“志村昌洋”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体存储装置-CN202111023496.0在审
发明人： 志村昌洋;吉田毅 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本公开涉及半导体存储装置。半导体存储装置具备基板、在与基板的表面交叉的第1方向上排列的多个第1导电层、在第1方向上延伸且与多个第1导电层相对的半导体层、设置于多个第1导电层与半导体层之间的栅极绝缘膜及在第1方向上延伸的第1电阻元件。第1电阻元件的第1方向上的一端比多个第1导电层的至少一部分距基板近。第1电阻元件的第1方向上的另一端比多个第1导电层距基板远。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110841094.5在审
发明人：野口充宏;志村昌洋 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置包括：第一导电类型的第一阱，其设置于第一导电类型的半导体基板；第二导电类型的第二阱，其将半导体基板与第一阱电隔离；以及绝缘栅型场效应晶体管。第二阱包括将包围第一阱的侧面的周围的第一部分、与覆盖第一阱的底部的第二部分的侧面连结起来的结构。绝缘栅型场效应晶体管具有形成于第一阱的第一主电极和第二主电极、以及经由栅极绝缘膜而与第一阱相对的栅极。与半导体基板相接的第一部分的底面的位置，比与半导体基板相接的第二部分的底面的位置浅。绝缘栅型场效应晶体管的第一主电极或第二主电极，与存储单元晶体管的栅极连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201910739340.9在审
发明人： 志村昌洋;野口充宏 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：根据一实施方式，半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层(10)，设定为第1电位；第2导电型的第2半导体层(20)，积层在第1半导体层(10)，且设定为第2电位；层间绝缘膜(40)，配置在第2半导体层(20)的主面；电阻体(30)，介隔第2半导体层(20)及层间绝缘膜(40)配置在第1半导体层(10)的上方；以及电源端子(50)，与第2半导体层(20)电连接。
半导体装置

[发明专利]电压可变型存储元件及半导体存储装置-CN201910795521.3在审
发明人：末山敬雄;金田圭子;志村昌洋;川崎佳织 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及一种电压可变型存储元件及半导体存储装置。实施方式的电压可变型存储元件是由电极、将信息以电荷形式累积的电荷累积层、以及半导体配线介存层间绝缘膜而积层形成，与电荷累积层对向的半导体配线的区域的电阻值根据从电极供给并累积在电荷累积层中的电位的高低而可变，使穿过半导体配线的读出信号的电压值根据电阻值变化。进而，实施方式构成半导体存储装置，所述半导体存储装置具备配置电压可变型存储元件作为存储单元的存储单元阵列。
电压变型存储元件半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201510098177.4有效
发明人：小野升太郎;浦秀幸;志村昌洋;山下浩明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置包括第一半导体区域、多个第二半导体区域、多个第三半导体区域、多个第四半导体区域、第五半导体区域、以及栅极电极。第二半导体区域具有比第一半导体区域的第一导电型的杂质浓度高的第一导电型的杂质浓度。第三半导体区域包含第一部分、以及第二部分。第一部分设置在相邻的第二半导体区域之间。第一部分的第二导电型的杂质量比相邻的第二半导体区域所含有的第一导电型的杂质量大。第二部分设置在第一半导体区域中。第二部分的第二导电型的杂质量比相邻的第一半导体区域所含有的第一导电型的杂质量小。
半导体区域导电型半导体装置质量比栅极电极

[发明专利]半导体装置-CN201510553436.8无效
发明人：山下浩明;小野升太郎;浦秀幸;志村昌洋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具有第一导电型的第一半导体层、第二导电型的多个第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、栅极电极、绝缘层、以及第一电极。第一半导体层具有多个第一半导体区域。各个第二半导体区域设置在第一半导体区域彼此之间。第三半导体区域设置在第二半导体区域上。第四半导体区域设置在第三半导体区域上。绝缘层设置在栅极电极与第三半导体区域之间。第一电极具有第一部分与第二部分。第一部分连接于第一半导体区域。第二部分相对于第一部分设置在第四半导体区域侧。第一电极设置在第一半导体区域上及第二半导体区域上。第一电极设置在第四半导体区域的周围。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201510553381.0在审
发明人：山下浩明;小野升太郎;浦秀幸;志村昌洋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域及栅极电极。第1半导体区域沿第1方向延伸。第1半导体区域在与第1方向正交的第2方向设置有多个。第1半导体区域与第2半导体区域在第2方向交替地设置。第3半导体区域设置于第2半导体区域上。第3半导体区域的第2导电型的杂质浓度高于第2半导体区域的第2导电型的杂质浓度。栅极电极沿与包含第1方向及第2方向的面平行且与第1方向交叉的第3方向延伸。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的测定装置-CN201410074621.4在审
发明人： 志村昌洋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的测定装置。根据一个实施方式，半导体测定装置具备：第1读出端子，与半导体装置的第1面中设置的第1电极电连接；第1加力端子，与半导体装置的第1电极电连接；第2读出端子，与半导体装置的与第1面相反一侧的第2面中设置的第2电极电连接；以及第2加力端子，与半导体装置的第2电极电连接。在第2读出端子的周围各配置了多个第2加力端子。
半导体装置测定

[发明专利]半导体装置及功率半导体装置-CN201110278583.0无效
发明人：齐藤泰仁;志村昌洋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置及功率半导体装置，该半导体装置包括：基台；半导体元件，安装在所述基台上；电极端子，与基台相隔开地设置；连接构件，将半导体元件与电极端子连接；及接合件。连接构件中，在与半导体元件连接的一端部设置着多个贯通孔。另外，接合件介于半导体元件与连接构件之间，并且进入至多个贯通孔内。
半导体装置功率

1
共 9 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top