的表面并与导电材料电性连接；将透明基材固定于第一绝缘层具有微凸镜的表面，将挡片晶片形成于透明基材的表面，然后对晶圆进行磨薄以使得盲孔内的导电材料露出。该方法能制作出厚度较薄的CMOS影像传感封装结构。
一种 cmos 影像传感封装结构及其制作方法

[发明专利]一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法-CN201711415006.5有效
发明人：吴振兴;林刘毓;刘浩哲;吴绍懋;程子桓;翁良志;刘健群;丘立安;黃乾燿;戴体贤 -专利权人： 成都先锋材料有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法，属于影像传感器技术领域。本发明的CMOS影像传感封装结构的制作方法的步骤中，先将透明基材固定于第一绝缘层具有微凸镜的表面，将挡片晶片固定于透明基材的表面，然后对晶圆进行磨薄，这个过程中，透明基材对晶圆起到更多的机械支撑力，因而能够将晶圆磨得更薄，CMOS影像传感封装结构具有薄型化的特点。另外，第二安装区具有保护胶层，保护胶层可以阻止氧气水汽进入内元件、吸收散漫光线，整个CMOS影像传感封装结构寿命更长，使用效果更好。并且，制作过程中透明基材是在半导体厂进行的，洁净度更高，可以避免对CMOS影像传感封装结构的污染。
一种 cmos 影像传感封装结构及其制作方法

[发明专利]一种生物活体影像监控系统-CN201711404811.8有效
发明人：刘健群;林刘毓;刘浩哲;吴绍懋;程子桓;吴振兴;翁良志;丘立安;黃乾燿;戴体贤 -专利权人： 成都先锋材料有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H04N5/33 文献下载
摘要：本发明实施例提出一种生物活体影像监控系统，涉及医疗设备技术领域。所述生物活体影像监控系统包括显示模组、处理器以及CIGS芯片，所述CIGS芯片、所述处理器以及所述显示模组电连接，所述CIGS芯片用于检测一生物活体的近红外光信号，并在检测到所述近红外光信号后生成电流信号，所述处理器用于依据所述电流信号后生成第一脉冲信号，所述显示模组用于依据所述第一脉冲信号进行影像显示。本发明提供的生物活体影像监控系统具有能够将皮下血管的影像同步传输至像是模组上进行显示，且影像更加清晰的优点。
一种生物活体影像监控系统

[发明专利]一种用于相变记忆体芯片的薄膜、开关材料及其制备方法-CN201710466606.8有效
发明人：李宗雨;丘立安 -专利权人： 成都先锋材料有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种用于相变记忆体芯片的薄膜、开关材料及其制备方法，属于材料领域。开关材料包括掺杂有碳纳米管的硫族元素化合物。通过引入碳纳米管，使得该材料的导热性能和导电性能明显改善，但又不改变其作为开关材料的I‑V曲线的特征。因此在该混合材料制成的靶材后续加工的过程中，其可加工性得到了极大的改进，良率和生产率得到了很大的提高，同时，由该种靶材溅射成的薄膜还保持着纳秒级开关材料的性能，用于制作以相变材料为基础的记忆体芯片。
一种用于相变记忆体芯片薄膜开关材料及其制备方法

[发明专利]太阳能电池制作方法-CN201810751281.2有效
发明人：林刘毓;丘立安;刘浩哲;罗伯特·维斯 -专利权人： 成都先锋材料有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供的太阳能电池制作方法，涉及半导体技术领域。方法包括：提供一模具，模具的支架具有N行M列共N*M个间隔呈矩阵分布的固定槽；在每一固定槽固定一衬底；在每一衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层；在每一阻挡层的上方位置的一面制作电极层；在每一电极层的上方位置的一面制作作为吸收层的铜铟镓硒材料层，制作该铜铟镓硒材料层的靶材中硒原子的含量为非化学计量的成分比；在每一吸收层的上方位置的一面制作缓冲层；在每一缓冲层的上方位置的一面制作高阻抗层；在每一高阻抗层的上方位置的一面制作低阻抗层；分离所述模具得到N*M片太阳能电池。通过上述方法，可以改善通过现有的方法以制作太阳能电池而存在产率低的问题。
制作上方位置太阳能电池模具高阻抗层铜铟镓硒材料层电极层固定槽缓冲层吸收层阻挡层衬底半导体技术领域非化学计量低阻抗层矩阵分布保护层成分比硒原子靶材产率支架

[发明专利]太阳能电池制作方法-CN201810751928.1有效
发明人：林刘毓;丘立安;刘浩哲;罗伯特·维斯 -专利权人： 成都先锋材料有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供的太阳能电池制作方法，涉及半导体技术领域。太阳能电池制作方法包括：提供一模具，该模具的支架具有N行M列共N*M个间隔呈矩阵分布的固定槽；针对每一固定槽，将一衬底固定于该固定槽；在每一衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层；在每一阻挡层的上方位置的一面制作电极层；在每一电极层的上方位置的一面制作吸收层；在每一吸收层的上方位置的一面制作缓冲层；在每一缓冲层的上方位置的一面制作高阻抗层；在每一高阻抗层的上方位置的一面制作低阻抗层；分离所述模具以得到N*M片太阳能电池。通过上述方法，可以改善通过现有的方法以制作太阳能电池而存在产率低的问题。
制作太阳能电池上方位置固定槽模具高阻抗层电极层缓冲层吸收层阻挡层衬底半导体技术领域低阻抗层矩阵分布保护层产率支架

