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[发明专利]CMOS器件中栅介质层界面态缺陷修复的方法及栅介质层-CN201910842528.6有效
发明人：姜兰;沈耀庭;彭海豹;归琰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及CMOS器件中栅介质层界面态缺陷修复的方法及栅介质层，涉及半导体集成电路制造技术，在栅介质层的制作过程中，在形成掺杂氮的氧化层界面层后采用高温氨气气氛下退火处理及高温激光退火处理，可以达到防止掺杂氮的氧化层界面层(SION)与衬底界面处SiO2的二次生长，防止EOT变厚，并且充分修复掺杂氮的氧化层界面层(SION)材料中断裂键及缺失键，使其补充为稳定的Si‑O‑N结构，而且对掺杂氮的氧化层界面层(SION)具有更好的固氮作用，进而提高掺杂氮的氧化层界面层(SION)的性质，界面态缺陷明显降低，提高器件性能。
cmos 器件介质界面缺陷修复方法

[发明专利]形成金属硅化物的退火工艺、装置及金属接触层形成方法-CN202010679523.9有效
发明人：姜兰;归琰;沈耀庭 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明涉及形成金属硅化物的退火工艺，涉及半导体集成电路技术，在作为半导体器件的栅极、源极和漏极上的金属接触层的金属硅化物的形成过程中的退火工艺中，在晶圆的至少一侧设置多个热源，多个热源覆盖晶圆表面及晶圆周侧的区域，并设置开关单元，用于控制每个热源的温度，首先获得晶圆面内形成的金属层的厚度分布数据，然后根据金属层的厚度分布数据计算每一热源的目标温度，并使开关单元控制每一热源工作在其目标温度以对晶圆进行退火工艺，而使形成的金属硅化物的厚度在晶圆面内及电阻片内均匀度好，而提高接触电阻的均匀度，进而提高器件性能，继而提高器件良率。
形成金属硅退火工艺装置金属接触方法

[发明专利]一种存储器的制备方法-CN202210761844.2在审
发明人：归琰;姜兰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有依次堆叠的第一氧化层、字线材料层、第二氧化层及硬掩模层；刻蚀所述硬掩模层、所述第二氧化层、所述字线材料层、所述第一氧化层及所述衬底的部分厚度，以形成沟槽；在所述沟槽内形成金属浮栅材料层，所述金属浮栅材料层覆盖所述沟槽的内壁并延伸覆盖所述硬掩模层；对所述金属浮栅材料层进行氮化处理，以修补所述金属浮栅材料层中的离子空缺，形成稳定的金属化合物晶体结构，防止游离金属离子扩散影响所述金属浮栅材料层的连续性，进而保证后续形成的金属浮栅层的连续性。
一种存储器制备方法

[发明专利]高介电常数金属栅的制造方法-CN202210097274.1在审
发明人：归琰;成鑫华;姜兰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数金属栅的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底上沉积高介电常数层；步骤二、形成第一阻档层；步骤三、沉积非晶硅盖帽层；步骤四、预处理，控制预处理的温度和氧气的流量使非晶硅盖帽层的表面产生氧化；步骤五、进行尖峰退火处理以吸收高介电常数层中的氧元素，利用尖峰退火处理结合非晶硅盖帽层的表面被氧化的结构抑制在尖峰退火处理中出现硅成核以及硅晶长大，以有利于后续非晶硅盖帽层的去除；步骤六、对非晶硅盖帽层进行无硅残留的去除并同时避免损伤第一阻档层。本发明对高介电常数层的第一阻档层顶部的非晶硅盖帽层在吸氧后进行无硅残留去除，同时能避免损伤第一阻档层，最后能提高器件的可靠性。
介电常数金属制造方法

[发明专利]一种在线辅助监控离子注入的方法-CN202210076914.0在审
发明人：张强强;归琰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种在线辅助监控离子注入的方法，在晶圆的每个die中用于膜厚量测的pad中增加多个量测pad；在晶圆待注入区域进行离子注入的同时向量测pad中进行离子注入；当离子注入发生异常时，获得量测pad的X射线光电子能谱信号值；提供X射线光电子能谱信号值与离子注入剂量的线性方程；将量测pad的X射线光电子能谱信号值代入线性方程中，得到量测pad的实际离子注入剂量；将实际离子注入剂量与补打信息进行对比，若对比结果在允许差值范围内，则执行补打任务；若对比结果不在允许差值范围内，则对晶圆进行报废处理。本发明能够准确判断晶圆的实际作业情况，从而实现对离子注入工艺的在线辅助监控，降低生产成本并提高生产良率。
一种在线辅助监控离子注入方法

