“张锺敏”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果58个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发光二极管阵列-CN201811346014.3有效
发明人： 张锺敏;蔡钟炫;李俊燮;徐大雄;金贤儿;卢元英;姜珉佑 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆级发光二极管(LED)阵列。根据一个实施例的LED阵列包括：生长基板；多个LED，布置在基板上，每个LED具有第一半导体层、有源层和第二半导体层；多个上电极，布置在所述多个LED上，由相同的材料形成，并且分别电连接到相应的LED的第一半导体层；第一焊盘和第二焊盘，布置在上电极上。一个或多个上电极电连接到相邻的LED的第二半导体层，其中，上电极中的其它上电极与相邻的LED的第二半导体层绝缘，LED通过上电极串联连接，第一焊盘电连接到串联连接的LED之中的输入LED，第二焊盘电连接到串联连接的LED之中的输出LED。因此，可提供可用高电压驱动的倒装芯片型LED。
发光二极管阵列

[发明专利]发光二极管阵列-CN202010064109.7有效
发明人： 张锺敏;蔡钟炫;李俊燮;徐大雄;金贤儿;卢元英;姜珉佑 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管阵列，包括：第一发光二极管和第二发光二极管，分别包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；第一上电极，形成在第一发光二极管的第二半导体层上，与第一发光二极管的第二半导体层绝缘；以及第二上电极，形成在第二发光二极管的第二半导体层上，与第二发光二极管的第二半导体层绝缘，其中，第一上电极具有从第一发光二极管侧向第二发光二极管侧突出的突出部，突出部延伸到第二发光二极管上部而与第二发光二极管的第二半导体层电连接，第二上电极具有收容第一上电极的突出部的槽部，第二上电极在彼此相隔的至少两个接触区域与第二发光二极管的第一半导体层接触，第一上电极的突出部向接触区域之间突出。
发光二极管阵列

[发明专利]具有侧面反射层的发光二极管-CN202010360589.1有效
发明人： 张锺敏;金彰渊;林栽熙 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种具有侧面反射层的发光二极管。根据一个实施例的发光二极管包括：基板；半导体叠层，布置于所述基板下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；第一凸起焊盘及第二凸起焊盘，布置于所述欧姆反射层下部，分别电连接于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；侧面反射层，覆盖所述基板的侧面；以及保护层，布置于所述侧面反射层上。
具有侧面反射层发光二极管

[发明专利]具有侧面反射层的发光二极管-CN202010361306.5有效
发明人： 张锺敏;金彰渊;林栽熙 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种具有侧面反射层的发光二极管。根据一个实施例的发光二极管包括：基板，具有侧面；半导体叠层，布置于所述基板下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；第一凸起焊盘及第二凸起焊盘，布置于所述欧姆反射层下部，分别电连接于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；侧面反射层，覆盖所述基板的侧面；以及粗糙度缓冲层，夹设于所述基板的侧面与所述侧面反射层之间。
具有侧面反射层发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN201910834913.6有效
发明人：蔡钟炫;李俊燮;卢元英;姜珉佑;张锺敏;金贤儿;徐大雄 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管。所述发光二极管包含：透明衬底，具有第一表面、第二表面以及侧表面；第一导电型半导体层，位于所述透明衬底的所述第一表面上；第二导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上；作用层，位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；第一衬垫，电连接到所述第一导电型半导体层；以及第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层。此外，由所述作用层产生的光通过所述透明衬底的所述第二表面发射到所述透明衬底外部，并且所述发光二极管在至少一个轴向方向上具有至少140度的光束角。因此，可以提供一种适合于背光单元或表面照明设备的发光二极管。
发光二极管

[实用新型]单元像素及具有该单元像素的显示装置-CN202220863538.5有效
发明人： 张锺敏;李晟贤 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型公开一种单元像素及包括该单元像素的显示装置。根据一实施例的单元像素包括：第一发光堆叠体；第二发光堆叠体，位于所述第一发光堆叠体的下部且具有比所述第一发光堆叠体更大的面积；以及第三发光堆叠体，位于所述第二发光堆叠体的下部且具有比所述第二发光堆叠体更大的面积，所述第一发光堆叠体、所述第二发光堆叠体以及所述第三发光堆叠体中的至少一个包括侧面，所述侧面相对于与所述第三发光堆叠体的上表面平行的表面具有在约30度至约70度范围内的倾斜角。
单元像素具有显示装置

[发明专利]发光二极管、发光二极管模块和制造发光二极管的方法-CN201810781829.8有效
发明人：蔡钟炫;卢元英;李俊燮;姜珉佑;张锺敏;金贤儿;裴善敏;徐大雄 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：在此公开了一种发光二极管、一种发光二极管模块和一种制造发光二极管的方法。所述发光二极管包括：第一导电型半导体层；台阶，设置在第一导电型半导体层上，并且包括活性层和第二导电型半导体层；第一欧姆接触结构，与第一导电型半导体层接触；第二欧姆接触结构，与在台阶上的第二导电型半导体层接触；下绝缘层，覆盖台阶和第一导电型半导体层，并且具有暴露第一欧姆接触结构的第一开口部分和暴露第二欧姆接触结构的第二开口部分；以及电流分布层，连接到通过下绝缘层的第一开口部分而暴露的第一欧姆接触结构，并且具有暴露第二开口部分的第三开口部分。
发光二极管模块制造方法

