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[发明专利]一种吸收体和超导薄膜之间热连接制作工艺-CN202310461856.8在审
发明人：李万;王雪深;陈建;徐骁龙;胡家昊;王振宇;孙潇莹;朱承峰 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种吸收体和超导薄膜之间热连接制作工艺，其制作步骤如下：S1、制作热连接支撑部：在超导薄膜上制做出连接柱充当支撑部，将连接柱放置于超导薄膜上；S2、开始调胶步骤：将预制好的环氧树脂胶装入点胶机的储胶罐，并将放置好连接柱的超导薄膜放置在点胶机的工作位处；S3、开始点胶机点胶调整步骤：将一部分环氧树脂胶慢慢挤出点胶针头；S4、加胶步骤：使点胶针头缓慢下降，直到连接柱远离超导薄膜的一端碰触到点胶针头上的环氧树脂胶后停止；S5、连接步骤：将吸收体放置在粘有环氧树脂胶的连接柱的顶部。本发明提供一种吸收体和超导薄膜之间热连接制作工艺，制作出尺寸较小的热连接，让热连接排列更多样化。
一种吸收体超导薄膜之间连接制作工艺

[发明专利]一种高性能常温超薄磨耗层及其六同步施工工艺-CN202211113652.7有效
发明人：黄国锋;闫兴非;刘黎萍;黄山;冯奇;马鲜妮;韩占闯;徐骁龙;袁龄卿;张进秋 -专利权人：上海龙盼市政建设工程有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： E01C7/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能常温超薄磨耗层，从下往上依次为I‑B型粘结剂、H‑P型乳化沥青、N‑AG型纤维、集料、H‑P型乳化沥青和固化剂。本发明还公开了上述高性能常温超薄磨耗层的六同步施工工艺，即采用专用设备将上述六种材料按设计比例或质量分层同步洒铺至原路面形成表面功能层。本发明由于采用六同步工艺，较传统工艺相比，具有施工时间短、粘结性能好的优点，可大幅减少施工对交通运行的影响，且能有效延长磨耗层的寿命。
一种性能常温超薄磨耗及其同步施工工艺

[发明专利]超导薄膜、采用掠射角沉积的制备方法、超导转变边沿探测器-CN202211736873.X在审
发明人： 徐骁龙;李劲劲;王雪深;陈建;钟青;钟源;曹文会;王仕建 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：本申请涉及光探测技术领域，特别是一种超导薄膜、采用掠射角沉积的制备方法、超导转变边沿探测器。以解决相关技术中超导转变温度和热容无法同时降低，从而不利于提高能量分辨率，进而不利于传感效率等的提升的问题。一种超导薄膜的制备方法，包括：在基片上形成层叠的第一膜层和第二膜层，第一膜层的材料包括：超导金属材料，第二膜层的材料包括：正常态金属材料；其中，第一膜层和/或第二膜层采用掠射角沉积制备形成。
超导薄膜采用掠射角沉积制备方法转变边沿探测器

[发明专利]基于模量的沥青路面水泥稳定碎石基层剩余寿命预估方法-CN202310221794.3在审
发明人：金辰;蔡氧;徐骁龙;解一鸣;李嘉洋;李鹏辉 -专利权人：上海市城市建设设计研究总院（集团）有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明公开了基于模量的沥青路面水泥稳定碎石基层剩余寿命预估方法，先获取需要进行寿命预估的水泥稳定碎石基层所对应的沥青路面中各结构层厚度以及各结构层的初始结构模量；获取水泥稳定碎石基层材料的弯拉强度；获取沥青路面的行车道轮迹带处的水泥稳定碎石基层的当前结构模量；确定沥青路面每年的单车道当量设计轴载作用次数；确定水泥稳定碎石基层一年的冻融次数、冻结温度和冻融湿度；然后通过建立冻融循环下水泥稳定碎石材料模量的衰减方程和交通荷载下水泥稳定碎石结构模量的衰减方程，计算水泥稳定碎石基层的剩余寿命与剩余使用年限。本发明基于计算机，可定量预估水泥稳定碎石基层的剩余寿命和使用年限，为路面养护时机和策略提供依据。
基于沥青路面水泥稳定碎石基层剩余寿命预估方法

[发明专利]超导薄膜、采用共沉积的制备方法、超导转变边沿探测器、应用-CN202111426732.3有效
发明人： 徐骁龙;李劲劲;王雪深;陈建;钟青;钟源;曹文会;王仕建 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2021-11-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种超导薄膜、制备方法、超导转变边沿探测器及应用。该超导薄膜包括超导金属膜层、合金膜层和正常态金属膜层，所述合金膜层的合金包括所述超导金属膜层中的超导金属与所述正常态金属膜层中的正常态金属，所述合金膜层层叠设置于所述超导金属膜层与所述正常态金属膜层之间。合金膜层的引入不仅能够有效降低超导薄膜的超导转变温度，还能够用于在维持该超导薄膜整体的热容不变的情况下调控超导薄膜整体的超导转变温度。
超导薄膜采用沉积制备方法转变边沿探测器应用

