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[发明专利]一种半导体集成电路用光刻胶稀释剂及其制备方法-CN202310200616.2在审
发明人：何珂;戈烨铭 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体集成电路用光刻胶稀释剂及其制备方法。属于集成电路技术领域。由以下原料按重量份制备而成：正丁基缩水甘油醚10‑15份、丙二醇单硬脂酸酯7‑12份、1,4‑丁内酯3‑5份、丙酮20‑25份、甲基丙烯酸甲酯2‑4份、多元醇7‑12份。本发明各组分组合的稀释剂对大部分的光刻胶具有优异的溶解特性和适当的挥发性，在较短时间内可以有效去除在边缘光刻胶去除工序等中粘附的多余的光刻胶，并且还可以应用于半导体基板的预湿工艺等，少量光刻胶也能有效形成感光膜。
一种半导体集成电路用光稀释剂及其制备方法

[发明专利]一种集成电路用去胶液及其制备方法-CN202310200614.3在审
发明人：袁晓雷;戈烨铭 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提出了一种集成电路用去胶液及其制备方法，属于集成电路技术领域。由以下原料制备而成：苯类溶剂20‑25份、丙烯酸酯类溶剂12‑15份、多元醇7‑12份、醚类溶剂5‑10份和氯仿12‑15份。本发明集成电路用去胶液对各种类型的光刻胶具有优异的溶解效果，且毒性低，具有适当的挥发性，在较短时间内可以有效去除在边缘光刻胶去除工序等中粘附的多余的光刻胶，原料来源广，制备方法简单，对光刻胶的去除效果好，且毒性低，多元醇具有较高的沸点，使得去胶液的挥发性减小，对环境的影响较低。
一种集成电路用去胶液及其制备方法

[发明专利]一种集成电路用钛钨腐蚀液及其制备方法-CN202310173364.9在审
发明人： 戈烨铭;何珂 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明提出了一种集成电路用钛钨腐蚀液及其制备方法，属于集成电路技术领域，由以下原料按重量份制备而成：硝酸5‑10份、硫酸3‑7份、磷酸15‑20份、聚多巴胺‑壳聚糖络合稳定剂3‑5份、表面活性剂1‑2份、水40‑50份。本发明中集成电路用钛钨腐蚀液能够有效的对钛钨合金进行刻蚀，有效分解钛钨表面的金属层，提高刻蚀效率，对金属层腐蚀均匀彻底、性能稳定、使用寿命长，腐蚀后残余液易冲洗无残留。
一种集成电路用钛钨腐蚀及其制备方法

[发明专利]一种显示器用低张力铝腐蚀液及其制备方法-CN202310173368.7在审
发明人： 戈烨铭;何珂;郑武 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23F1/20 文献下载
摘要：本发明提出了一种显示器用低张力铝腐蚀液及其制备方法，属于腐蚀液技术领域，包括以下原料：磷酸、硝酸、硫酸、乙酸、稳定剂、表面活性剂、水；所述稳定剂的制备方法如下：S1.将海藻酸钠溶于水后，滴加氯化钙溶液，乳化，得到纳米球；S2.将纳米球加入乙醇溶液中，加入硅烷偶联剂，加热搅拌反应，得到双键改性纳米球；S3.将双键改性纳米球、甲基丙烯酸二甲胺基乙酯和引发剂混合，加热搅拌反应，离心，过滤，洗涤，得到改性纳米球；S4.将改性纳米球加入有机溶剂中，加入碱和烷基氯代烃，加热搅拌反应，离心，过滤，洗涤，干燥，得到稳定剂。与现有铝腐蚀液相比，对金属铝蚀刻速率高，反应稳定，无残留，基本无侧蚀现象，具有广阔的应用前景。
一种显示器用张力腐蚀及其制备方法

[发明专利]一种电子级氢氧化钾的制备工艺-CN202110708886.5有效
发明人： 戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C01D3/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子级氢氧化钾的制备工艺，包括依次且连续进行的如下步骤：将氯化钾水溶液以恒定流速依次通过第一螯合树脂、第二螯合树脂进行吸附得到氯化钾高纯溶液，后浓缩得氯化钾晶体，将氯化钾晶体中加入纯水溶解，溶解后经双极膜电渗析系统处理后得到低浓度氢氧化钾溶液，最后加热浓缩得到电子级氢氧化钾。本发明的电子级氢氧化钾的制备工艺可使金属阳离子Fe2+,Ca2+,Mg2+,Ni2+,Zn2+≤100ppb,Na+≤50ppm，且该制备工艺简单易操作，可连续大规模生产高浓度高纯度电子级氢氧化钾。
一种电子氢氧化钾制备工艺

