“德尔塔蒂研究财团”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]热电发电机-CN201680062102.3有效
发明人：达尼洛·马斯科洛;安东涅塔·布欧希奥罗;朱塞佩·拉泰沙;朱塞佩·加玛瑞诺;马尔科·朱斯蒂;伊塔洛·吉森 -专利权人： 德尔塔蒂研究财团
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：一种具有基座硅晶片和覆盖硅晶片的紧凑尺寸的热电发电机，具有被构造成用于提高热能到电能的转化效率的简单结构，使得由于每单位表面的热量大于现有技术设备薄膜而也有可能转换为电流，其中覆盖硅晶片面对所述基座硅晶片，使得相应顶部触点接触并且覆盖硅晶片和基座硅晶片之间的空间是形成真空的空间或者存在气体，特别是空气的空间。
热电发电机

[发明专利]一种集成热电发电机-CN201580052847.7有效
发明人：达尼洛·马斯科洛;朱塞佩·拉泰沙;西蒙尼·狄·马尔科;马尔科·朱斯蒂 -专利权人： 德尔塔蒂研究财团
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L35/30 文献下载
摘要：在3D集成热电发电机(iTEG)的基板晶片上的集成Z‑器件结构的晶方可以三维异质集成模式、在没有或具有中介层晶片晶方的情况下进行堆叠，从而在它们之间进行相干热耦合。与谷底金属接头触点几何投影对应的穿过集成Z‑器件结构晶方的基板的半导体晶体厚度的穿通硅通孔(TSV)洞，以及与耦合Z‑器件结构的山顶金属接头触点几何投影对应的穿过中介层晶方的半导体晶体厚度的穿通硅通孔(TSV)洞具有铜或其它良好的热导体填充物，形成穿过堆叠的Z‑器件结构的低热阻热传导路径。热电生成的电流从在平面外热通量构造中操作的多层iTEG中的每个集成Z‑器件进行收集。
具有内部空隙热传导路径调节平面通量构造操作集成热电发电机

[发明专利]集成热电发电机及相关的制造方法-CN201780067199.1在审
发明人：法比奥·斯帕齐亚尼;恩里科·尤利亚内拉;达里奥·纳尔杜奇;达尼洛·马斯科洛;安东涅塔·博希奥罗;朱塞佩·莱特莎;伊塔洛·吉森 -专利权人： 德尔塔蒂研究财团
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：采用完全兼容标准前端CMOS或BiCMOS技术的工艺可以制造平面外热通量构造的集成热电发电机，如果悬挂在谷上方的平面非导电覆盖层的部分具有足够大的通孔以使各向同性的蚀刻溶液或蚀刻等离子体跨非导电覆盖层(9)的厚度穿过通孔，从而实现空隙空间。发电机还包括沉积在所述平面非导电覆盖层(9)的自由表面上、朝向相对于所述空隙空间的相对方向的顶盖层(11)，以封闭非导电覆盖层(9)的通孔(10)。还公开了一种制造平面外热通量构造的集成热电发电机的方法。
非导电覆盖层发电机集成热电通孔空隙空间热通量等离子体制造蚀刻蚀刻溶液自由表面顶盖层沉积兼容穿过悬挂封闭

[发明专利]硅集成的平面外热通量热电发电机-CN201580051207.4有效
发明人：达尼洛·马斯科洛;安东涅塔·布欧希奥罗;朱塞佩·拉泰沙;格奥尔格·普克尔;米赫尔·古林扬;西蒙尼·狄·马尔科 -专利权人： 德尔塔蒂研究财团
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：增强的电场利用在基板晶片(1)上的平面外热通量构造的集成热电发电机(iTEG)实现，其中基板晶片(1)具有连接多晶半导体片段的限定薄膜线的交替p‑掺杂和n‑掺杂的片段(4，5)的并置端的山顶接头金属触点(7)和谷底接头金属触点(6)，其在具有比所述热电活性多晶半导体的热导率低的热导率的材料的山丘(3)的倾斜相对侧翼上延伸，通过使山丘(3)当中的谷空间(V)保持为空的并且由平面不导电覆盖物(8)限定在顶部，具有限定在耦合表面上的金属键合焊盘(10)，适于与相应的山顶接头金属触点(7)键合。接头金属触点(6，7)具有低纵横比的横截面轮廓，其中两个臂或翼与片段的并置端部分重叠。优选地，内部空隙在包装iTEG时被抽空。
集成平面通量热电发电机