[发明专利]一种晶圆级电化学腐蚀系统及薄膜剥离工艺-CN202211476806.9在审
发明人：朱承峰;王振宇;王雪深;陈建;徐骁龙;李劲劲 -专利权人：中国计量大学;中国计量科学研究院
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C25F7/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆级电化学腐蚀系统，包括：腐蚀槽，腐蚀槽内部左右两侧设有竖槽，用于安装和固定阴极和阳极，竖槽内设置有用于固定晶圆的阳极架；腐蚀液，盛放于腐蚀槽内；阴极，包括绝缘材质的平板，平板上贴附有金属板；阳极，包括阳极架，阳极架为工字形结构，中部圆弧形长槽长度与待固定晶圆直径相同，长槽上下两端通过螺丝用防腐蚀材质压片固定晶圆；氮气鼓气系统，通过在腐蚀槽侧面或者底面位置开孔，接入氮气；上位机控制系统，用于控制电化学腐蚀实验进度以及参数的记录；源表，接入于阴极、阳极之间的回路中，用于控制输出恒、变电压，同时测试回路中电压和电流。本发明为晶圆的金属牺牲层释放提供了便捷的实验条件。
一种晶圆级电化学腐蚀系统薄膜剥离工艺

[发明专利]一种可实现宽波段能量探测的TES探测器-CN202211557700.1在审
发明人：陈建;王雪深;李万;胡家昊;李劲劲;徐骁龙 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N60/85 文献下载
摘要：本申请涉及一种可实现宽波段能量探测的TES探测器，包括：热沉；TES主体，设置在热沉的中心；导热薄膜，覆盖在TES主体上，具有两个以上的分支；TES主体的正上方通过环氧树脂将厚度为H6的厚块状超导体材料的主吸收体直接粘结在表面，主吸收体E朝向TES主体的正投影能够遮盖整个TES主体；还包括多个不同规格的吸收体中的一种或多种。本发明的有益效果是：能够兼容多种波段，扩大了TES探测器的适用范围。
一种实现波段能量探测 tes 探测器

[发明专利]螺旋缠绕分布式光纤的地基沉降监测装置的施工方法-CN202211453866.9在审
发明人：蒋应红;金辰;蔡氧;徐骁龙;解一鸣;蒋宏;李嘉洋 -专利权人：上海市城市建设设计研究总院（集团）有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01C5/00 文献下载
摘要：本发明公开了螺旋缠绕分布式光纤的地基沉降监测装置的施工方法；步骤如下：1、利用工程地质资料预估稳定地层的深度；2、在地基土表面钻孔至稳定地层；钻孔的孔径与圆柱形弹性支撑物相匹配；3、计算圆柱形弹性支撑物的长度和配重的重量，并制作圆柱形弹性支撑物和配重；4、采用早强胶凝材料填充钻孔的底部；5、将缠绕好光缆的圆柱形弹性支撑物的下端与配重连接后放入开孔，使配重与稳定地层充分粘接固定，然后提起圆柱形弹性支撑物，通过配重对圆柱形弹性支撑物施加预拉伸作用力；6、采用细粒土和/或膨润土回填钻孔的剩余部分，并采用小型平板夯等压实。本发明解决分布式光纤的极限拉应变过小而导致的可测量程过小的缺陷。
螺旋缠绕分布式光纤地基沉降监测装置施工方法

[发明专利]螺旋缠绕分布式光纤的地基沉降监测装置及使用方法-CN202211453898.9在审
发明人：蒋应红;金辰;蔡氧;徐骁龙;解一鸣;蒋宏;李嘉洋 -专利权人：上海市城市建设设计研究总院（集团）有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01C5/00 文献下载
摘要：本发明公开了螺旋缠绕分布式光纤的地基沉降监测装置及使用方法，包括地基圆柱形弹性支撑物及位于稳定地层内的配重；配重的上端包括与圆柱形弹性支撑物的下端面连接的连接面；圆柱形弹性支撑物的圆柱面螺旋缠绕光缆；光缆上端从地基土内伸出与测试单元连接；光缆内包括应变感测光纤；应变感测光纤与光缆的弹性护套通过粘结方式固定呈一体；测试单元获取流经光缆的光信号，并将光信号转换成数字信号传送给数据处理单元；数据处理单元根据每两次从测试单元获取的数字信号之间的差别计算地基土对应圆柱形弹性支撑物螺旋缠绕的光缆范围内每一位置的土体沉降值。本发明解决分布式光纤的极限拉应变过小而导致的可测量程过小的缺陷。
螺旋缠绕分布式光纤地基沉降监测装置使用方法

[发明专利]一种用于金属阳极氧化及电镀的槽体-CN202210853377.6在审
发明人：陈建;王雪深;李劲劲;王振宇;徐骁龙;李万 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C25D11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于金属阳极氧化及电镀的槽体，包括开口朝上的容纳腔体，容纳腔体内竖向设有第一极板和第二极板，第一极板和第二极板连接电源的正极和负极；当第一极板中的金属板连接电源的负极，第二极板中的金属导电片连接电源的正极时，该槽体用于金属阳极氧化；当第一极板中的金属板连接电源的正极，第二极板中的金属导电片连接电源的负极时，该槽体用于电镀金属。本申请提供了一种既可用于金属阳极氧化又可用于电镀的槽体，该槽体适用于2‑8英寸表面金属待氧化或电镀金属的晶圆片，其金属薄膜性能均匀稳定，重复性好。
一种用于金属阳极氧化电镀

