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[发明专利]用于处理基板的方法和设备-CN202280014462.1在审
发明人： P·利安托;徐源辉;A·桑达拉江;A·鲁西迪;M·A·纳拉迪帕 -专利权人：应用材料公司;新加坡国立大学
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本文中提供了用于处理基板的方法和设备。例如，使用扩展光谱椭偏术(ESE)处理基板的方法包括以下步骤：将来自扩展光谱椭偏仪的光束引导朝向基板的表面，以用于在基板处理期间从基板的表面确定原位ESE数据；测量在所确定的原位ESE数据中的相位和振幅的变化；以及同时使用来自原位ESE数据中的测得的相位和振幅的变化的复杂介电函数、光导率和电子相关性来确定基板的表面的各个方面。
用于处理方法设备

[发明专利]用于先进封装的TSV形成方法-CN202180073827.3在审
发明人：所鹏;Y·W·王;徐源辉;龙昌范;A·桑达拉江 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本公开涉及用于先进晶片级半导体封装的具有互连介电屏蔽的通孔结构。本文所述的方法使得能够在低深宽比的通孔结构内形成高厚度介电屏蔽层，从而促进具有高1I/O密度和改善的带宽和功率的薄且小形状因子的封装结构。
用于先进封装 tsv 形成方法

[发明专利]一种深床反硝化过滤装置-CN202310352128.3在审
发明人：杨华;杨成;徐源辉 -专利权人：湖南省科升水务有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C02F3/28 文献下载
摘要：本发明属于污水处理技术领域，尤其是涉及一种深床反硝化过滤装置，包括滤池、给排水组件、气水分布组件和集水管件，所述滤池位于左右两侧的进水口和排废口位置安装有给排水组件，所述滤池位于左右两侧的出水口位置安装有集水管件，所述滤池内置有滤料。通过分散壳的设置，进行气水反冲时，水从连通道进入到被支柱架起的滤砖下方，可以在较小阻力下快速的水平分配，并在水位升高时被导水面和斜道壳配合向四周分散，最终进入到分散壳的内凹槽中被反推紊流，并混合支气管喷出的气体一部分从分散壳四周的豁口溢出，一部分直接从顶孔上行，进行充分的紊流和混合使气水分布更为均匀，对上方的滤料进行均匀的清洗或者驱氮，实现高效清洁。
一种深床反硝化过滤装置

[发明专利]用于处理基板的方法与设备-CN202180078233.1在审
发明人： S·巴特拉;徐源辉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本文提供用于处理基板的方法与设备。例如，方法可包含：在基板上沉积第一金属层并且蚀刻第一金属层以形成栅极电极，在栅极电极顶上沉积介电层，在介电层顶上沉积半导体氧化物层以覆盖栅极电极的一部分，从栅极电极的未被半导体氧化物层覆盖的一部分蚀刻介电层以形成栅极接入过孔，以及在介电层及半导体氧化物层顶上并且在栅极接入过孔内沉积第二金属层。
用于处理方法设备

[发明专利]反硝化滤池排泥机-CN202310508237.X在审
发明人：杨华;杨成;徐源辉 -专利权人：湖南省科升水务有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C02F3/28 文献下载
摘要：本发明属于排泥机技术领域，且公开了一种反硝化滤池排泥机，包括安装架、设置于所述安装架上的移动机构、设置于所述安装架底部的防堵机构以及设置于所述防堵机构上的一组排泥泵；所述防堵机构包括固定连接在所述安装架底部的密封箱、设置于所述密封箱内腔中的集料壳、设置于所述集料壳上方一侧的进料处理机构。本发明通过移动机构、防堵机构、进料处理机构、驱动机构、联动机构A和集料壳等结构的配合设计，实现了淤泥打散、减小淤泥的粘黏度、排泥泵进口端的吸泥管不易堵塞，能够有效的预防泥泵堵塞、提升了效果和效率，避免了泥泵的进口端易发生堵塞，降低了排泥效率和效果，从而导致了该装置实用性低的问题。
硝化滤池排泥机

[发明专利]用于背侧通孔显露处理的方法和设备-CN202180059631.9在审
发明人： P·利安托;朱仕兴;洪士超;颜斌然;R·F·文卢安;G·梅塔;R·奇丹巴拉姆;徐源辉;A·桑达拉江;U·V·乌姆萨拉;丘伟豪;M·A·D·B·阿布杜拉;M·C·库特内;M·M·怀利;A·L·阿萨德;G·T·莫瑞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：使用对于多个工艺工具的集中式控制框架执行背侧通孔显露工艺的方法和设备。在一些实施例中，一种用于执行背侧通孔显露工艺的方法可包括：由中央控制器从背侧通孔显露工艺中涉及的工艺工具接收工艺工具操作参数；从背侧通孔显露工艺中涉及的工艺工具中的至少一者或多者接收传感器计量数据；并且至少部分地基于工艺工具操作参数和传感器计量数据，通过调整背侧通孔显露工艺中涉及的工艺工具中的两者或更多者来修改背侧显露工艺。轮廓参数被配置成防止在化学机械抛光(CMP)工艺期间的背侧通孔断裂。
用于背侧通孔显露处理方法设备

