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[发明专利]硅基尺寸可控β-Ga2-CN202110853195.4在审
发明人：黄健;顾克云;尚艺;邓洁;刘尊;张志洛;丁可可;张子龙;唐可;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基尺寸可控β‑Ga2O3纳米线的制备方法，所述硅基尺寸可控β‑Ga2O3纳米线的制备工艺是：首先在单晶Si(100)衬底上沉积不同厚度的金(Au)催化层，并对催化层进行原位球化退火，得到不同尺寸的Au纳米颗粒，然后进行磁控溅射生长β‑Ga2O3纳米线并原位退火，得到不同尺寸的β‑Ga2O3纳米线。本发明通过调控β‑Ga2O3纳米线的尺寸可得到具有缺陷少、电阻率高、均匀致密等优点的β‑Ga2O3纳米线。本发明制备的不同的尺寸的β‑Ga2O3纳米线在日盲紫外探测器应用中表现出优异的性能，在军事领域可应用于导弹逼近预警系统、紫外通信、紫外成像导航等，在民用领域的汽车尾气检测、火焰检测、指纹检测等方面有广阔的应用前景。
尺寸可控 ga base sub

[发明专利]具有复合衬底结构的CZT薄膜材料及其制备方法-CN202011347355.X在审
发明人：黄健;黄浩斐;陈卓睿;尚艺;张志洛;唐可;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C25B11/069 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合衬底结构的CZT薄膜材料及其制备方法，所述碲锌镉薄膜采用基片‑复合衬底‑半导体的三明治结构的组合形式。所述复合衬底结构是由氧化锌基薄膜层与金属催化层进行层叠组装结合的结构。本发明在传统碲锌镉薄膜生长过程中采用复合衬底结构。与传统生长方式相比，本发明所采用的复合衬底结构技术，得到的薄膜生长速度更快，薄膜晶粒尺寸更大，薄膜晶体质量更高，薄膜表面形貌可调控。本发明制备的薄膜材料对于能源、公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域能源获取、安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
具有复合衬底结构 czt 薄膜材料及其制备方法