[发明专利]太阳能电池制作方法-CN201810751270.4在审
发明人：林刘毓;丘立安;刘浩哲;罗伯特·维斯 -专利权人： 成都先锋材料有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供的太阳能电池制作方法，涉及半导体技术领域。方法包括：对位于柔性基板的一面的电极层进行激光切割处理以得到多个间隔设置的背电极；对制作的高阻抗层、缓冲层和吸收层进行第一机械切割处理以形成多个间隔区域；对制作的低阻抗层、高阻抗层、缓冲层和吸收层进行第二机械切割处理以得到多个电池单元。在任意相邻两个电池单元中一个电池单元的低阻抗层通过对应的间隔区域与另一个电池单元的背电极接触设置，以使相邻两个电池单元串联连接。通过上述设置，可以改善通过现有技术制备的太阳能电池存在制造成本、使用寿命低的问题。
太阳能电池电池单元低阻抗层高阻抗层机械切割间隔区域背电极缓冲层吸收层制作半导体技术领域电池单元串联多个电池激光切割间隔设置接触设置柔性基板使用寿命制造成本电极层制备

[实用新型]影像传感器芯片、影像传感器以及生物活体影像监控系统-CN201721826842.8有效
发明人：林刘毓;刘健群;刘浩哲;程子桓;吴振兴;翁良志;黃乾燿;丘立安;吴绍懋;戴体贤 -专利权人： 成都先锋材料有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种影像传感器芯片、影像传感器以及生物活体影像监控系统。影像传感器芯片，包括芯片层和像敏单元阵列，像敏单元阵列形成于芯片层上且与芯片层电性连接，每个像敏单元包括：钼电极，形成于芯片层顶面的绝缘材料层上；p型铜铟镓硒层，形成于钼电极上；缓冲层，形成于铜铟镓硒层上；本征氧化锌i‑ZnO层，形成于缓冲层上；导电透明层，形成于i‑ZnO层上；以及微透镜，形成于导电透明层上；其中，钼电极通过钨通孔与芯片层电性连接。影像传感器芯片、影像传感器以及生物活体影像监控系统，能够在近红外光环境下取影像。可以应用在侦测皮肤底层血管。
芯片层影像传感器芯片影像监控系统影像传感器生物活体钼电极导电透明层铜铟镓硒层单元阵列电性连接缓冲层本实用新型本征氧化锌绝缘材料层近红外光微透镜钨通孔侦测影像皮肤血管应用

[实用新型]一种CMOS传感器封装结构及其器件-CN201721826749.7有效
发明人：吴振兴;林刘毓;刘浩哲;吴绍懋;程子桓;蔡希杰;宋身修;翁良志;刘健群;王逸群;潘宇翔;丘立安;黃乾燿 -专利权人： 成都先锋材料有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种CMOS传感器封装结构及其器件，其主要涉及影像传感器技术领域。该CMOS传感器封装结构通过设置用于密封第一封装结构裸露面的塑封体，使得CMOS传感器封装结构具备较低的加工成本和较佳的封装密封性；另外，该CMOS传感器封装结构对应的封装方法通过最先对CMOS影像感测器晶圆进行透光板的贴合，使得CMOS传感器的后续封装过程中无需高无尘度的制造环境，大大降低了封装过程中的设备及能耗成本。因此，上述的CMOS传感器封装结构及包含有上述CMOS传感器封装结构的CMOS传感器器件，具备良好的封装密封性能和较低的加工制造成本，其有利于企业在降低生产成本的同时，提高产品品质，故其具备重要的推广应用价值。
封装结构封装过程加工制造成本封装密封性影像传感器影像感测器产品品质封装密封能耗成本制造环境塑封体透光板封装晶圆贴合无尘密封裸露加工

[发明专利]3D深度图获取方法及装置-CN201711407809.6在审
发明人：刘浩哲;林刘毓;翁良志;程子桓;吴振兴;刘健群;黃乾燿;丘立安;吴绍懋;戴体贤 -专利权人： 成都先锋材料有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H04N13/207 文献下载
摘要：本发明提供一种3D深度图获取方法及装置。所述方法应用于图像采集设备。所述设备包括VIS‑NIR影像传感器及红外线结构光投影组件。VIS‑NIR影像传感器上包括多个点阵单元，每个点阵单元上分布有蓝光感光组件、绿光感光组件、红光感光组件及NIR感光组件。所述方法包括：控制蓝光感光组件、绿光感光组件、红光感光组件及NIR感光组件及红外线结构光投影组件的工作状态，以获得最佳NIR图像及最佳VIS图像；对最佳VIS图像及利用3D深度模式运算最佳NIR图像得到的深度图像进行处理，得到3D深度图。由此，不需要单独配置红外摄像头，就可以获得NIR图像，进而得到3D深度图。
感光组件红外线结构光深度图获取影像传感器点阵单元投影组件深度图红光蓝光绿光图像采集设备图像红外摄像头单独配置深度模式深度图像运算

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