“彭足超”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种金属剥离优化的方法-CN202310452853.8在审
发明人：李景浩;李慧敏;钟伟华;林武;鲁日彬;李家昌;彭足超 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属剥离优化的方法，属于半导体电子技术领域，在金属剥离处理中降低底切角的角度为70～80°和/或提高掩膜层的厚度为本发明提供的金属剥离优化的方法使得撕金易剥离，撕金效果更优且成本较低。
一种金属剥离优化方法

[实用新型]一种LED晶圆的标记装置-CN202222265457.8有效
发明人：李慧敏;齐佳鹏;钟伟华;彭足超;李景浩;鲁日彬;蔡武 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED晶圆的标记装置，LED晶圆的标记装置中包括位于晶圆上的后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域；其中，后段标记用于模拟电极和底层的结合力以及用于分选站点机台的识别，中心标记区域用于机台电性测试中的识别，对位标记用于光刻机的对位识别，因此后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域均包含多个膜层，相较于现有技术中的标记点，能够增加标记区域的厚度，使其倒模时不易掉落。
一种 led 标记装置

[实用新型]一种匀胶环结构-CN202221778782.8有效
发明人：李慧敏;钟伟华;彭足超;李景浩 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B05C11/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及匀胶技术领域，特别涉及一种匀胶环结构，包括嵌设在匀胶机的匀胶端的圆形开口处的环体，环体包括第一圆环、第二圆环和第三圆环，第一圆环和第二圆环均匀胶机的匀胶端的圆形开口内，第三圆环位于匀胶机的匀胶端的圆形开口的外部，第三圆环用于稳定固定在匀胶机的匀胶端上，第二圆环用于减小匀胶机的匀胶端的开孔面积，第一圆环能够防止真空吸盘甩开的胶液溅出，通过减小开放空间可降低溶剂挥发速度使整个晶圆片表面上光刻胶的粘度保持相对一致从而达到较均匀稳定的膜厚。
一种匀胶环结构

[实用新型]一种LED芯片对位装置-CN202221860627.0有效
发明人：李慧敏;钟伟华;彭足超;李景浩;鲁日彬;蔡武 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED芯片对位装置，在基板和光罩上设置有曝光机定位识别标记和镜检检验标记，可通过基板和光罩上的曝光机定位识别标记进行曝光机对基板各膜层的自动对位；可通过基板和光罩上的镜检检验标记，对套合情况进行目检，由于镜检检验标记为十字形状，因此镜检时可更方便快速地检验出图形偏移异常，有效提高检验效率。
一种 led 芯片对位装置

[发明专利]一种LED芯片的反射层制作方法-CN202211057274.5在审
发明人：李慧敏;钟伟华;林武;李景浩;彭足超;鲁日彬 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片的反射层制作方法，在制作反射层时，先使用光刻胶进行匀胶、曝光和显影，其中，对负性光刻胶进行匀胶烘烤时保留负性光刻胶的溶剂含量，曝光显影的温度为116‑120℃；而现有技术中，通常曝光显影温度为122℃，相较于现有技术，本发明在烘烤时保留光刻胶的溶剂即降低匀胶烘烤温度，能够增加光刻胶的倒角角度，增大后续蒸镀反射层的面积；并且，降低曝光显影温度能够使光刻胶分子间的交联反应减少，交联反应会形成难溶于显影液的结构，此时曝光显影后的负性光刻胶减少、显影区域增加，从而增加后续反射层的蒸镀尺寸。因此，通过降低匀胶后及显影前烘烤温度，能够增大蒸镀后反射层的面积，提高LED发光亮度。
一种 led 芯片反射层制作方法

[发明专利]一种电极金属层制作方法-CN202211063491.5在审
发明人：李慧敏;钟伟华;彭足超;李景浩;鲁日彬;蔡武 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种电极金属层制作方法，在衬底上依次生长缓冲层和外延层，对外延层进行刻蚀后在外延层的P型氮化镓上生长氧化铟锡层；在氧化铟锡层和外延层的N型氮化镓上均使用曝光量90‑150mj、显影温度110‑114℃，对光刻胶进行曝光、显影，并在显影后的位置蒸镀得到电极金属层。在现有技术中通常使用曝光量280mj和显影温度106℃进行光刻胶的曝光显影，且减少曝光量会使得尺寸变大，而本发明中在降低曝光量的同时增加显影温度，此时增加显影温度可使光刻后尺寸变小，选取降低曝光量进行曝光能够节省时间，由此，在降低曝光量的同时增加显影温度能够有效减少电极金属层的面积，减少氧化铟锡层的被阻挡面积，从而提升发光亮度。
一种电极金属制作方法