[发明专利]硅集成的平面外热通量构造的双瓣热电发电机-CN201580052881.4有效
发明人：达尼洛·马斯科洛;安东涅塔·布欧希奥罗;伊塔洛·吉森;朱塞佩·加玛瑞诺 -专利权人： 德尔塔蒂研究财团
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：集成在两个不同硅晶方中的两个几何形状上相同的集成Z‑器件结构可以具有薄膜多晶半导体的线的反转导电类型的限定束或片段，并且通过普通的倒装芯片键合技术或类似的(即晶片与晶片键合)以面对面构造连接在一起，使得一个结构的p‑掺杂薄膜管脚面向另一个结构的n‑掺杂薄膜管脚，反之亦然。在将两个镜状Z‑器件结构连接在一起时，一个集成结构的山顶金属触点与另一个集成结构的相应山顶金属触点以电和热连续的方式进行键合，从而形成对于相同覆盖面积具有增加的功率产出的基本上双瓣TEG，并且由于考虑到增大的内部空的空间，进一步减少的辐射的内部旁路热量，具有增强的转换效率。热电生成的电流可以从一个或多个端垫对收集，端垫对的垫在分别属于两个耦合晶方中的一个和另一个的微单元的导电线的端部处连接到在双瓣器件的两个晶方中的一个和另一个上的相应谷底触点。公开了若干实施例，包括再现经典热电堆电路的电路的一个实施例。
集成平面通量构造热电发电机

[发明专利]有通过绝缘体被组织成行和列的导体或半导体材料的平行纳米线的塞贝克/珀耳帖热电转换单元和制作过程-CN201080057120.5有效
发明人： D·纳都西;G·塞洛弗里尼 -专利权人： 德尔塔蒂研究财团
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：有通过绝缘体被组织成行和列的导体或半导体材料的平行纳米线的塞贝克/珀耳帖热电转换单元和制作过程。一种可堆叠单元（A1、A2）或更一般地适合被模块式联结到其他类似单元的新颖和有效结构，用于形成塞贝克/珀耳帖热电转换装置的相对地大尺寸的隔膜，可以用普通的平面处理技术制造。该结构基本上由第一介电材料（2）和第二介电材料（3）的交替层的叠层（A1、A2）组成，该第一介电材料（2）适合被淀积成厚度小于或等于约50μm的膜，有低的热导率，并且用具体化合物的溶液可蚀刻，该第二介电材料（3）有低的热导率，但不被该溶液蚀刻。对于全部宽度，该叠层被平行沟槽（T1、T2、T3）断续隔开，平行沟槽的宽度（w）可以对应于光刻处理分辨率允许的定义的最小线宽，该光刻处理被用于定义该平行沟槽，但该宽度可以最终受其他参数限制，首先是该叠层的高度（h），为了形成该平行沟槽，该叠层高度（h）遭到切割该叠层的竖直蚀刻。
通过绝缘体组织成行导体半导体材料平行纳米贝克珀耳帖热电转换单元制作过程

[发明专利]使用传导性和电介质材料的交替纳米层的堆叠体的塞贝克/帕尔帖热电转换器件及制备方法-CN201210135942.1有效
发明人： D·达杜西;G·塞罗弗里尼 -专利权人： 德尔塔蒂研究财团
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明提供一种使用传导性和电介质材料的交替纳米层的堆叠体的塞贝克/帕尔帖热电转换器件及制备方法。特别地，本发明提供了一个多层堆叠体，其对于构成塞贝克－帕尔帖效应电传导隔膜是有用的，所述隔膜具有用于连接到电路的相对的热侧和冷侧的金属化部件，包括：与电介质氧化物层交替的电传导性材料的堆叠连续层，至少所述电介质氧化物层为连续膜或者密集分布的纳米和亚纳米颗粒或者氧化物颗粒的团簇的形式，所述电传导层具有5到100nm的平均厚度，且在与电介质氧化物层的界面处的表面不规则具有5-20nm的平均周期和平均峰－谷幅度。
使用传导性电介质材料交替纳米堆叠贝克帕尔热电转换器件制备方法

[发明专利]采用半导电材料的处理膜而无需纳米精度的塞贝克/珀耳帖热电转换器件-CN201080031509.2有效
发明人： D·达杜西;G·塞罗弗里尼 -专利权人： 德尔塔蒂研究财团
申请日： 2010-07-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L35/22 文献下载
摘要：本公开涉及塞贝克/珀耳帖效应热电转换器件，且尤其涉及由与甚至大尺寸的经处理的半导体层交替的电介质层的叠层制成而无需纳米-微米尺度的平版印刷构图的器件。
采用导电材料处理无需纳米精度贝克珀耳帖热电转换器件

1
共 8 条