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[发明专利]一种行车鬼探头智能探测系统及方法-CN202310760857.2在审
发明人：王阳培华;莫玉舒;刘昊;李海鸥;张法碧;孙堂友;刘兴鹏;陈永和;肖功利;傅涛 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B60R16/023 文献下载
摘要：本申请适用于汽车辅助驾驶领域，提供了一种行车鬼探头智能探测系统、及方法，所述行车鬼探头智能探测系统包括：超声波模块、显示模块、无线传输模块、报警模块；所述系统可工作在模式1和模式2，当系统工作在模式2时，所述超声波模块不工作，所述无线传输模块接收其他车辆发送的信息，并传输至所述报警模块，用于安全判定。安装有上述系统的车辆，可接收其他车辆发送的探测信息并进行安全判定，从而在本车辆的超声波模块不工作时，同样能够探测到车辆盲区内的路况，并及时报警，极大的降低了驾驶员由于观察力有限而造成的突发危险和鬼探头事故几率。
一种行车探头智能探测系统方法

[发明专利]一种高质量钙钛矿厚膜及其制备方法和用途-CN202310980247.3在审
发明人：王阳培华;沈振宇;朱星宇;首美花;孙堂友;刘兴鹏;肖功利;彭英;张法碧;李海鸥 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种高质量钙钛矿厚膜及其制备方法和用途，包括将95‑105℃的过饱和浓度的钙钛矿前驱体溶液滴加到基底上，用不同狭缝高度的刮刀、以不同速度进行多次刮涂的步骤，通过特定的工艺，解决了现有技术中难以控制钙钛矿膜厚度以及钙钛矿厚膜缺陷密度高导致辐射探测器具有较高暗电流密度的技术问题，能够灵活、方便的进行钙钛矿厚膜的制备，获得了具有低缺陷密度、高致密度、高均匀性的钙钛矿厚膜，本发明具有低成本、制备方便、可大面积生产等优势，所需温度在200℃以下，尤其是刮涂和退火过程均在大气环境下即可完成，有利于工业化生产。
一种质量钙钛矿厚膜及其制备方法用途

[发明专利]一种S波段宽带MMIC低噪声放大器-CN201810384680.X有效
发明人：李海鸥;李陈成;徐华蕊;李跃;陈永和;李琦;张法碧;傅涛;孙堂友;肖功利 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络；三级匹配网络：输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本发明在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络，反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益，反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位，还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度，显著提高了低噪声放大器的线性度，降低了噪声系数。
一种波段宽带 mmic 低噪声放大器

[发明专利]一种偶极子共振超表面窄带极化转换器-CN201811568530.0有效
发明人：李琦;刘飞;傅涛;李海鸥;张法碧;陈永和;肖功利;孙堂友 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01Q15/24 文献下载
摘要：本发明中的偶极子共振超表面窄带极化转换器能产生线宽较窄且峰值较高的透射峰，单层三孔缝超表面包括三个偶极子共振器，由巴比涅效应，在前向传播时，入射于下层超表面的第二矩形孔缝的电磁波为x线极化波，才会激发基于明暗两种模式干涉的法诺共振，法诺共振具体上由偶极子的同相振荡与失相振荡的干涉引起，偶极子的振荡经中层超表面的旋转孔缝的旋转作用后，与上层超表面的第一矩形孔缝进行互作用，从而产生沿y方向极化的线极化波，由此产生了非对称传输现象，这类非对称传输现象可以用于滤波器、极化开关、波分复用器中。
一种偶极子共振表面窄带极化转换器

[发明专利]一种基于柔性衬底生长的铟镓氧化物薄膜及其制备方法-CN202310443818.X在审
发明人： 张法碧;王者风;周娟;李海鸥;孙堂友;陈永和;刘兴鹏;李琦;王阳培华;廖清;陈赞辉;首美花;彭英;傅涛;肖功利;邓艳容 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本申请提供一种基于柔性衬底生长的铟镓氧化物薄膜及其制备方法，将准备好的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置的生长腔内，设置生长参数，使得柔性衬底上生长一层铟镓氧化物薄膜。通过该方法可制备出高结晶质量的铟镓氧化物薄膜，在氧化镓中掺杂铟离子，可以拓宽带隙范围。该制备方法工艺步骤简单，易操作，进而可有效降低制备成本。
一种基于柔性衬底生长氧化物薄膜及其制备方法

