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[发明专利]光子计算系统-CN202210073444.2在审
发明人：彭博;阿拉什·侯赛因扎德;徐叶龙;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06E3/00 文献下载
摘要：本发明涉及光子计算领域，其提供了一种光子计算系统，包括:光子计算单元，被配置为接收第一多个光信号，所述第一多个光信号对应表示第一组多个数值；所述光子计算单元包括多个权重模块，所述多个权重模块对应表示多个预设数值，每一个所述权重模块对应一个预设数值；其中，每一个所述权重模块包括：光输入部，所述光输入部被配置为接收所述第一多个光信号中的1个光信号，以及至少一个定向耦合器，其中的每一个定向耦合器被设计为实现预设的分光比，和/或至少一个MMI，其中的每一个MMI被设计为实现预设的分光比，以使得所述权重模块对应一个所述预设数值，从而实现乘法运算。
光子计算系统

[发明专利]光互连装置及其制造方法、计算装置-CN202111527948.9在审
发明人： 徐叶龙;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及芯片技术领域，提供了一种光互连装置及其制造方法、计算装置。该光互连装置包括：多个数字电芯片，包括第一数字电芯片和第二数字电芯片；多个模拟电芯片，包括第一模拟电芯片和第二模拟电芯片；光互连件；第一数字电芯片与第一模拟电芯片通信连接，第二数字电芯片与第二模拟电芯片通信连接，第一模拟电芯片与第二模拟电芯片通过光互连件实现通信连接；第一数字电芯片到第二数字电芯片的信息传输路径包括信息先后经过第一数字电芯片、第一模拟电芯片、光互连件的光波导、第二模拟电芯片、以及第二数字电芯片。本发明可以优化芯片之间的互连，并且针对不同类型的芯片进行单独升级/更换，优化了封装。
互连装置及其制造方法计算

[发明专利]光互连装置及其制造方法-CN202111529427.7在审
发明人： 徐叶龙;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及芯片技术领域，提供了一种光互连装置及其制造方法。其中，所述光互连装置包括：多个电芯片，其包括第一电芯片和第二电芯片；第一光互连件，其具有多个光波导；其中，所述第一电芯片和所述第二电芯片通过所述第一光互连件的光波导实现通信连接。根据本发明的实施方式，多个电芯片通过光互连可以实现例如混合立方体网络通信互连拓扑结构或其它复杂的互连拓扑，同时对信息进行并行处理，芯片间具有紧密的信息互连，能够更好地满足人工智能算法对计算能力和带宽的要求。对比电互连，光互连带宽大、时延低、功耗小、集成度高和抗电磁干扰能力强。
互连装置及其制造方法

[发明专利]波导结构及其制造方法、光子集成电路及其制造方法-CN202111516863.0在审
发明人：苏湛;达迪·塞蒂亚迪;徐叶龙;吴建华;柏艳飞;朱云鹏;邹静慧;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及光子集成电路领域，其提供了一种波导结构的制造方法，包括：形成第一材料层；基于所述第一材料层形成第一波导、第二波导，所述第一波导与所述第二波导具有间隔；形成第二材料层；基于所述第二材料层形成波导耦合结构，所述波导耦合结构分别与第一波导、第二波导光学耦合，以使得第一波导与第二波导实现光连接。可以使得波导连接范围不仅局限于一次曝光所限定的区域，将不同曝光区域的波导实现互连，减少波导互连时对准的精度要求，还能够有效避免波导连接时的接合缺陷。
波导结构及其制造方法光子集成电路

[发明专利]半导体封装结构、信息传输方法、制造方法及光互联设备-CN202111421942.3在审
发明人： 徐叶龙;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体封装结构、信息传输方法、制造方法及光互联设备。其中，半导体封装结构，包括：光互连基板；光互连基板包括：第一导电布线单元、第二导电布线单元、光波导单元以及用于实现光信号与电信号之间的转换的第一转换单元和第二转换单元；第一转换单元和第二转换单元分别耦合至光波导单元；第一导电布线单元与第一转换单元电连接；第二导电布线单元与第二转换单元电连接；安装在光互连基板上的第一芯片和第二芯片；第一芯片与第一导电布线单元电连接，第二芯片与第二导电布线单元电连接，通过光互连基板实现第一芯片和第二芯片之间的通信。该技术方案可降低能量损耗，减少延迟、降低串扰程度，有助于提高芯片之间的互连性能。
半导体封装结构信息传输方法制造光互联设备

[发明专利]光学耦合多节点计算系统-CN202211076618.7在审
发明人：孟怀宇;卢正观;徐叶龙;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H04Q11/00 文献下载
摘要：一种装置包括耦合到光学网络的多个节点，每个节点包括被配置为在沿着光学网络的耦合光学路径的位置处发送光学信号的光学发送器接口以及被配置为在沿着光学网络的耦合光学路径的位置处接收光学信号的光学接收器接口。该装置包括被配置为围绕闭合路径传播引导模式的光学网络的第一光学路径以及被配置为围绕闭合路径传播引导模式的光学网络的第二光学路径。第一光学路径和第二光学路径在第一组四个位置处彼此重叠，第一光学路径在不同于第一组位置中的位置的第二组相应位置处耦合到该节点中的两个或更多个节点，并且第二光学路径在不同于第一组位置和第二组位置中的所有位置的第三组相应位置处耦合到该节点中的两个或更多个节点。
光学耦合节点计算系统

