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[发明专利]一种频率幅度调控输出电压电路及运用其的电荷泵-CN202310948673.9在审
发明人：彭铭怡;张正璠 -专利权人：杭州芯正微电子有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，公开了一种频率幅度调控输出电压电路及运用其的电荷泵，包括采样的电荷泵输出电压VP、公共电压VCC、电阻R1、电阻R2、时钟开关S1、时钟开关S2、电容C1、电容C2、MOS管M1、变频器和运算放大器：基于由于采样的电荷泵输出电压VP通过电阻R1和电阻R2分压后得到的电压值与基准电压Vref相比，获取能够线性浮动的MOS管M1栅极电压Vref；以及对基准电压Vref和采样的电荷泵输出电压VP进行比对的运算电路，整体构成负反馈，通过调节基准电压的大小和分压电阻网络能够随意调节输出VP值的大小，能够直观的通过调节基准电压的大小就能调节输出VP电压的大小。
一种频率幅度调控输出电压电路运用电荷

[发明专利]空间电磁波纵向偏振调制的调制器件及其构造方法-CN202310023648.X有效
发明人：李继涛;张正璠 -专利权人：杭州芯正微电子有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H04J14/06 文献下载
摘要：本发明涉及偏振调制技术领域，尤其涉及空间电磁波纵向偏振调制的调制器件及其构造方法，调制器件包括器件本体，器件本体内设置有多个亚波长尺度的人工微结构单元；方法包括设计复合元胞、设计相位分布以及重复上述，直至完成构造，本公开的调制器件将入射线偏振电磁波首先进行偏振分解，然后在传播轴上进行偏振再构，再构波仍是线偏振波，不同在于，新的线偏振波将随着传播距离增大而不断旋转，这将便于执行用户自定义的偏振调制；同时本公开提供了高度集成的小体积调制器件，优化了现有技术的体积庞大的空间调制器。
空间电磁波纵向偏振调制器件及其构造方法

[发明专利]一种单双极晶体管浮动带隙基准电路-CN202310782781.3在审
发明人：胡欢;张正璠 -专利权人：杭州芯正微电子有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种单双极晶体管浮动带隙基准电路及基准电源，包括第一电源I1、第二电源I2、第三电源I3、压控电流源I、双极晶体管、全差分运放、共模反馈运放、开关和电容，通过基于第一电源I1、第二电源I2、双极晶体管与开关协作产生的正向电压VAB1和第一电源I1、双极晶体管与开关协作产生的正向电压VAB2的电压差而生成的带隙基准，再通过共模反馈控制环路获得稳定输出的共模电压；本发明通过采用单个双极晶体管，在节约了芯片面积，避免双极晶体管之间的失配问题，同时通过采用开关电容电路来调整正温系数电压和负温系数电压之间的叠加比例，可获得更加精确的比例值。
一种双极晶体管浮动基准电路

[发明专利]基于ZYNQ平台实现多片FPGA远程调试方法及系统-CN202310873732.0在审
发明人：成奇兵;张正璠 -专利权人：杭州芯正微电子有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明公开了基于ZYNQ平台实现多片FPGA远程调试方法及系统，调试系统工作时：PC调试机运行FPGA调试EDA软件，并在ZYNQ管理单元的PS端运行的协议处理功能软件，在ZYNQ管理单元的PL端实现的JTAG时序转换逻辑，最后完成ZYNQ管理单元对目标FPGA单元的调试，本发明仅需要使用一条网线就可以实现对数字信号处理系统内的多片FPGA进行在线调试，大大降低了调试成本和硬件设计复杂度。
基于 zynq 平台实现 fpga 远程调试方法系统

[发明专利]一种运算放大器电路、运算放大器及包络跟踪电源-CN202211432528.7有效
发明人：邢德智;张正璠 -专利权人：杭州芯正微电子有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及模拟电路技术领域，尤其涉及一种运算放大器电路、运算放大器及包络跟踪电源，其包括差分输入级、输出级以及AB类输出级反馈控制环路；其中差分输入级包括NPN晶体管Q1与Q2，Q1与Q2的发射区分别对应联通负反馈电阻R1与R2；输出级包括NPN晶体管Q14和Q15；AB类输出级反馈控制环路包括PNP晶体管Q3、Q4、Q5以及NPN晶体管Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13，本公开大大减少了运算放大电路的总谐波失真，同时优化了整体功耗，得到了与互补双极工艺性能相当的高压宽带运算放大器以及相关运算放大电路。
一种运算放大器电路包络跟踪电源

