专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体器件-CN202211167575.3在审
  • 祁金伟;刘倩;张耀辉 - 深圳市千屹芯科技有限公司
  • 2022-09-23 - 2023-08-01 - H01L29/06
  • 本申请实施例提供了一种半导体器件,包括第一半导体层;形成在第一半导体层之上的电场终止层;形成在电场终止层之上的电场过渡层;形成在电场过渡层之上的漂移区,形成在漂移区内的柱区;形成在漂移区上方的第二半导体层;电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度,漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子;电场过渡层的电荷总量Q满足预设条件使得半导体器件关断,电场过渡层被完全耗尽,电场在所述电场过渡层降低且在电场终止层减小至0,电场过渡层的电荷总量Q满足的预设条件为小于等于k%×Ec/εs。本申请实施例解决了传统的SJ‑双极型半导体器件关断能量损耗较大的技术问题。
  • 一种半导体器件
  • [实用新型]一种高拍仪延伸机构-CN202320420889.3有效
  • 张耀辉 - 江苏民邦信息技术有限公司
  • 2023-03-08 - 2023-08-01 - H04N1/04
  • 本实用新型涉及高拍仪延伸技术领域,尤其是一种高拍仪延伸机构,包括竖筒和直板,所述直板的内壁连接有延伸结构,所述竖筒的正面加工有滑槽,所述滑槽的内壁滑动卡接有弯杆,所述弯杆的底部加工有螺纹,通过延伸结构中握把带动螺杆转动,转动的螺杆通过直板逐渐向上转动,进而带动套架在竖筒的内壁向上移动,移动的竖筒带动高拍设备向上移动,实现延伸操作,改变原有的螺杆抵紧形式,避免高拍仪延伸机构位置发生松动,确保高拍仪延伸机构的正常使用。
  • 一种高拍仪延伸机构
  • [发明专利]微流控芯片及其制造方法-CN202111171367.6有效
  • 王郑;张耀辉;陈铭汉 - 佛山华智新材料有限公司
  • 2021-10-08 - 2023-07-28 - B01L3/00
  • 本发明涉及一种微流控芯片,包括主体结构、基底以及微泵;所述主体结构中设有微通道结构以及安装槽,所述微通道结构具有第一进液口和第一出液口,所述主体结构的材质为金属;所述基底通过注塑工艺形成在所述安装槽内,所述基底的材质为塑料;所述微泵设在所述基底之上,所述微泵具有第二进液口和第二出液口,所述第二进液口与所述第一出液口连通,所述第二出液口与所述第一进液口连通,所述微泵与所述基底连接处的材质为塑料。本发明的微流控芯片的制造工艺简单、连接稳固,有利于将微流控技术在散热领域推广应用。
  • 微流控芯片及其制造方法
  • [实用新型]矿山机械振动筛-CN202320217336.8有效
  • 张耀辉;原顺杰 - 河南乌金矿山科技有限公司
  • 2023-02-15 - 2023-07-28 - B07B1/28
  • 本实用新型涉及振动筛选技术领域,且公开了矿山机械振动筛,包括支撑腿,固定安装在支撑腿上面的电机支架,以及设置在支撑腿与电机支架之间的加工组件,所述加工组件包括连接在电机支架底部的搅拌机构,所述搅拌机构连接有振动机构,所述圆形倾斜板的顶部固定安装在搅拌箱的底部,所述第二伸缩柱左侧与搅拌箱的外壁固定安装,所述筛选框通过卡扣与搅拌箱卡接,所述第一伸缩柱的外壁与第一内槽的内壁贴合,所述第一伸缩柱通过第一弹簧与第一圆柱滑动连接,所述第一圆柱的数量有十个,以转轴的中心线为对称轴等量对称分布在转轴的外壁。本实用新型解决了现有装置无法对聚集在一起的矿石进行筛选的问题。
  • 矿山机械振动筛
  • [发明专利]抑制射频器件欧姆损耗的方法及射频器件-CN202211629638.2在审
  • 汪洋;张耀辉 - 苏州华太电子技术股份有限公司
  • 2022-12-15 - 2023-07-25 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种抑制射频器件欧姆损耗的方法及射频器件。所述抑制射频器件欧姆损耗的方法包括:在单晶衬底上形成锗硅层,所述锗硅层靠近单晶衬底的界面处具有由于所述单晶衬底和锗硅层晶格失配而产生的应力形变和晶格缺陷;在所述锗硅层上形成有源层,将所述有源层的部分加工形成射频器件结构或者在所述有源层上制作射频器件结构。本发明通过调节锗硅层中锗的含量而使锗硅层产生应力变形和产生缺陷,这些应力形变和晶格缺陷可以阻碍载流子在锗硅层的运动速度,并减少射频器件的欧姆损耗。
  • 抑制射频器件欧姆损耗方法
  • [实用新型]一种集多种阀一体的过滤器装置-CN202321651509.3有效
  • 刘学成;刘安敏;张非凡;乔鹏;张耀辉 - 新乡市华航航空液压设备有限公司
  • 2023-06-28 - 2023-07-25 - B01D35/02
