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[发明专利]一种改善器件HCI效应的方法-CN202310108604.7在审
发明人：邢万里;何建禹;张广冰;赵正元 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种改善器件HCI效应的方法，包括提供衬底，并在衬底上形成栅极；在栅极的两侧形成第一侧墙；以栅极和第一侧墙为掩膜，在衬底中进行源漏离子注入并退火；利用湿法刻蚀工艺去除第一侧墙；以栅极为掩膜，在衬底中进行第一次LDD离子注入；在栅极的两侧形成厚度小于第一侧墙的第二侧墙；以栅极和第二侧墙为掩膜，在衬底中进行第二次LDD离子注入并退火。本发明将源漏离子注入并退火放到LDD离子注入并退火之前，消除了源漏区域退火工艺对LDD区域的影响，并减少了LDD区域退火热预算，而且利用侧墙先后进行两次LDD离子注入，降低了LDD离子浓度梯度，改善了HCI效应，并且本发明形成的侧墙宽度低于传统的侧墙宽度，增大了后续光刻工艺的窗口。
一种改善器件 hci 效应方法

[发明专利]控制光刻时栅极与有源区之间准确对位的方法-CN202211508324.7在审
发明人：何建禹;张广冰;李番番;赵正元 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请提供一种控制光刻时栅极与有源区之间准确对位的方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有浅沟槽；对浅沟槽实施预清洗处理之后，执行第一次晶圆翘曲度测量；在浅沟槽的侧壁和底壁上形成内衬层；执行第二次晶圆翘曲度测量，得到两次测量值的差值；形成隔离层，填满浅沟槽；降低隔离层突出衬底的高度，以形成浅沟槽隔离结构；根据晶圆翘曲度两次测量值的差值，判断是否对退火处理的温度进行补偿处理；进行退火处理后，在衬底上依次形成栅极介质层和栅极层。通过对实施的退火处理的温度以及可选地对形成的栅极介质层采用的热氧化工艺的温度进行补偿处理，可以控制晶圆的翘曲度的变化，从而控制通过光刻形成栅极图案时栅极与有源区之间的准确对位。
控制光刻栅极有源之间准确对位方法

[发明专利]光刻后离子注入的方法-CN202211345860.X在审
发明人：邢万里;张广冰;高飞 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻后离子注入的方法，包括：进行第一次离子注入，第一次离子注入用于去除衬底上在显影过程中产生的电荷，衬底上通过光刻工艺覆盖有光阻，暴露出需要进行离子注入的区域；进行第二次离子注入，第二次离子注入用于对衬底上暴露的区域进行掺杂。本申请通过在对衬底进行光刻曝光后，进行第一次离子注入以去除光阻在显影过程中产生的电荷，再通过第二次注入进行掺杂，从而避免了光阻表面的电荷对掺杂所带来的影响，在一定程度上提高了器件的可靠性和良率。
光刻离子注入方法

[发明专利]闪存器件的制作方法-CN202211196893.2在审
发明人：何建禹;张广冰 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本申请公开了一种闪存器件的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上从下而上依次形成有耦合氧化层、浮栅多晶硅层、第一ONO层以及控制栅多晶硅层，控制栅多晶硅层上形成有硬掩模层，硬掩模层中形成有沟槽，沟槽底部的控制栅多晶硅层暴露；形成隔离层；进行刻蚀，去除硬掩模层顶部和沟槽底部预定区域的隔离层，使预定区域的控制栅多晶硅层暴露，剩余的隔离层位于沟槽侧壁；进行刻蚀，去除隔离层之间的控制栅多晶硅层和第二氧化层，使隔离层之间的第一氮化层暴露；通过RTO工艺形成第三氧化层；形成第二氮化层；进行刻蚀，去除沟槽底部的第二氮化层、第一氮化层，以及硬掩模层上方的第二氮化层；形成第四氧化层。
闪存器件制作方法

[发明专利]CMOS器件的制造方法-CN202111370237.5在审
发明人： 张广冰;许忠义 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS器件的制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成牺牲氧化层；对所述牺牲氧化层和所述衬底执行氟离子注入工艺，所述氟离子注入和扩散至部分厚度的所述衬底中；去除牺牲氧化层；以及采用热氧化工艺在衬底上形成栅氧化层，其中，所述衬底表面的氟离子参与所述热氧化工艺以在所述栅氧化层中形成硅氟键。本申请通过对牺牲氧化层和衬底注入氟离子，氟离子注入和扩散到衬底中，从而在衬底上形成栅氧化层时，氟离子可以参与热氧化工艺，从而在衬底与栅氧化层的交界处以及栅氧化层中形成大量的稳定的硅氟键，硅氟键的键能较大，可以减小衬底与栅氧化层界面的晶格失配，减少栅氧化层的界面态密度，从而提高栅氧化层的晶体质量。
cmos 器件制造方法

[发明专利]用于夹持晶圆以对其进行腐蚀的夹具-CN201110450162.1有效
发明人： 张广冰;袁敏杰;姚承锡;季勇 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种可夹持晶圆的夹具。本发明所述的用于在半导体晶圆制造过程中夹持晶圆以对其进行腐蚀的夹具，包括第一夹持件，与第一夹持件枢接的第二夹持件，所述第一夹持件上设置有第一孔部，围绕所述第一孔部设置有第一密封件，在所述第一夹持件和所述第二夹持件压合后，第一孔部形成用以腐蚀夹持在所述第一夹持件和所述第二夹持件之间的晶圆的第一通道，所述第一密封件将晶圆待腐蚀区域与其它区域隔离开。通过本发明所述的夹具，可在晶圆制备过程中夹持晶圆以进行腐蚀，从而进行例如放大测试等工序。
用于夹持进行腐蚀夹具