[发明专利]一种集成电路用氧化硅减薄液及其制备方法-CN202310173381.2在审
发明人：何珂;戈烨铭;白雪 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种集成电路用氧化硅减薄液及其制备方法，属于集成电路技术领域。由以下原料按重量份制备而成：聚乙烯醇季铵盐稳定剂5‑10份、氢氟酸10‑20份、硫酸5‑10份、硝酸5‑10份、表面活性剂3‑5份和水50‑90份。本发明集成电路用氧化硅减薄液的利用率的提高，废液产生量显著减少，处理简单，且制备方法简单，安全环保，工作效率高，具有广阔的应用前景。
一种集成电路氧化硅减薄液及其制备方法

[发明专利]集成电路用硅表面碱性清洗剂-CN202310163005.5在审
发明人： 戈烨铭;何珂 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C11D1/66 文献下载
摘要：本发明公开了集成电路用硅表面碱性清洗剂，以下重量份原料组成：水100份，螯合剂0.01‑4份，防腐剂0.06‑0.1份，缓蚀剂1‑4份，表面活性剂0.8‑1份；防腐剂的制备工艺包括以下步骤：将1,3‑二甲基丁胺和羟甲基海因加入含有催化剂Ag2CO3的去离子水中，并在100℃的油浴环境下反应，并不断揽拌，反应3‑6h；反应结束后，冷却，对反应物减压过滤，得到的固体产物用蒸溜水洗涂数次，放入45℃真空干燥箱干燥2‑6h，从而得到防腐剂，本发明清除液中的防老剂还兼具着很好的抗菌性能，抑制细菌在清除液内滋生，进一步提高清除液的使用寿命。
集成电路表面碱性洗剂

[发明专利]一种面板行业用银制程蚀刻液及其制备方法-CN202310173371.9在审
发明人：何珂;戈烨铭;白雪 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明提出了一种面板行业用银制程蚀刻液及其制备方法，属于集成电路技术领域。由以下原料按重量份制备而成：磷酸30‑50份、硝酸2‑10份、柠檬酸10‑12份、离子液体组合物3‑7份、唑类组合物0.1‑10份和去离子水20‑40份。本发明面板行业用银制程蚀刻液制备方法简单，原料来源广，刻蚀效果好，对布线或电极的损坏较少，具有广阔的应用前景。
一种面板行业用银制程蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种柔性面板用光刻胶清洗剂及其生产工艺-CN202110646419.4有效
发明人：汤晓春;何珂;戈烨铭 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性面板用光刻胶清洗剂及其生产工艺，属于清洗剂技术领域。其本发明提供的柔性面板用光刻胶清洗剂包括以下重量百分比的组分：1.5‑9.5％季铵氢氧化物、0.5‑16.5％水、4.5‑21.5％异丙二醇单苄基醚、0.5‑5.5％缓蚀剂，余量为有机溶剂。且本发明利用了4‑羟基丁酸、二乙烯三胺、苄氯、肉桂醛和γ‑(2,3‑环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷逐步反应生成缓蚀剂，并在季铵氢氧化物光刻胶清洗剂中引入了该缓蚀剂，因该缓蚀剂中的硅氧烷链和曼妮希碱、苯环、咪唑啉的结构特性，使得其极易在铜箔或铝箔表面形成致密的保护膜，避免了季铵氢氧化物对铜箔或铝箔的腐蚀，且对光刻胶高效清洗。
一种柔性面板用光刻胶清洗剂及其生产工艺

[实用新型]一种金属碱性蚀刻液的生产设备-CN202223483398.8有效
发明人：何珂;戈烨铭;白雪 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B65B3/32 文献下载
摘要：本实用新型提出一种金属碱性蚀刻液的生产设备，包括蚀刻液储存罐体，所述蚀刻液储存罐体的底部设有外筒座，外筒座内部一体成型有定量出料内筒体，定量出料内筒体底部配合插接有垂直设置的出液插管。本实用新型在进行灌装出料时，控制电磁液压伸缩件的伸缩杆向下延伸，驱使出液插管向下移动，直至出液插管顶部的出液活塞配合入定量出料内筒体中，随着出液活塞在定量出料内筒体中下压，将定量出料内筒体内部蚀刻液沿进液口挤入出液插管中，随着定量出料内筒体液压升高，直至压力大于压力弹簧的弹力，蚀刻液即可被挤出出料，避免蚀刻液溢出而造成浪费，灌装出料迅速便捷。
一种金属碱性蚀刻生产设备