[发明专利]高耦合效率的感应式超导边缘探测器制备方法及结构-CN202010504529.2有效
发明人：王雪深;钟青;李劲劲;钟源;徐骁龙;曹文会 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种高耦合效率的感应式超导边缘探测器制备方法及结构。超导量子干涉器件结构具有超导转变温度的第三超导薄膜结构。设置于超导量子干涉器件结构包围形成的环孔中的超导转变边缘结构包括第一超导薄膜结构。当处于超导转变的温度时，光子或其他粒子入射后，超导转变边缘结构对入射光的吸收产生相应的温升，降低超导转变边缘结构的有效面积，超导量子干涉器件结构的电感增加，输出电压增加。通过高耦合效率的感应式超导边缘探测器制备方法制备的缝隙孔为纳米级别，且在增加超导转变边缘结构的探测面积的同时，降低超导量子干涉器件结构的制备难度，提高超导量子干涉器件结构与超导转变边缘结构的耦合效率。
耦合效率感应超导边缘探测器制备方法结构

[发明专利]一种X射线超导转变边沿探测器及其制备方法-CN202210780796.1在审
发明人：王雪深;陈建;李劲劲;徐骁龙;李万;王振宇 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种X射线超导转变边沿探测器及其制备方法，其中，X射线超导转变边沿探测器包括双抛硅片、超导薄膜、电极、热连接结构和吸收体；双抛硅片的上侧设有第一氧化硅薄膜，第一氮化硅薄膜，下侧设有第二氧化硅薄膜，第二氮化硅薄膜，且双抛硅片的中部为开口向下的空腔，露出上侧的第一氮化硅薄膜；超导薄膜设置在第一氮化硅薄膜上，电极为两个并设置在第一氮化硅薄膜上且位于超导薄膜的相对两侧并压住超导薄膜，两个电极分别对应连接第一引线和第二引线；热连接结构可为1根、5根、或6根，吸收体水平设置在热连接结构上。其制备方法简单，可降低制备X射线超导转变边沿探测器的复杂度，同时可提高其能量分辨率。
一种射线超导转变边沿探测器及其制备方法

[发明专利]一种可调控饱和能量的超导转变边沿传感器及其制作方法-CN202210349022.3在审
发明人：李万;陈建;王雪深;徐骁龙;李劲劲 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种可调控饱和能量的超导转变边沿传感器，包括：一层吸收体；两层以上TES薄膜，所有TES薄膜之间有序排列，直接或间接连接；至少一层TES薄膜与吸收体热连接；每个TES薄膜对应的超导转变边沿传感器饱和能量均不相同，每个TES薄膜连接有信号读出电路；热沉，与至少一层TES薄膜弱连接。本发明的有益效果是：对比单个TES薄膜的超导转变边沿传感器，本发明可以在基本不损失低能光子探测能量分辨率的情况下实现大动态范围测量。
一种调控饱和能量超导转变边沿传感器及其制作方法

[发明专利]基于硅基刻蚀的超导光学探测器与光纤对准方法及装置-CN202010631206.X有效
发明人：王雪深;钟青;李劲劲;徐骁龙;陈建;钟源;曹文会;王仕建 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于硅基刻蚀的超导光学探测器与光纤对准方法及装置。对第一基底进行刻蚀，制备光纤位置通孔，并在第一基底的表面制备多个间隔设置的第一标记。多个第一标记与光纤位置通孔之间形成相对位置关系。在第二基底的表面制备单光子吸收膜时，以第二基底作为超导单光子探测器的衬底，采用制备超导单光子探测器的制备工艺进行制备。此时，多个第二标记与单光子吸收膜之间形成相对位置关系，并和多个第一标记与光纤位置通孔的相对位置关系相同。进而，通过将多个第一标记与多个第二标记一一对应，即可实现将光纤位置通孔与单光子吸收膜的对准。从而，将光纤直接放置于光纤位置通孔中，即可实现与单光子吸收膜对准。
基于刻蚀超导光学探测器光纤对准方法装置

[发明专利]集成化自校准辐射功率传感芯片及辐射功率测量方法-CN202010058836.2有效
发明人：王雪深;陈建;李劲劲;孙青;王仕建;钟青;徐骁龙;钟源 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G01R21/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种集成化自校准辐射功率传感芯片，增加薄膜金属层，薄膜金属层能够将吸收层吸收的辐射功率带来的温度变化转化为电阻变化，通过导电电极测量电阻可以实现辐射功率传感。因此，通过测量薄膜金属层的电阻值可以与热电堆层测得的电压值两种方式所得到的辐射功率进行相互检验，同时向薄膜金属层输入电流，薄膜金属层发热加热热电堆层的热端，通过该热量模拟辐射功率引起的加热，可以实现对传感芯片的校准。
集成化校准辐射功率传感芯片测量方法

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