[发明专利]封装基板的平面化方法-CN202080038429.3在审
发明人：陈翰文;S·文哈弗贝克;T·查克拉博蒂;P·利安托;P·S·古拉迪雅;徐源辉;朴起伯;C·布赫;P·G·甘;A·洪 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本公开的实施例总体涉及基板上的表面和在基板上形成的层上的表面的平面化。更具体地，本公开的实施例涉及用于先进封装应用的基板上的表面(诸如聚合材料层的表面)的平面化。在一个实施方式中，方法包括在第一抛光工艺期间在存在研磨浆料的情况下抵靠抛光表面机械研磨基板表面，以移除在基板上形成的材料的一部分；以及随后在第二抛光工艺期间在存在抛光浆料的情况下抵靠抛光表面化学机械抛光基板表面，以减少由第一抛光工艺造成的任何粗糙度或不平坦。
封装平面化方法

[发明专利]用于异质封装集成的重构基板结构和制造方法-CN202080034003.0在审
发明人：陈翰文;S·文哈弗贝克;徐源辉;朴起伯;G·切莱雷;D·托尼尼;V·迪卡普里奥;曹圭一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本公开内容涉及薄的外形因数的重构基板及其形成方法。本文所述的重构基板可用于制造同质或异质的高密度3D集成器件。在一个实施例中，通过直接激光图案化将硅基板结构化成包括一个或多个腔和一个或多个通孔。可将相同或不同类型的一个或多个半导体管芯放置在腔内，然后在其上形成绝缘层之后将其嵌入基板中。在通孔中形成一个或多个导电互连，并且所述一个或多个导电互连可具有重新分配到重构基板的期望表面的接触点。然后，可将重构基板整合到堆叠式3D器件中。
用于封装集成重构基板结制造方法

[发明专利]用于在聚合物层中形成通孔的方法-CN202080009732.0在审
发明人：顾煜;徐源辉;所鹏;P·利安托;A·桑达拉江 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种处理基板的方法，包括：在基板的顶上沉积未固化的聚合物材料的层，以覆盖基板上的暴露导电层；使用光刻处理暴露层的至少一个区域；在光刻处理中显影层以从至少一个区域移除未固化的聚合物材料的第一部分；通过干式蚀刻处理蚀刻层，以从至少一个区域移除未固化的聚合物材料的第二部分，以暴露导电层的顶表面并在层中形成通孔；以及固化层以形成固化的聚合物材料。
用于聚合物形成方法

[发明专利]用于高级封装应用的精密再分配互连形成的方法-CN201980089669.3在审
发明人：陈翰文;S·文哈弗贝克;曹圭一;P·利安托;徐源辉;V·迪卡普里奥 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：公开了一种用于使用钼粘附层将聚酰亚胺基板连接至铜晶种层和镀铜附件来制造电气部件的方法。
用于高级封装应用精密再分互连形成方法

[发明专利]一种污水脱氮处理池-CN202110507133.8在审
发明人：杨华;李建;徐源辉 -专利权人：湖南省科升水务有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C02F9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种污水脱氮处理池，包括沉淀池安装架、电机，沉淀池为长方体结构，沉淀池的一侧开设有连接管道一，连接管道一的另一端固定连接有滤沙机构，滤沙机构的输出端固定连接有连接管道二，连接管道二的中间处安装有增压泵，连接管道二的另一侧固定安装有滤管，滤管呈“L”形，壳体的中间位置固定安装有支撑套，壳体的顶部内壁固定安装有轴套，支撑套和轴套中转动连接有传动轴，传动轴底部靠近边缘的位置固定连接有扇叶，传动轴延伸至壳体的顶部外侧，传动轴的顶部固定连接有连接块，壳体的底部安装有过滤机构，该处理过程可滤除污水中沙粒等颗粒物，同时除去脱氮过程中产生的有害气体。
一种污水处理

[发明专利]用于嵌入式反熔丝的方法和设备-CN201980016770.6在审
发明人：所鹏;顾煜;徐源辉;A·桑达拉江 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：用于在晶片级封装兼容工艺中形成嵌入式反熔丝的方法及设备。在一些实施例中，用于形成嵌入式反熔丝的方法包括：在第一聚合物层上形成第一重新分配层；在所述第一重新分配层上沉积反熔丝介电层；在所述反熔丝介电层上形成第二聚合物层；使用平版印刷工艺与例如介电蚀刻来产生至少一个第一通孔，所述至少一个第一通孔穿过所述第二聚合物层至所述反熔丝介电层；和在所述第二聚合物层上形成第二重新分配层且在所述至少一个第一通孔的底部处接触所述反熔丝介电层。
用于嵌入式反熔丝方法设备

[发明专利]具有硅局部氧化的绝缘体上硅的集成电路及其制造方法-CN201410186910.3在审
发明人：张少强;P·R·维尔马;徐源辉;胡佑洲;刘雯莉 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种具有硅局部氧化的绝缘体上硅的集成电路及其制造方法。集成电路包括半导体衬底及多个浅沟槽隔离(STI)区，各区在半导体衬底的上表面之下延展至少第一深度。STI区电性隔离制造于半导体衬底中的装置。集成电路还包括晶体管，其包括置于半导体衬底中的源极与漏极区、置于源极与漏极区之间的栅极介电层以及置于半导体衬底的第二部位并且在半导体上表面下延展第二深的局部氧化物层。第一深度大于第二深度。集成电路又再包括于栅极介电层与局部氧化物层上方延展的第一栅极电极。
具有局部氧化绝缘体集成电路及其制造方法

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