[发明专利]光提取效率得到提高的发光元件-CN201910659511.7有效
发明人： 张锺敏;柳宗均;金多慧;金材宪;裵善敏;林栽熙 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开发光元件。发光元件包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；第一接触电极，与所述第一导电型半导体层欧姆接触；第二接触电极，位于所述第二导电型半导体层上；以及绝缘层，位于所述发光结构体上，使所述第一接触电极以及第二接触电极绝缘，其中，所述发光结构体具有非极性或者半极性的生长面，所述第二导电型半导体层的上表面包括非极性或者半极性面，所述第二接触电极包括与所述第二导电型半导体层欧姆接触的导电性氧化物层以及位于所述导电性氧化物层上的反射电极层。
提取效率得到提高发光元件

[发明专利]发光元件以及包括该发光元件的LED显示装置-CN202080090918.3在审
发明人： 张锺敏;李晟贤;金彰渊 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：提供了一种发光元件，该发光元件包括：第一发光堆叠件；第二发光堆叠件，布置于所述第一发光堆叠件下部；第三发光堆叠件，布置于所述第二发光堆叠件下部；第一连接电极至第四连接电极，布置于所述第一发光堆叠件上部，并且电连接于所述第一发光堆叠件至所述第三发光堆叠件；以及接合金属层，布置于所述第一连接电极至所述第四连接电极的上表面，其中，所述第一连接电极至所述第四连接电极分别在上表面包括凹槽，所述接合金属层分别覆盖所述第一连接电极至所述第四连接电极的凹槽。
发光元件以及包括 led 显示装置

[实用新型]单元像素及具有该单元像素的显示装置-CN202220768407.9有效
发明人： 张锺敏;李晟贤 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED显示器用单元像素及具有该单元像素的显示装置。根据一实施例的单元像素包括：第一发光堆叠体；第二发光堆叠体，位于所述第一发光堆叠体下部；以及第三发光堆叠体，位于所述第二发光堆叠体下部，其中，当从平面图观察时，所述第一发光堆叠体相对于经过中心的至少一个垂直面具有镜面对称结构。
单元像素具有显示装置

[发明专利]显示用发光元件及具有其的LED显示装置-CN202080075389.X在审
发明人： 张锺敏;金彰渊 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：根据一实施例的发光元件包括：第一发光堆叠件、第二发光堆叠件及第三发光堆叠件，所述第一发光堆叠件、所述第二发光堆叠件及所述第三发光堆叠件中的每一个包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；第一下部接触电极，欧姆接触于所述第一发光堆叠件；第二下部接触电极，欧姆接触于所述第二发光堆叠件的第二导电型半导体层；以及第三下部接触电极，欧姆接触于所述第三发光堆叠件的第二导电型半导体层，其中，所述第二发光堆叠件布置于所述第一发光堆叠件与所述第三发光堆叠件之间，所述第一下部接触电极布置于所述第一发光堆叠件与所述第二发光堆叠件之间，所述第二下部接触电极及所述第三下部接触电极布置于第二发光堆叠件与第三发光堆叠件之间，所述第一下部接触电极、所述第二下部接触电极及所述第三下部接触电极包括透明导电性氧化物层，所述第二下部接触电极或者所述第三下部接触电极的厚度比所述第一下部接触电极的厚度大。
显示发光元件具有 led 显示装置

[发明专利]显示用发光元件及具有其的LED显示装置-CN202080075493.9在审
发明人： 张锺敏;金彰渊 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：根据一实施例的发光元件包括：第一发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第二发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第三发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第一粘合层，结合所述第一发光堆叠件和所述第二发光堆叠件；以及第二粘合层，结合所述第二发光堆叠件和所述第三发光堆叠件，其中，所述第二发光堆叠件布置于所述第一发光堆叠件与所述第三发光堆叠件之间，所述第一粘合层及第二粘合层中的一个是电连接与其相邻的发光堆叠件的导电性粘合层。
显示发光元件具有 led 显示装置

[发明专利]显示用发光元件及具有该显示用发光元件的显示装置-CN202080067591.8在审
发明人：赵大成;李素拉;金彰渊;张锺敏 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：公开一种显示用发光元件及具有该显示用发光元件的显示装置。根据一实施例的显示装置，包括电路基板及排列于所述电路基板上的多个像素，其中，所述像素中的至少一个包括：第一发光元件；以及第二发光元件，从所述第一发光元件沿横向隔开，其中，所述第一发光元件具有生成第一峰值波长的光的第一LED叠层，所述第二发光元件包括：第二LED叠层，生成第二峰值波长的光；以及第三LED叠层，位于所述第二LED叠层上，并生成第三峰值波长的光。
显示发光元件具有显示装置

[发明专利]LED显示装置-CN202080068801.5在审
发明人： 张锺敏;金彰渊 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：根据一实施例的显示装置包括：显示基板；多个发光元件，布置于所述显示基板上；以及注塑层，覆盖所述发光元件的侧表面并暴露上表面，其中，所述发光元件包括：第一LED子单元；第二LED子单元，布置于所述第一LED子单元上；以及第三LED子单元，布置于所述第二LED子单元上，所述第三LED子单元布置为比所述第一LED子单元更近于所述发光元件的上表面。
led 显示装置

[发明专利]显示器用发光元件及具有其的发光封装件-CN202080065850.3在审
发明人： 张锺敏;金彰渊 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：根据一实施例的显示器用发光元件包括：第一LED子单元；第二LED子单元，布置在所述第一LED子单元上；以及第三LED子单元，布置在所述第二LED子单元上，其中，所述第三LED子单元相比于所述第一LED子单元发出波长短的光，并且相比于所述第二LED子单元发出波长长的光。
显示器用发光元件具有封装

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 58 条