[发明专利]一种能够增强氧化镓紫外吸光度的制备方法及根据该方法制备的氧化镓材料-CN202310524470.7在审
发明人： 张法碧;翁程浩;周娟;李海鸥;孙堂友;陈永和;刘兴鹏;李琦;王阳培华;廖清;陈赞辉;首美花;彭英;傅涛;肖功利;邓艳容 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本申请提供一种能够增强氧化镓紫外吸光度的制备方法及根据该方法制备的氧化镓材料，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生紫外吸收的氧化镓薄膜，对氧化镓薄膜进行退火处理，再将氧化镓薄膜通过磁控溅射的方式生长一层铜薄膜，然后进行快速退火，使得铜薄膜受热量作用而裂成铜纳米粒子。该制备方法利用铜纳米粒子来增强氧化镓的紫外吸光性能，工艺步骤简单，易操作，进而有效降低制备成本，且通过该制备方法制备的氧化镓材料紫外吸光度提升效果显著。
一种能够增强氧化紫外光度制备方法根据材料

[发明专利]一种紫外探测器及其制备方法-CN202310522786.2在审
发明人： 张法碧;翁程浩;周娟;李海鸥;孙堂友;陈永和;刘兴鹏;李琦;王阳培华;廖清;陈赞辉;首美花;彭英;傅涛;肖功利;邓艳容 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提供一种紫外探测器及其制备方法，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生光电响应的薄膜层，再将薄膜层放置在刚玉坩埚后放入退火炉中在1100～1500℃下进行超高温退火处理，最后将薄膜层用掩模板遮住以在薄膜层上生长形成电极，制得紫外探测器。该制备方法简单，易操作，可适用于大规模生长处理薄膜，进而有效降低成本。通过该方法制备的紫外探测器，经过超高温处理，可大幅提升薄膜的结晶质量，所制备的器件具有光暗电流比高、响应时间短等优点。
一种紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种以h-BN作为中间插层的忆阻器-CN202010746740.5有效
发明人：孙堂友;涂杰;石卉;刘云;李海鸥;傅涛;刘兴鹏;陈永和;肖功利;李琦;张法碧 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以六方氮化硼(h‑BN)作为中间插层的忆阻器，所述以h‑BN作为中间插层的忆阻器包括衬底、底电极层、高空位介质层、中间插层、低空位介质层和顶电极层，以二维材料h‑BN作为中间插层的结构，夹在所述高空位介质层和所述低空位介质层之间，能够充分发挥h‑BN的材料特性提高忆阻器整体性能，并且凭借传统忆阻器介质材料以及二维材料h‑BN的特性，可以提高忆阻器的整体性能。
一种 bn 作为中间忆阻器

[发明专利]基于金棒和金孔阵列复合结构的圆偏振转换器-CN202310249284.7在审
发明人：肖功利;周嗣童;杨宏艳;陈佳宇;赖子凡;李海鸥;陈赞辉;张法碧;孙堂友;陈永和;刘兴鹏;王阳培华;邓艳容 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了基于金棒和金孔阵列复合结构的中红外偏振转换器，由二氧化硅衬底和上层金棒—蜂窝状金孔阵列复合的超表面结构组成的。本发明可以实现线偏振—圆偏振光和圆偏振—圆偏振光的转换，具有较高的偏振转换率(PCR)，这为高性能偏振操纵器件的设计提供了可靠的结果；此外还发现了一些关于金棒旋转角度(θ)与手性之间的规律，为手性传感的设计也提供而一些方法。本发明新颖的结构设计和优异的性能，有望广泛应用于今后微纳偏振操纵器件的设计中。
基于阵列复合结构偏振转换器

[发明专利]一种稀土共掺杂的氧化镓荧光材料及其制备方法和应用-CN202110338689.9有效
发明人： 张法碧;王长杰;周娟;李海鸥;孙堂友;傅涛;肖功利;陈永和;刘兴鹏;李琦;洪莉;邓艳容 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明提供一种稀土共掺杂的氧化镓荧光材料及其制备方法和应用，属于无机荧光材料技术领域，该荧光材料采用稀土Eu和Ce共掺杂氧化镓，利用水热法制得具有发光性能且发光性能良好的荧光材料。该方法制备工艺简单，成本低廉，对设备要求不高，反应条件温和、绿色环保，使用表面活性剂可避免纳米粒子团聚，制得的产物具有粒度分布均匀，分散性良好，形貌易于控制等优点。其中稀土作用分别是，铕作为发光中心，是激活剂，铈的作用是增强发光，是助激活剂。本发明制备的荧光材料具有发光特点，有较好的应用前景。
一种稀土掺杂氧化荧光材料及其制备方法应用

[发明专利]一种铟镓氧化物纳米材料的制备方法-CN202310096428.X在审
发明人： 张法碧;吴阳;周娟;李海鸥;孙堂友;陈永和;刘兴鹏;李琦;王阳培华;廖清;陈赞辉;首美花;彭英;傅涛;肖功利 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本申请提供一种铟镓氧化物纳米材料的制备方法，通过该方法可制备出性能优异的铟镓氧化物纳米线，可作为日盲波段探测器的材料。该制备方法使用金属Ga和金属In作为反应原料通过化学气相沉积法制备铟镓氧化物纳米材料，降低了反应所需温度，因而降低了制造成本，且制备出的铟镓氧化物纳米材料表面光滑，粗细均匀，且本申请的制备方法简单，可重复性强。
一种氧化物纳米材料制备方法

