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[发明专利]一种激光电池组件-CN202210817562.X有效
发明人： 张无迪;高鹏;王赫;姜明序;倪旺;王宇;赵一聪;孟占昆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光电池组件，属于光伏电池技术领域，包括：绝缘衬底、M个激光电池单元、隔离槽、绝缘层、桥联电极。激光电池单元包括下电极，电池外延有源层，上电极，减反射结构。隔离槽将激光电池单元分离，绝缘层将激光电池单元侧壁绝缘钝化，桥联电极将相邻激光电池单元上下电极连接，实现相邻激光电池单元电学连接，将M个激光电池单元依次串联。该结构激光电池组件在远距离高功率的激光无线传能应用中，可兼顾电池效率与适用性。
一种激光电池组件

[发明专利]一种太阳电池的电极选择性低温退火方法-CN202211482024.6在审
发明人：王赫;张无迪;姜明序;王宇;高鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池的技术领域，具体涉及一种太阳电池的电极选择性低温退火方法，包括在氮气保护下，对金属电极及其与半导体的接触界面进行周期性快速升温脉冲式退火，其中，每个周期内的电控脉冲的占空比为1:5，每个周期内的退火温度不超过200℃的温度，每个周期内的加热时间不多于1分钟，每个周期内加热的升温速率不大于5℃/s，之后，检测金属电极与半导体的接触电阻。本发明有效地解决了太阳电池的金属电极之间及与半导体材料的欧姆接触的问题，同时控制了热量作用深度和范围，避免了对电池中的有机材料粘结层等不耐高温材料的损害，在提升电池性能的同时，解决电池成品率问题。该方法可以适用于大多数需要低温退火的器件。
一种太阳电池电极选择性低温退火方法

[发明专利]一种激光光伏器件的成型工艺-CN202210817883.X在审
发明人： 张无迪;高鹏;王赫;倪旺;姜明序;王宇;张丽丽;孙斌玮 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光光伏器件的成型工艺，属于光伏电池技术领域，包括：外延制备反向III‑V族半导体激光电池有源层；采用图形金属键合工艺实现电池有源层向绝缘衬底的转移；制作电池上电极与桥联电极；制作电池表面减反射结构；划片，分割出内级联激光光伏器件。本发明将图形金属键合技术引入激光光伏器件制备工艺中，整体工艺中仅进行一次刻蚀工艺，减少了刻蚀中侧蚀引起的电池有效面积的损失。可有效提升电池光电转换效率。
一种激光器件成型工艺

[发明专利]一种硅基-砷化镓太阳电池及其制备方法-CN202111152281.9在审
发明人：张璐;张无迪;王赫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基‑砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域，包括：一、制备硅太阳电池；二、制备砷化镓太阳电池；三、在硅太阳电池与砷化镓太阳电池上蒸镀半透明金属电极；四、利用金属键合技术将硅太阳电池与砷化镓太阳电池键合；五、采用化学腐蚀的方法将砷化镓太阳电池中的牺牲层腐蚀，砷化镓衬底被剥离得到硅基‑砷化镓叠层太阳电池；六、利用PVD的方法分别在上层砷化镓太阳电池的表面制作硅基‑砷化镓叠层太阳电池的上电极，在硅太阳电池的背面制作硅基‑砷化镓叠层太阳电池的下电极；七、利用PVD的方法在硅基‑砷化镓叠层太阳电池的上表面制备电池减反射膜；八、切割，得到所需尺寸的硅基‑砷化镓叠层太阳电池。
一种砷化镓太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种多孔碳包覆碲化锑纳米片的制备方法及其作为金属离子电池负极材料的应用-CN201811567929.7有效
发明人：张朝峰;张无迪;张大伟;邱立峰;饶娟;丘德立;陈东 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔碳包覆碲化锑纳米片的制备方法及其作为金属离子电池负极材料的应用，其特点在于：首先通过水热法获得碲化锑纳米片，然后采用液相反应技术在碲化锑纳米片外包裹间苯二酚‑甲醛树脂，最后通过高温碳化使间苯二酚‑甲醛树脂转化为多孔碳，即获得多孔碳包覆碲化锑纳米片。本发明产物制备方法简单，所用原料廉价易得，应用于金属(锂、钠)离子电池显示出较好的循环稳定性以及高的循环比容量，电化学性能优异。
一种多孔碳包覆碲化锑纳米制备方法及其作为金属离子电池负极材料应用

[发明专利]一种基于表面修饰与活化的低温半导体直接键合方法-CN202011560571.2在审
发明人：王赫;刘兴江;张无迪;高鹏;姜明序;王宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池技术领域，涉及一种基于表面修饰与活化的低温半导体直接键合方法。包括如下步骤：S1、采用化学机械抛光工艺对不同衬底上生长的III‑V族外延层表面进行全局平坦化抛光处理；S2、在兆声条件下采用浓度1％‑5％酸性或碱性溶液对外延层表面进行化学清洗；S3、外延片清洁甩干后进入键合机；在真空和加热条件下采用甲酸/氮气混合气体对键合层表面进行化学性质活化处理；S4、最后进行半导体直接键合和退火加固。本发明有效去除了键合界面杂质和氧化物，界面结晶质量良好，界面电阻率显著降低。相比于等离子活化技术，在取得相近键合效果的基础上，本发明的设备结构和工艺流程简单，成本显著降低，适合工业化生产。
一种基于表面修饰活化低温半导体直接方法