[发明专利]保护半导体器件沟道的器件制作方法-CN202111175357.X在审
发明人：陈科成;姜兰;归琰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种保护半导体器件沟道的器件制作方法，包括以下步骤：步骤S1:提供一自下而上依次包括背衬底、埋氧层及顶硅层的FD‑SOI衬底，在所述顶硅层表面生长一吸氧牺牲层；步骤S2:在S1所述的吸氧牺牲层上进行局部锗氧化浓缩工艺以制备具有SGOI沟道的SOI衬底；步骤S3:依次去除S2所获得衬底的SOI沟道最上方氮化硅层，以及SOI和SGOI沟道上方的氧化层；步骤S4:对S3所获得SOI和SGOI复合结构表面沟道进行常温氧化处理，形成氧化层；步骤S5:去除S4所形成的氧化层。本发明解决了由“鸟嘴”所造成的缺陷，有利于后续工艺的顺利实施，达到保护SOI/SGOI复合结构器件沟道的目的。
保护半导体器件沟道器件制作方法

[发明专利]一种形成SiGe沟道的热处理方法-CN202110115637.5在审
发明人：姜兰;沈耀庭;归琰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种形成SiGe沟道的热处理方法，采用多阶段变温变气体热处理工艺形成SiGe沟道，第一阶段为高温热处理，热处理温度为1050‑1100℃，所通气体为氧气，其主要目的使外延生长的硅锗层中的Ge向绝缘体上硅衬底的绝缘体上硅层移动；第二阶段为相对低温热处理，热处理温度为900‑1000℃,所通气体为氮气，其流量为0.5‑10升/分钟，主要目的是形成均匀SiGe沟道；并且进行多次进行高低温改变以及气体切换的热处理工艺。本发明能保证形成均匀的SiGe沟道，同时保证SiGe沟道不在高温下弛豫，提高器件的电学性能。
一种形成 sige 沟道热处理方法

[发明专利]一种改善双激光退火过程中晶圆表面热分布的方法-CN202010877503.2在审
发明人：姜兰;归琰;沈耀庭 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种改善双激光退火过程中晶圆表面热分布的方法，将晶圆表面划分为第一至第N区域；第一区域为沿所述晶圆边缘的弧线；将弧线的中点定义为所述晶圆底部中点；第二至第N区域为从晶圆底部中点开始，沿晶圆底部中点所在直径依次向晶圆顶部分布的弧面；弧线的弧度方向与第二至第N区域的弧面的弧度方向相反；提供由低温斑束和高温斑束组成的激光斑束；低温斑束包裹在高温斑束外；利用激光斑束对第一至第N区域进行间歇式扫描。本发明使晶圆边缘与晶圆中部存在较大温度梯度，有利于热传导，晶圆边缘区域散热加快。低温激光斑束对晶圆的预热作用，使得高温束斑对晶圆快速退火时产生的温度变化减小，进而热应力减小，降低晶圆破片率。
一种改善激光退火过程中晶圆表面分布方法

[发明专利]一种提升SiGe沟道表面均匀度的方法-CN202010584734.4在审
发明人：姜兰;成鑫华;归琰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种提升SiGe沟道表面均匀度的方法，提供衬底，衬底上设有埋氧层，埋氧层上设有硅锗层；对硅锗层的表面进行等离子体氧化，形成SiGeOx层；采用湿法刻蚀去除SiGeOx层；重复进行氧化和湿法刻蚀，直到所述硅锗层表面的均匀度达到所需均匀度为止。本发明通过等离子氧化对SiGe沟道表面进行处理形成SiGeOx，随后采用湿法对其氧化层进行去除，等离子氧化工艺结合湿法工艺进行多个周期，逐步改善SiGe沟道表面均匀度，该工艺不仅有效提高了SiGe沟道表面均匀度，同时保证了SiGe层的应力作用，有效提高了器件性能。
一种提升 sige 沟道表面均匀方法

