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[发明专利]具有氮末端缺失和内质网滞留标签的改性P450还原酶-CN201480069690.4在审
发明人： B·乔杜里 -专利权人： 德蒙特福特大学
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C12N9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种分离的或重组的多肽，该多肽包括相对于相应的野生型P450还原酶缺少N末端氨基酸的改性P450还原酶，并且包括含有序列HDEL或KDEL的表位标签，或者由其组成。相比于与野生型P450还原酶共表达时的细胞色素P450的活性和/或表达，当与细胞色素P450共表达时，所述改性P450还原酶提高细胞色素P450的活性和/或表达。
具有末端缺失内质网滞留标签改性 p450 还原酶

[发明专利]用于分析电传导对象的结构的方法-CN200880025604.4无效
发明人：王伟 -专利权人： 德蒙特福特大学
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： A61B5/053 文献下载
摘要：一种用于分析电传导对象的结构的方法，该方法包括以下步骤：(i)在频率范围内获得对象的电阻抗数据；(ii)使用假定电模型的传递函数来分析获得的电阻抗数据以确定对象的多个电阻抗性质；(iii)构造性地组合确定的多个电阻抗性质中的所选电阻抗性质以提供对象的至少一个参数阻抗值；以及(iii)对一个或者多个确定的参数阻抗值进行成像。
用于分析传导对象结构方法

[发明专利]用于进行电阻抗成像的设备和方法-CN200780021865.4无效
发明人：王伟;M·唐 -专利权人： 德蒙特福特大学
申请日： 2007-03-16 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： A61B5/053 文献下载
摘要：一种用于对物体(12)进行电阻抗成像的设备(10)包括第一和第二电极装置(14、16)，所述第一装置与所述第二电极装置间隔开来以便在其间限定出成像区域(24)。要被成像的物体(12)在使用过程中可位于所述成像区域(24)中，从而使得可使用所述第一和第二电极装置(14、16)从所述物体(12)上收集阻抗数据以便允许构建出所述物体(12)的阻抗图像。
用于进行阻抗成像设备方法

[发明专利]双极金属氧化物半导体场效应晶体管器件-CN00812676.3有效
发明人：桑卡拉·那拉亚男·埃卡耐斯·麦达塞尔 -专利权人： 德蒙特福特大学
申请日： 2000-09-07 - 公布日： 2002-10-09 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件包括至少一个单元,该单元包括一个第一种导电型的基区(32),在其中至少配置了一个第二种导电型的发射区(36a、36b);一个第二种导电型的第一个阱区(22);一个第一种导电型的第二个阱区(2a);一个第二种导电型的漂移区(24);一个第一种导电型的集电区(14);一个集电极接点(16),其中每一个单元放置在第一个阱区(22)中,而第一个阱区(22)放置在第二个阱区(20)中;该器件还包括第一个栅极(61),安置在基区(32)上,以使一个MOSFET沟道可以在发射区(36a、36b)和第一个阱区(22)之间形成;该器件还包括第二个栅极,安置在第二个阱区(20)之上,以使一个MOSFET沟道可以在第一个阱区(22)和漂移区(24)之间形成。
金属氧化物半导体场效应晶体管器件