[发明专利]一种具有高抗辐照能力的四结太阳电池结构及其制备方法-CN201811628885.4有效
发明人：薛超;高鹏;姚立勇;姜明序;张无迪;刘丽蕊;王宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高抗辐照能力的四结太阳电池结构及其制备方法，结构包括依次设置的金属薄膜衬底、高反射率金属层、介质层、薄型四结外延层；方法包括采用金属有机化学气相沉积技术制备薄型四结外延层；在外延片表面制备全方位反射器，采用等离子体增强化学气相沉积技术生长介质层，在介质层上腐蚀出周期性的微孔，在外延片表面蒸镀上高反射率的金属材料；采用电镀技术在全方位反射器表面制备金属薄膜衬底；通过化学腐蚀分别去掉砷化镓衬底和GaInP腐蚀停止层。本发明的有益效果：四个子电池的厚度大幅度减薄，大幅度降低了带电粒子辐射对四结电池的损失，减少了缺陷密度，提高了四结电池的抗辐照能力，从而促进四结电池在航天领域的应用。
一种具有辐照能力太阳电池结构及其制备方法

[实用新型]一种室外LED显示屏用箱体-CN201922076016.1有效
发明人：闫浩;周建基;许建华;洪超;张无迪 -专利权人：广州澄通睿视科技有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种室外LED显示屏用箱体，包括用于放置显示模组的箱体面板，箱体面板的背面一侧设置有用于为该显示模组供电的电源固定结构，电源固定结构包括电源插座、用于固定电源插座的定位台座、以及护板，定位台座具有与电源插座相匹配的卡槽，卡槽的开口朝向箱体面板的背面一侧，电源插座以可横向插拔的姿态安装在卡槽中，护板可拆卸地连接在定位台座上并且能够压紧电源插座。本实用新型将电源插座的插拔方式改为横向插拔，解决了现有箱体因内部接插件导致的整体厚度偏大问题，箱体可以做到更加轻薄，节约了成本，减少现场安装维护空间。
一种室外 led 显示屏箱体

[实用新型]LED显示屏的显示模组-CN201922081818.1有效
发明人：闫浩;周建基;许建华;洪超;张无迪 -专利权人：广州澄通睿视科技有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED显示屏的显示模组，包括与一箱体连接的底壳、位于该箱体与底壳之间的防水胶垫、以及可拆卸地固定在底壳上的面罩，底壳的背部开设有沿其周向边缘延伸的防水槽、以及沿防水槽的槽底凹陷形成的沟槽，防水胶垫包括胶垫主体、凸出于胶垫主体的连接部，连接部与沟槽之间配合连接，胶垫主体嵌入防水槽中。本实用新型设置了与防水胶垫之间配合的双防水结构，有效解决了室外显示模组与箱体安装时的进水问题，防水效果好，保证了显示屏整体的质量稳定性。
led 显示屏显示模组

[发明专利]一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法-CN201610855761.4有效
发明人：姜明序;石璘;姚立勇;张无迪;刘丽蕊;薛超;高鹏;张恒;张启明;唐悦;刘如彬;李慧;王立功;王宇;宋健;吴艳梅;肖志斌;孙强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法，在有机柔性衬底和外延衬底上分别涂覆有机粘结剂；有机柔性衬底为有机薄膜，外延衬底为砷化镓衬底，砷化镓衬底与外延层之间加入GaInP阻挡层构成外延片，被两块石墨片夹紧的外延片及有机薄膜一起放入真空热压机中进行紧密贴附工艺；将贴附完成的外延片及有机薄膜一并取出，放入腐蚀液中进行衬底腐蚀去除砷化镓衬底，再用盐酸或磷酸腐蚀液去除GaInP阻挡层，制得柔性外延层。本发明通过有机薄膜作为外延转移支撑衬底，利用有机粘结剂和真空热压辅助贴合工艺提高可靠性和成品率，能够使砷化镓外延产品实现减轻重量、减薄厚度，柔性可弯折、耐酸碱环境，具有更广泛的应用范围。
一种将砷化镓外延转移有机柔性衬底方法

