专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种儿科用免疫系统疾病用治疗面罩-CN202111310526.6有效
  • 于亚楠;张琨;李扬 - 于亚楠
  • 2021-11-08 - 2023-08-04 - A61M16/06
  • 本发明涉及儿科面罩技术领域,且公开了一种儿科用免疫系统疾病用治疗面罩,包括;镜框框体,所述镜框框体设置有半面瞭望口,所述镜框框体内侧设置有用于与脸部贴合的软性硅胶框体,顶部两侧处设置有挂耳槽口,所述挂耳槽内设置有用于束缚的绑带,所述镜框框体两侧下方设置有预留捆绑件。在佩戴该产品时,将软性硅胶框体与患者的脸部贴合,并将绑带系紧,通过对软性硅胶框体的使用,镜框框体能够更好的与患者脸部贴合,并在软性硅胶框体的柔性的作用下,能够起到密封的作用,并且保证了外部的空气无法从软性硅胶框体与脸部接触处被进入,保证了密封性和安全性,预留捆绑件的设置,增加镜框框体与脸部的结合性,保证了镜框框体在脸部的平衡性。
  • 一种儿科免疫系统疾病治疗面罩
  • [发明专利]一种集成二极管的沟槽型碳化硅MOSFET及其制作方法-CN202310615459.1在审
  • 刘冬梅;张琨 - 华瑞创芯半导体(成都)有限公司
  • 2023-05-29 - 2023-08-01 - H01L29/06
  • 本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种集成二极管的沟槽型碳化硅MOSFET。本发明引入的分离栅、P型JFET区和P+屏蔽区共同降低了器件的栅漏电容,对器件的开关能力进行了优化;此外所述的P型JFET区和P+屏蔽区,能够有效缓解氧化层内部的电场集中现象,保护氧化层的可靠性;本发明在沟槽左侧引入的N型注入区与分离栅和P型JFET区组成双栅JFET结构,形成一个导电通道,降低器件导通电阻的同时,箝制了器件的饱和电流,提高了器件的短路耐受时间;在沟槽右侧N型注入区、P型JFET区和分离栅形成了一个SBR结构,代替体二极管起到续流作用,改善器件的第三象限特性。所述N型注入区由本发明所提出的特殊工艺制得,获得高性能N型注入区且提高良率并节省成本。
  • 一种集成二极管沟槽碳化硅mosfet及其制作方法
  • [发明专利]一种光辅助锂二氧化碳电池及其制备方法-CN202111228969.0有效
  • 彭慧胜;李嘉欣;张琨;王兵杰 - 复旦大学;珠海复旦创新研究院
  • 2021-10-22 - 2023-08-01 - H01M4/96
  • 本发明属于化学电源技术领域,具体为光辅助锂二氧化碳电池及其制备方法。本发明电池由负极集流体、锂负极、电解质、光催化正极、具有光学窗口的正极集流体与正极保护层组装而成;其中,光催化正极是通过原位化学沉积法将具有光电效应的石墨相氮化碳料沉积在导电碳纳米管薄膜上制备而成;电解质选自有机溶液电解质、凝胶准固态电解质、固态电解质、熔融盐电解质、离子液体电解质等;当光照从光催化正极一侧辐照时,正极能够吸收光子并产生光电子和空穴以促进电池放电与充电反应,从而使得所构建的锂二氧化碳电池实现了超过90%的循环效率与超过100圈的循环寿命。该电池在储能器件领域具有广阔的应用前景。
  • 一种辅助二氧化碳电池及其制备方法
  • [发明专利]一种集成二极管的沟槽型碳化硅MOSFET-CN202310613067.1在审
  • 刘冬梅;张琨 - 华瑞创芯半导体(成都)有限公司
  • 2023-05-29 - 2023-07-28 - H01L29/06
  • 本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种集成二极管的沟槽型碳化硅MOSFET。本发明引入的分离栅、P型JFET区和P+屏蔽区共同降低了器件的栅漏电容,对器件的开关能力进行了优化;此外所述的P型JFET区和P+屏蔽区,能够有效缓解氧化层内部的电场集中,保护氧化层的可靠性;本发明在沟槽左侧引入的N型注入区与分离栅和P型JFET区组成双栅JFET结构,形成一个导电通道,降低器件导通电阻的同时,箝制了器件的饱和电流,提高了器件的短路耐受时间;在沟槽右侧N型注入区、P+屏蔽区以及分离栅形成了一个SBR结构,代替体二极管起到续流作用,改善器件的第三象限特性。所述N型注入区由本发明所提出的特殊工艺制得,获得高性能N型注入区的同时提高良率并节省成本。
  • 一种集成二极管沟槽碳化硅mosfet

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