[发明专利]光学调制器和光学集成系统-CN202110409940.6有效
发明人：柏艳飞;苏湛;卢正观;徐叶龙;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明涉及光子集成电路领域，其提供了一种光学调制器和光学集成系统，能够抑制因载流子扩散导致的相位偏差。所述光学调制器包括至少一段移相器；所述移相器包括：传输光信号的波导通道、以及位于波导通道相对两侧的P型掺杂区和N型掺杂区；其中，在所述波导通道中，在所述P型掺杂区和N型掺杂区之间为未掺杂的本征区；其中，在所述本征区的两端中的至少一端或靠近所述至少一端设置有阻挡载流子沿波导传播方向从所述本征区扩散出去的阻挡结构，由此，能够抑制因载流子扩散导致的相位偏差，并且能够抑制相邻移相器之间的电串扰，以及避免了该电串扰导致的调制信号失真。进而，提高了光子集成系统的可靠性和精度。
光学调制器集成系统

[发明专利]一种基于社群拓扑模型的信息交互方法、系统及智能终端-CN202110117721.0在审
发明人：黄炎;徐叶龙 -专利权人：七十二贝塔（深圳）科技有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G06Q50/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于社群拓扑模型的信息交互方法、系统及智能终端，所述方法包括：组建多个社群，多个社群之间通过链接申请建立链接形成社群拓扑模型，其中，所述社群包括前端社群和后端社群，主动发出链接申请的社群为后端社群，接受链接申请的社群为前端社群；接收所述社群拓扑模型中任意一个目标社群发送信息的指令，将所述信息发送给所述目标社群的所有后端社群；将所述社群拓扑模型中接收到所述信息的所有社群中的所有用户新建一个新的主题社群，并接收所述主题社群中所有用户的交流互动操作，或者生成一个主题供所有用户进行动态交流，使得社群有序化，减少了用户社群管理工作复杂性，并且使得信息的传递效率更高，同时可以避免信息失真。
一种基于社群拓扑模型信息交互方法系统智能终端

[发明专利]一种微型高性能正交硅波导结构-CN201410046359.2有效
发明人：刘晓平;卢明辉;戴明;徐叶龙;陈延峰 -专利权人：南京大学
申请日： 2014-02-10 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明提供了一种微型高性能正交硅波导结构，采用正交交叉的波导结构，波导的组成材料为硅。在波导结构的内部、四个正交交叉口处分别设有棱镜结构，棱镜结构的折射率低于组成波导的基底材料。进一步地，在波导结构的正交交叉点的四个外角处加设有修饰结构，其厚度与波导的厚度一致；所述修饰结构由两个形状相同的微结构拼接而成，两个微结构拼接后沿着正交交叉外角的对角线成镜面对称。当基模在波导内传播时，本发明的结构可以保持小于0.2dB的损耗，同时可以维持很低的串扰损耗和反射损耗，其值分别为小于‑35dB和小于‑30dB。本发明的另一个很重要的优点是结构的几何尺寸很小，整个设计的交叉结构尺寸仅约为1×1um2。
一种微型性能正交波导结构

[发明专利]一种三明治结构线栅宽带偏振器及其制备方法-CN201310158611.4无效
发明人：卢明辉;宋宝生;林亮;徐叶龙;葛海雄;陈延峰 -专利权人：南京大学
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种三明治结构线栅宽带偏振器及其制备方法。本发明的偏振器，由基板上的Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅构成，基板为在通讯波段透明的光学材料；Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅的结构参数为：线栅周期350-400纳米，线栅占空比60%-50%，线栅总厚度300-400纳米，第一层金属铝的厚度为80-170nm，SiO2的厚度为50-120nm，第二层金属铝的厚度为80-210nm。本发明方法步骤为：清洗基板、基板表面旋涂SU8胶、旋涂含Si的紫外压印胶、在含Si的紫外压印胶表面形成纳米线栅结构、刻蚀残余层、在SU8胶上刻出纳米线栅结构、沉积薄膜（Al、SiO2、Al）、超声举离，形成Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅。本发明宽带偏振器在1300-2000nm波段范围内不仅具有很高的TM波透射率，而且具有很高的消光比，且工艺简单、加工误差容忍度好。
一种三明治结构宽带偏振及其制备方法

[发明专利]一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法-CN201310081525.8有效
发明人：卢明辉;林亮;万为伟;徐叶龙;葛海雄;袁长胜;陈延峰 -专利权人：南京大学
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法，步骤如下：（1）利用FIB制备不同深度结构的模板；（2）在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；（3）ICP刻蚀掉胶层的残余层，然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1：1的刻蚀；（4）二次旋涂热塑性纳米压印胶，并使其表面平整；（5）ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护；（6）设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；（7）在表面沉积另外一种材料，并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。
一种无需对准纳米压印制备结构方法

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