[发明专利]相控阵天线及雷达装置-CN202310031901.6在审
发明人： 张法碧;陈志成;李海鸥 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01Q21/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种相控阵天线及雷达装置，本申请提供的相控阵天线，将相控阵天线辐射单元层贴合在第一基板的第一面，而将第一基板的第二表面设置成具有不同高度的第一区域和第二区域，以将具有耦合间隙阵列的接地板贴合在高度相对较低的第二区域上，再在接地板的另一面贴合第二基板，然后分别在第一基板的第一区域以及第二基板远离接地板的一面贴合射频前端电路层和馈电网络层，以通过馈电网络层将射频前端电路层输出的射频信号和/或电磁波发射控制信号反馈至相控阵天线辐射单元层，从而使得相控阵天线辐射单元层分时以相应的扫描角度辐射电磁波。因此，本申请提供的相控阵天线的带宽较大，且结构简单，制备成本低，容易实现。
相控阵天线雷达装置

[发明专利]一种二维材料阻变存储器及其制备方法-CN202110481388.1有效
发明人：孙堂友;涂杰;刘云;石卉;李海鸥;傅涛;刘兴鹏;王阳培华;肖功利;张法碧 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料阻变存储器及其制备方法，相比于化学气相沉积制备的阻变存储器具有制备方便和对设备没有依赖性等优势，对于滴铸、旋涂等方法制备的阻变存储器又具有均匀性好，重复性好，制备简单等优势。利用本发明所述方法制备的二维材料阻变存储器所展示了6个数量级的开关比，相比于其他传统材料在几十纳米以下表现出的2到3个数量级具有明显优势，并且高于基于滴铸法和旋涂法制备的二维材料阻变存储器所展示的4到5个数量级，在制备简单、对设备依赖性不高的情况下能够达到与化学气相沉积所制备的二维材料阻变存储器(7个数量级)相似的开关比，在这样的高开关比下阻变存储器还具有着多级储存的潜力。
一种二维材料存储器及其制备方法

[发明专利]一种稀土铽和稀土钆共掺氧化镓荧光材料及其制备方法和应用-CN202211727159.4在审
发明人： 张法碧;张荣辉;周娟;李海鸥;孙堂友;陈永和;刘兴鹏;李琦;王阳培华;廖清;陈赞辉;首美花;彭英;万荣桥;傅涛;肖功利 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本申请提供一种稀土铽和稀土钆共掺氧化镓荧光材料及其制备方法和应用，该荧光材料的化学组成通式为(TbXGdYGa1‑X‑Y)2O3，其中，X的取值范围为0.01≤X≤0.05，Y的取值范围为0.01≤Y≤0.10。其制备方法为先分别配置一定浓度的硝酸铽、硝酸钆和硝酸镓水溶液，再按化学组成通式所对应的化学计量比分别量取相应溶液并混合均匀，并滴加氨水调节溶液pH值，然后将混合溶液转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中进行水热反应，反应结束后对产物进行离心、洗涤、干燥及退火，即可得到稀土铽和稀土钆共掺氧化镓荧光材料。本申请的制备方法较为简单，所制备的荧光材料可在365nm紫外光激发下发射543nm的绿光，发光强度远远高于稀土铽掺杂氧化镓荧光材料，可广泛应用于发光领域。
一种稀土钆共掺氧化荧光材料及其制备方法应用

[发明专利]一种稀土铽掺杂氧化镓荧光材料的制备方法及其应用-CN202211459965.8在审
发明人： 张法碧;张荣辉;周娟;李海鸥;孙堂友;陈永和;刘兴鹏;李琦;王阳培华;廖清;陈赞辉;首美花;彭英;万荣桥;傅涛;肖功利 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本申请提供一种稀土铽掺杂氧化镓荧光材料的制备方法及其应用，该荧光材料的化学组成通式为(TbXGa1‑X)2O3，其中，X的取值范围为0.01≤X≤0.10。其制备方法为先分别配置一定浓度的硝酸铽和硝酸镓水溶液，再按化学组成通式所对应的化学计量比分别量取相应溶液并混合均匀，并滴加氨水调节溶液pH值为8～9，然后将溶液转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中进行水热反应，反应结束后对产物进行离心、洗涤、干燥及退火，即可得到稀土铽掺杂氧化镓荧光材料。本申请的制备方法制备工艺较为简单，所制备材料可在365nm紫外光激发下发射543nm的绿光，发光效果较好，可广泛应用于发光领域。
一种稀土掺杂氧化荧光材料制备方法及其应用

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