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- [发明专利]用于多芯片传感器系统的集线器-CN202310070030.9在审
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S·伐文达拉扬;M·莫迪
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德州仪器公司
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2023-02-06
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2023-08-11
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G06F15/78
- 本公开涉及用于多芯片传感器系统的集线器。提出一种集成电路[340]。所述集成电路[340]具有一组传感器输入接口[301、302]及输出接口[360、361]。所述集成电路[340]进一步具有含第一[351]及第二[352]存储器位置的存储器[350]。所述集成电路[340]进一步具有多芯片集线器模块，其具有含实时[311]及非实时[312]缓冲器两者的事务缓冲器[310]。所述多芯片集线器模块具有上下文映射器[330]、重新格式化模块[331]及错误处置模块[334]。所述上下文映射器[330]经配置以将数据映射到所述第一[351]或第二[352]存储器位置。所述多芯片集线器模块经配置以通过所述模块处理数据且将经处理数据提供到所述输出接口[360、361]。
- 用于芯片传感器系统集线器
- [发明专利]设备置备-CN202180083629.5在审
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Y·阿尔珀特;S·埃尔加维;B·谢尔谢斯
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德州仪器公司
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2021-12-13
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2023-08-08
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H04W12/06
- 一种网络设备(104)包括无线收发器(120)，所述无线收发器被配置为与网络网关(112)建立双向通信信道。网络设备(104)还包括可见光通信(VLC)接口(124)，所述可见光通信接口被配置为与用于网络网关(112)的配置器(136)建立可见光通信信道(128)。网络设备(104)进一步包括控制器(132)，所述控制器被配置为与配置器(136)一起操作以针对网络网关(112)执行网络设备(104)的带外(OOB)置备，其中，在可见光通信信道(128)上传送的数据包括与使用设备置备协议(DPP)向网络网关(112)引导置备网络设备(104)有关的一部分信息。
- 设备置备
- [发明专利]用于集成电路失效保护熔丝封装的方法及设备-CN201711452772.9有效
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B·J·马莱;史蒂夫·库默尔;B·S·库克
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德州仪器公司
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2017-12-27
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2023-08-08
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H01L23/525
- 本发明涉及用于集成电路失效保护熔丝封装的方法及设备。在所描述的实例中，一种设备(图1A，100)包含：集成电路裸片(116)，其具有多个端子；所述集成电路裸片(116)位于具有用于外部连接的引线(112)的引线框的裸片垫部分(118)上，所述引线(112)中的至少一些具有电耦合到所述集成电路裸片(116)的至少一个端子的内部部分；熔丝元件(120)，其耦合在所述引线框(112)的所述引线中的一者与从所述集成电路裸片(116)的所述多个端子选择的至少一个端子之间；及囊封材料(110)，其围绕所述集成电路裸片及所述引线框以形成包含所述集成电路裸片及所述熔丝元件的封装集成电路，且在所述囊封材料中具有围绕所述熔丝元件(120)的腔体(122)使得所述熔丝元件与所述囊封材料间隔开。
- 用于集成电路失效保护封装方法设备
- [发明专利]用于模/数转换器的经减小噪声动态比较器-CN201880070310.7有效
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A·K·孔杜;S·高希;J·赛斯阿拉曼
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德州仪器公司
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2018-12-11
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2023-08-04
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H03K5/22
- 一种比较器电路(300)包含：第一晶体管(MP1)，其经配置以接收第一输入(Vinp)；及第二晶体管(MP2)，其经配置以接收第二输入(Vinm)。所述比较器电路(300)进一步包含第三晶体管(MP0)，其耦合到所述第一及第二晶体管(MP1、MP2)中的每一者的端子。所述第三晶体管(MN0)经配置以由第一控制信号(CLK)控制。第五晶体管(MN1)的栅极在第一节点(305)处耦合到第四晶体管(MN0)的端子，且所述第四晶体管(MN0)的栅极在第二节点(315)处耦合到所述第五晶体管(MN1)的端子。第六晶体管(MP1c)耦合于所述第一与第四晶体管(MP1、MN0)之间。第七晶体管(MP2c)耦合于所述第二与第五晶体管(MN2、MN1)之间。所述第六晶体管(MP1c)的栅极及所述第七晶体管(MP2c)的栅极以固定电压电平(AVSS)耦合在一起。
- 用于转换器减小噪声动态比较
- [发明专利]具有单独可选元素及成组复制的流式传输引擎-CN202310618020.4在审
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J·兹比奇克
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德州仪器公司
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2017-12-29
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2023-08-01
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G06F9/38
- 本申请涉及具有单独可选元素及成组复制的流式传输引擎。一种在数字数据处理器中使用的流式传输引擎(2800)指定由多个嵌套循环限定的固定只读数据流。地址产生器(2811、2821)产生数据元素的地址。流磁头寄存器(2818、2828)存储接着将供应到功能单元的数据元素以用作操作数。元素复制单元以指令指定次数任选地复制数据元素。向量掩模单元将从所述元素复制单元接收到的数据元素限于指令指定的向量长度内的最低有效位。如果所述向量长度小于流磁头寄存器大小，那么所述向量掩模单元将所有0存储于所述流磁头寄存器的过量通路中(停用成组复制)或将所述最低有效位的复制副本存储于所述流磁头寄存器(2818、2828)的过量通路中。
- 具有单独可选元素成组复制传输引擎
- [发明专利]半导体装置的隔离-CN202310037534.0在审
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庄名叶
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德州仪器公司
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2023-01-09
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2023-08-01
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H01L29/06
- 本公开大体上涉及形成在半导体衬底中的半导体装置的隔离。在实例中，半导体装置(100)包含漂移阱(124)、漏极区(172)、第一掺杂剂隔离区(145)及第二掺杂剂隔离区(113)。所述漂移阱(124)、漏极区(172)、第一掺杂剂隔离区(145)及第二掺杂剂隔离区(113)安置在半导体衬底(102)中。所述漂移阱(124)、漏极区(172)及第二掺杂剂隔离区(113)掺杂有第一掺杂剂导电类型。所述第一掺杂剂隔离区(145)掺杂有与所述第一掺杂剂导电类型相反的第二掺杂剂导电类型。所述漏极区(172)安置在所述漂移阱(124)内。所述第一掺杂剂隔离区(145)限定所述漏极区(172)。所述第一掺杂剂隔离区(145)是电浮动节点。所述第二掺杂剂隔离区(113)限定所述第一掺杂剂隔离区(145)。
- 半导体装置隔离
- [发明专利]具有整体散热片的半导体装置封装-CN202310031858.3在审
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金光琇;金宇灿;V·阿罗拉;肯·范
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德州仪器公司
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2023-01-10
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2023-08-01
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H01L23/367
- 所描述实例(图1C，100)包含：散热片(105)，其具有板侧表面及相对顶侧表面；封装衬底(109)，其安装到所述散热片，所述封装衬底包含在所述散热片的所述板侧表面之上延伸的悬垂引线，所述封装衬底具有包含沿着裸片安装区域的一个侧延伸的下移轨(121)的下移部分；至少一个半导体装置(115)，其具有安装到所述散热片的所述板侧表面的背侧表面；电连接(118、119)，其将所述半导体装置的接合垫耦合到所述封装衬底的所述悬垂引线及所述下移轨；以及模制化合物(103)，其覆盖所述至少一个半导体装置、所述电连接、所述引线的一部分及所述散热片的所述板侧表面，所述顶侧表面(106)从所述模制化合物至少部分暴露。
- 具有整体散热片半导体装置封装
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