[发明专利]一种氧化镁掺杂的钇稳定氧化锆(5Y‑PSZ)陶瓷的制备方法-CN201610386631.0在审
发明人：袁野;杨秋红;归琰;邵英杰 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-06-04 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镁掺杂的钇稳定氧化锆(5Y‑PSZ)陶瓷的制备方法，其步骤：a.以5Y‑PSZ为基体材料，以氧化镁(MgO)为烧结助剂；b. 将基体材料和烧结助剂进行搅拌混和，混合后湿法混磨5小时；c. 将混磨后的混合料加热至90℃温度烘干，升温至1200℃下预烧8～10小时，制得氧化镁(MgO)和5Y‑PSZ的粉体；d. 将制得的粉体和去离子水放入球磨罐中湿法球磨5h；e. 将球磨好的粉体放烘箱干燥，然后将干燥粉料造粒；f. 将造粒后的粉料在200MP静压下，压制成片状生坯；g. 将片状生坯烧结，升温到1350～1550℃，烧结3小时，得到致密的0.1～1wt.%氧化镁(MgO) 掺杂的钇稳定氧化锆(5Y‑PSZ)陶瓷。该方法制备的陶瓷不仅具备较大的相对密度与维氏硬度，同时还具有较优异的抗低温时效性能。
一种氧化镁掺杂稳定氧化锆 psz 陶瓷制备方法

[发明专利]Nd掺杂α-Al₂O₃透明陶瓷激光介质材料的制备方法-CN201610175616.1在审
发明人：归琰;杨秋红;邵英杰;袁野 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-03-26 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种Nd掺杂α‑Al₂O₃透明陶瓷激光介质材料的制备方法，属特种陶瓷材料制造工艺技术领域。本发明方法采用高纯α‑Al₂O₃和Nd₂O₃为原料，以MgO以及La₂O₃为烧结助剂，在较低温度条件下，采用固相烧结法制备Nd:a‑Al₂O₃透明陶瓷激光介质材料。本发明方法制得的Nd:a‑Al₂O₃透明陶瓷材料，根据检测实验证实，具有较优异的光谱特性，该材料可用于激光介质增益材料。
nd 掺杂 al sub 透明陶瓷激光介质材料制备方法

[发明专利]一种掺有Nd和Er的氧化镧钇透明陶瓷的制备方法-CN201610022924.0在审
发明人：邵英杰;杨秋红;归琰;袁野 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善Er³⁺的3μm发光性能的掺有Nd和Er的氧化镧钇透明陶瓷的制备方法，属特种陶瓷制造工艺技术领域。本发明采用高纯Y₂O₃为原料，La₂O₃为烧结助剂，Er₂O₃作为激活离子，Nd₂O₃作为敏化离子，采用传统陶瓷制备工艺在较低的温度条件下，通过合适的烧结制度，固相烧结法制备了(Nd_xEr_0.01Y_0.89-xLa_0.1)₂O₃透明陶瓷。根据检测实验证实，把低浓度的Nd³⁺作为敏化离子，能在显著提高Er³⁺在氧化镧钇透明陶瓷中3μm波段的发光强度的同时有效抑制其1.5μm波段的发光。因此共掺低浓度敏化离子Nd³⁺，是一种能极大改善Er³⁺在氧化镧钇透明陶瓷中的3μm波段发光性能的方法，为Er³⁺在氧化镧钇透明陶瓷中实现3μm波段的高效激光运转提供可能。
一种 nd er 氧化透明陶瓷制备方法

[发明专利]一种氧化铝多晶料块的制备方法-CN201310134420.4无效
发明人：归琰;杨秋红;陆神州 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化铝多晶料块的制备方法，属于特种陶瓷制备工艺技术领域。采用两种或三种醇铝法生产的商业高纯5N（99.999%）a-Al2O3粉料为起始原料，采用理论模型计算和通过实验修正的方式确定各粉料颗粒间最优化尺寸之比及所占数量比例关系，并通过冷等静压工艺将混合粉料压制块状料，再经高温烧结制备出密度大于3.6g/cm3（相对密度大于90%）的a-Al2O3多晶块料。制得的a-Al2O3多晶块料中，小粒径粉料会填补大尺寸颗粒之间的空隙，粉料间接触更多，相互作用更大，因而在压制成型及高温烧结过程中不易发生碎裂，易于获得大尺寸的产品，并且其烧成密度相对市售氧化铝饼块料更高。
一种氧化铝多晶制备方法

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