[发明专利]基于温度补偿的电压基准电路-CN201110216587.6有效
发明人：李婷;张正璠;徐鸣远;王育新;刘涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于温度补偿的电压基准电路，包括正温度系数生成单元、负温度系数生成单元、温度补偿电路、镜像电路和分压电路；利用T项来补偿T项，利用Tln(T)项来补偿Tln(T)项，使电压基准电路补偿的针对性更强；输出基准电压与T和Tln(T)无关，得到零温度系数的基准电压；可以通过调节分压电路中电阻的比例关系来确定输出电压值，本发明提供的电压基准电路具有补偿针对性强、零温度系数、输出电压值可调的优点，有效克服了传统电压基准电路补偿针对性弱、温度系数不能完全消除、输出电压值固定的缺点，本发明可广泛应用于模拟IC和数模混合IC领域。
基于温度补偿电压基准电路

[发明专利]混合晶向硅衬底的制造方法-CN201110161889.8无效
发明人：崔伟;谭开州;张静;徐世六;张正璠;杨永晖;陈光炳;徐学良;王斌;陈俊;梁涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2011-06-16 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种混合晶向硅衬底的制造方法。采用常规的硅硅晶片键合、光刻、腐蚀、常规外延、化学机械抛光和减薄工艺，就能制成混合晶向的硅衬底。只需使用一块掩膜版，无需淀积SiO2做为掩蔽层，不需做SPACER氧化和槽隔离。具有工艺简单、外延层生长速度稳定可控，材料表面平整、缺陷少等优点，具有高的压阻系数特性，对压力敏感。它适用于15～40V的高压模拟集成电路和MEMS器件的制造领域。
混合衬底制造方法

[发明专利]增加高压集成电路器件集成密度的半导体结构及制造方法-CN201010282675.1有效
发明人：谭开洲;张静;张正璠 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2010-09-16 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种增加高压集成电路器件集成密度的半导体结构及制造方法，针对高压集成电路采用PN结隔离和穿透扩散占用较大面积以及常规深槽隔离存在高台阶、高电场、高应力和不良钳位隐患的问题，本发明采用深槽扩散隔离和深槽穿透扩散结构，实现了对高压器件集成密度的提高及器件性能的提升。采用本发明方法，最大可以缩小35％以上的高压集成电路面积，提高了高压集成电路的集成密度，相对于普通穿透结构可以减薄外延层厚度，简化高压集成电路器件结构的工艺设计，有效地解决了常规深槽隔离结构存在的高台阶、高电场、高应力和不良钳位隐患。本发明方法适用于高压半导体器件和集成电路的结构设计及制造领域。
增加高压集成电路器件集成密度半导体结构制造方法

[发明专利]双极归零信号发生电路-CN200810069219.1无效
发明人：舒辉然;李儒章;张正璠;张加斌 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2008-01-09 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H03K19/0948 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极归零信号产生电路。它主要由两个与非门andNot1和andNot2、两个驱动电路drive1、drive2和四个开关SW1－SW4组成。本发明电路利用基于P阱的NMOS管和PMOS管构成的开关，切换接近正、负电源的信号和地电平信号；利用基于P阱的NMOS管的衬底和源极接负电源后，与PMOS管构成的电平转换驱动电路，将0～正电源之间的“0”、“1”信号转换成负电源～正电源之间的“0”、“1”信号。本发明结构新颖，电路简单合理，通过CMOS电路设计，并采用硅栅P阱CMOS工艺制造，实现了一种产生双极归零信号的电路。它可广泛应用于通信专用电路中。
双极归零信号发生电路

[发明专利]一种高电源抑制比的E/D NMOS基准电压源-CN200710092408.6无效
发明人：胡永贵;张正璠;朱冬梅;许云;余金锋;王敬;廖良 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2007-07-11 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电源抑制比的E/D NMOS基准电压源，它含有：一个E/D NMOS预基准源电路，其输出为基准源电路供电，包括四个耗尽型NMOS管和四个增强型NMOS管；一个基准源电路，包括四个耗尽型NMOS管和四个增强型NMOS管。本发明的基准源结构新颖，电路结构简单合理，不需要三极管、电阻、电容等，在普通的硅栅P阱CMOS工艺上，只需增加耗尽型NMOS的调沟注入即可，大大简化了工艺，降低成本。由于有了预基准源电路的初步稳压，使得基准源电路的输入电压受电源电压变化的影响很小，大大提高了基准电压源的电源抑制比，其电源抑制比可达到75dB以上。它可广泛应用于模拟集成电路中的电源管理电路，尤其是低压差线性电源领域。
一种电源抑制 nmos 基准电压

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