  • 本实用新型公开了一种集多种阀一体的过滤器装置,包括下壳体、滤芯、上壳体、自封装置活门和单向活门,所述滤芯安装在下壳体中,上壳体的下端套在下壳体上,活门座与上壳体通过螺纹连接,活门座与上壳体的连接面上设置有用于密封的密封圈Ⅱ,自封装置活门一端与活门座一端间隙配合安装,自封装置活门的另一端与滤芯上端面配合安装,自封装置活门与活门座之间设置有活门座弹簧,上壳体的内侧面上设置有密封圈Ⅲ,该密封圈Ⅲ与自封装置活门的上端外边缘对应,活门座的中心设置有中心孔;采用集成化结构,有效地实现了自封、单向、旁通功能,能够防止系统中的流体泄漏,防止滤芯长时间未更换压差过高流体不流通影响系统工作、防止流体回流。
  • 一种多种一体过滤器装置
  • [发明专利]一种IGBT器件-CN202211103640.6在审
  • 祁金伟;刘倩;张耀辉 - 苏州华太电子技术股份有限公司
  • 2022-09-09 - 2023-07-21 - H01L29/06
  • 本申请实施例提供了一种IGBT器件,包括第一掺杂类型的集电极;形成在集电极之上的第二掺杂类型的电场终止层;形成在电场终止层之上的第二掺杂类型的电场过渡层;形成在电场过渡层之上的第二掺杂类型的漂移区,以及形成在漂移区内的多个第一掺杂类型的柱区;形成在漂移区上方的第一掺杂类型的阱区;电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度,漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子;IGBT器件关断,电场过渡层被完全耗尽,电场在电场过渡层降低且在所述电场终止层减小至0。本申请实施例解决了传统的SJ‑IGBT器件在关断过程拖尾电流带来的关断能量损耗较大的技术问题。
  • 一种igbt器件
  • [发明专利]一种IGBT器件-CN202211103659.0在审
  • 祁金伟;刘倩;张耀辉 - 苏州华太电子技术股份有限公司
  • 2022-09-09 - 2023-07-21 - H01L29/06
  • 本申请实施例提供了一种IGBT器件,包括集电极;形成在集电极之上的电场终止层;形成在电场终止层之上的电场过渡层;形成在电场过渡层之上的漂移区,以及形成在漂移区内的多个的柱区;形成在漂移区上方的阱区;其中,电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度,漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子;电场过渡层的电荷总量Q小于等于k%×Ec/εs使得IGBT器件关断,所述电场过渡层被完全耗尽,电场在所述电场过渡层降低且在所述电场终止层减小至0。k%为最小预设工作电压条件下电场强度占临界击穿电场强度的百分比。本申请实施例解决了传统的SJ‑IGBT器件关断能量损耗较大的技术问题。
  • 一种igbt器件
  • [发明专利]一种半导体集成器件-CN202211102837.8在审
  • 祁金伟;刘倩;张耀辉 - 苏州华太电子技术股份有限公司
  • 2022-09-09 - 2023-07-21 - H01L29/06
  • 本申请实施例提供了一种半导体集成器件,包括:集电极金属;位于同一层的第一掺杂类型的集电极和第二掺杂类型的短路区,集电极和短路区位于集电极金属之上;形成在集电极和短路区之上的电场终止层;形成在电场终止层之上的电场过渡层;形成在电场过渡层之上的漂移区,形成在漂移区内的柱区;形成在漂移区上方的第一掺杂类型的阱区;电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度,漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子;半导体集成器件关断,所述电场过渡层被完全耗尽,电场在所述电场过渡层降低且在所述电场终止层减小至0。本申请实施例解决了传统的SJ‑半导体集成器件在关断过程关断能量损耗较大的技术问题。
  • 一种半导体集成器件
  • [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202211095566.8在审
  • 莫海锋;冯新;张耀辉 - 苏州华太电子技术股份有限公司
  • 2022-09-06 - 2023-07-21 - H01L29/06
  • 本申请实施例提供了一种半导体器件及其制备方法,涉及半导体技术领域。该半导体器件包括:第一浓度掺杂漂移区、浓度大于所述第一浓度掺杂漂移区的第二浓度掺杂埋区及衬底区,其特征在于,开设有贯穿所述第一浓度掺杂漂移区并延伸到所述第二浓度掺杂埋区的第一通孔,所述第一通孔中至少填充有导电材料;所述第一通孔内壁与由所述导电材料构成的填充物之间设置有一层金属硅化物层。解决了目前半导体器件的表面积较大的技术问题,达到了减小半导体器件表面积的技术效果。
  • 半导体器件及其制备方法

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