[发明专利]一种TFT行业用硫酸系ITO刻蚀液-CN202110646435.3有效
发明人： 戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一TFT行业用硫酸系I TO刻蚀液，属于液晶显示器薄膜晶体管行业电子化学品技术领域，包括以下质量百分比的原料：硝酸14‑17％、硫酸4‑6％、醋酸9‑11％、表面活性剂0.01‑0.05％、助剂0.05‑0.1％，余量为纯水；本发明还公开了该刻蚀液的制备方法，步骤如下：将表面活性剂和助剂进行搅拌混合，得到复配混合物；先加入2/3的纯水至配料罐，再加入硫酸、硝酸和醋酸，混合20mi n得到混合液；然后加入复配混合物，搅拌30mi n，加入剩余的纯水，搅拌1‑2h，通入过滤器中过滤，滤液即为TFT行业用硫酸系I TO蚀刻液；本发明还制备了一种助剂，能够增加刻蚀液的光稳定性、润湿性以及渗透性。
一种 tft 行业硫酸 ito 刻蚀

[发明专利]一种集成电路用铜钛腐蚀液及其生产工艺-CN202110646431.5有效
发明人： 戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路用铜钛腐蚀液，属于微电子化学试剂技术领域，包括以下质量百分比的原料：硫酸10‑19％、硝酸5‑8％、乙酸28‑33％、过硫酸钾2‑5％、双氧水2‑4％、吸附剂0.05‑0.1％，余量为纯水；本发明还公开了该腐蚀液的生产工艺；本发明的腐蚀液对铜钛复合金属层腐蚀均匀、性能稳定，由于吸附剂的加入，可以净化腐蚀液，减少腐蚀废液的产生，增加腐蚀液的使用寿命，且该腐蚀液不含氟，不会腐蚀硅材基材、氮化硅与非结晶硅，同时兼顾产品良率、安全与环保，并降低重工后发生缺陷的风险，可在制备集成电路行业、平面显示器、彩色滤光片、触控式面板、有机发光二极管等领域中广泛应用。
一种集成电路用铜钛腐蚀及其生产工艺

[发明专利]一种集成电路用低张力高选择性氧化硅蚀刻液及其制备方法-CN202211653629.7在审
发明人： 戈烨铭;何珂;郑武 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C09K13/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路用低张力高选择性氧化硅蚀刻液，其包含氟化氢、氟化氢铵、有机硼烷化合物、阴离子表面活性剂、pH调节剂和水，其中所述蚀刻液的pH为3‑4。
一种集成电路张力选择性氧化蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液及其制备方法-CN202211621245.7在审
发明人：何珂;戈烨铭;白雪 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液，其包含硝酸、亚硝酸盐、氟化氢铵、含脲基和吡啶鎓母环的四氟硼酸盐或含脲基和咪唑鎓的四氟硼酸盐、硅化合物、表面活性剂，余量为去离子水。还提供了制备所述集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液的方法。
一种集成电路张力选择性蚀刻及其制备方法

[实用新型]一种铬金属蚀刻液的制备装置-CN202223121166.8有效
发明人：袁晓雷;戈烨铭;汤晓春 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型提出一种铬金属蚀刻液的制备装置，包括反应釜体，所述反应釜体包括呈水平横置的釜主体，釜主体的两端分别密封连接有第一封盖和第二封盖，釜主体与反应釜内衬之间夹层设置有电加热板，釜主体内部开设有多道回热气道，釜主体的底部一体成型有集气室，集气室一侧的导气接口连接有排气泵机，排气泵机连接有进液回热装置。本实用新型沿第一进料口加入蚀刻液的原液，经由回热罐内部的换热腔，最后沿第二进料口进入到反应釜体内部，而高温废气经由排气泵机抽取出后经过换热芯，经过换热芯中的换热管时对换热腔内的蚀刻液原液进行预加热，有效对废气余热进行回收，减少原液在反应釜体内部加热的时间。
一种金属蚀刻制备装置

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