专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]车辆诱导发射器-CN201520176651.6有效
  • 徐凌松 - 徐凌松
  • 2015-03-27 - 2015-07-08 - G08G1/123
  • 本实用新型公开了一种车辆诱导发射器,包括安装在泊车位地上的固定盘,及安装在固定盘上的抗压盘,所述抗压盘的内部从上往下依次设置有发射孔、触发槽和电子槽,发射孔与触发槽之间设有隔离装置,电子槽内设有信号发射装置,触发槽内设有与信号发射装置电连接的触发开关,及用于碰触触发开关的触发器,该装置通过车辆泊车到位时的压力触发开关,以及时发出车辆泊车到位的型号,可有效地辅助司机快速的进行泊车,避免泊车时发生事故,其整体结构设计简单、合理,便于安装,可用于各类泊车位。
  • 车辆诱导发射器
  • [发明专利]一种互补动态存储器的版图-CN200610114290.8有效
  • 徐凌松 - 北京芯技佳易微电子科技有限公司
  • 2006-11-03 - 2008-05-07 - H01L27/108
  • 本发明为一种互补动态存储器版图,其与通用逻辑工艺兼容,其包括:PMOS源/漏注入区,栅极多晶硅区、有源区、第一层金属线区、接触孔区、存储器单元的位线连接区、存储器单元的字线连接区、负压连接区、阻止形成硅化物层的自对准硅化物阻止区以及对称配置的四个存储单元,所述的有源区通过所述的接触孔区与所述的第一层金属线区连接,所述的第一层金属线区与存储单元的外部连线相连,通过以上区域层,在P型衬底的N阱中形成以确定方式连接的8个PMOS晶体管,从而达到减小单元面积的目的。
  • 一种互补动态存储器版图
  • [发明专利]一种分级温度补偿刷新方法及其电路-CN200610076279.7有效
  • 徐凌松 - 北京芯技佳易微电子科技有限公司
  • 2006-04-21 - 2006-09-27 - G11C11/401
  • 本发明涉及一种分级温度补偿刷新电路,属于MOS晶体管集成电路设计领域。该方法包括:产生一与温度无关的参考电压;产生与温度成反比的工作电压;将参考电压和工作电压进行比较,产生各级温度的每一级控制的选择信息;根据与温度相对应的选择信号生成频率不同的刷新时钟。该电路包括:一带隙参考电压源,用于产生参考电压;一寄生三极管,用于产生工作电压;一分级控制器,用于将参考电压和工作电压进行比较,产生各级温度控制的选择信息;一可控时钟发生器,生成频率不同的刷新时钟。本发明可在不同温度下产生不同频率的刷新时钟,控制刷新时钟频率;同时该电路处于锁存待机状态时,无直流回路,大大降低了功耗。
  • 一种分级温度补偿刷新方法及其电路

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