[发明专利]钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池-CN201611256820.2有效
发明人：薛超;高鹏;张无迪;刘如斌;孙强;肖志斌;王宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池；其特征在于：包括如下步骤：步骤1、分别制备多结砷化镓电池和钙钛矿电池；步骤2、在多结砷化镓电池和钙钛矿电池表面通过光刻和镀膜工艺制备金属栅线；步骤3、通过金属键合工艺将多结砷化镓电池和钙钛矿电池键合集成在一起。本发明采用高禁带宽度的钙钛矿太阳能电池作为子电池代替多结砷化镓太阳能电池的顶电池，解决三结以上多结砷化镓太阳能电池高禁带宽度的顶电池制备困难的问题。显著提高了三结以上多结砷化镓太阳能电池的光电转换效率。采用金属键合的方式，将钙钛矿太阳能电池和多结砷化镓太阳能电池通过金属栅线级联起来，方便的实现了异质集成，工艺成熟重复性好。
钙钛矿砷化镓异质集成太阳能电池制造方法电池

[发明专利]一种砷化镓-硅多结高效太阳电池的制备方法-CN201611254346.X有效
发明人： 张无迪;高鹏;薛超;刘丽蕊;张清旭;姜明序;石璘 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓‑硅多结高效太阳电池的制备方法；其特征在于：至少包括如下步骤：步骤101、采用扩散或者离子注入的方式制备Si太阳电池；步骤102、制备GaAs太阳电池；步骤103、在Si太阳电池与GaAs太阳电池上分别制备相同尺寸的金属栅线电极作为接触电极；步骤104、使用透明环氧树脂将Si太阳电池与GaAs太阳电池按照接触电极图形对准键合；步骤105、采用衬底剥离复用技术，使用HF酸将AlAs牺牲层腐蚀掉，得到GaInP/InGaAs/Si 3结叠层太阳电池与复用的GaAs衬底；步骤106、制作电池上下电极；步骤107、制备电池减反射膜。
一种砷化镓硅多结高效太阳电池制备方法

[发明专利]一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法-CN201510899914.0有效
发明人：姜明序;石璘;张无迪;刘丽蕊;薛超;高鹏;张恒;张启明;唐悦;刘如彬;李慧;王立功;王帅;王宇;宋健;吴艳梅;肖志斌;孙强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法，使用金属箔作为转移支撑衬底，有效减轻器件重量，提高重量比功率，同时具有柔性功能。使用金属键合方法，具有稳定且良好导电性的连接方式，采用真空蒸发的方式制备键合金属层，易于实现厚度控制且均一性好。采用石墨片作为缓冲垫片，可以有效改善键合质量，减少空洞，提高成品率。本发明应用金属键合工艺转移砷化镓外延层至金属柔性衬底。可实现轻便化，柔性化的技术特点。可扩展Ⅲ‑Ⅴ族外延产品的应用范围。
一种将砷化镓外延转移金属柔性衬底方法

[发明专利]一种量子点五结太阳能电池的制备方法-CN201510271452.8有效
发明人：高鹏;薛超;张无迪;刘如彬;肖志斌;孙强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池领域，主要公开了一种量子点五结太阳能电池的制备方法。该电池采用MOCVD技术外延正向生长制备InP两结太阳能电池以及外延反向生长制备GaAs三结太阳能电池，通过半导体直接键合工艺将InP两结太阳能电池和GaAs三结太阳能电池键合为量子点五结太阳能电池，制备所得电池的结构依次为GaAs帽层、第一结AlxGa1‑xIn0.5P电池、第一隧穿结、第二结AlxGa1‑xAs电池、第二隧穿结、第三结GaAs电池、第三隧穿结、键合接触层、第四结InxGa1‑xAsyP1‑y电池、第四隧穿结、第五结InxGa1‑xAs电池、InP缓冲层和InP衬底。本发明的有益效果是该方法降低了电池制备过程中因外延生长操作失误所造成原材料浪费现象的发生概率；此外，该电池的制备方法中半导体直接键合工艺操作简单易行，提高了电池生产的效率。
一种量子点五结太阳能电池制备方法

[发明专利]一种带有集成式旁路二极管的太阳电池的制备方法-CN201611226315.3在审
发明人：石璘;王宇;姜明序;张无迪;薛超;刘丽蕊;高鹏;刘如彬;张启明;肖志斌;孙强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有集成式旁路二极管的太阳电池的制备方法。本发明属于太阳电池技术领域。带有集成式旁路二极管的太阳电池的制备方法(1)制备三结太阳电池外延片，表面涂覆光刻胶；(2)采用光刻显影，在光刻胶上绘制二极管区域与电池区域的隔离槽；(3)腐蚀外延片，制备隔离槽，将二极管区域和电池区域的GaInP/GaAs子电池分离开；(4)腐蚀外延片，将二极管区域和电池区域的Ge子电池分离开；(5)在外延片表面重新涂覆光刻胶；(6)在光刻胶上绘制旁路二极管区域；(7)腐蚀外延片，将GaInP外延层去除；(8)在外延片表面重新涂覆光刻胶；(9)采用光刻显影，在光刻胶上绘制上电极图形；(10)制备上电极，完成后续工序。本发明具有体积小，重量轻，可弯折，工艺简单，成本低等优点。
一种带有集成旁路二极管太阳电池制备方法

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