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- [实用新型]电池-CN202320484704.5有效
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车泽伟;张国栋;彭宁
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浙江冠宇电池有限公司
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2023-03-14
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2023-07-18
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H01M50/538
- 本申请提供一种电池,包括外壳、电芯和顶盖,电芯设置于外壳和顶盖围成的腔体内,电芯包括电芯本体和极耳;多个极耳焊接连接,以形成第一焊印和第二焊印,第一焊印的最高焊点高度小于第二焊印的最高焊点高度,第一焊印的最高焊点和最低焊点之间的差值小于第二焊印的最高焊点和最低焊点之间的差值,极耳和顶盖之间通过第一焊印固定连接,多个极耳之间通过第二焊印紧密连接。本申请的电池,可以避免极耳和顶盖之间虚焊或者过焊。
- 电池
- [实用新型]一种电加热隔油提升设备-CN202320680284.8有效
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郑艳南;张国栋;刘杰龙;刘纪松
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山东中研环保设备有限公司
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2023-03-31
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2023-07-18
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C02F9/00
- 本实用新型一种电加热隔油提升设备,包括分离箱、保温层、隔板、第一支撑架、第二支撑架和第三支撑架,所述第一支撑架、第二支撑架和第三支撑架两侧分别滑动连接有分离箱内部开设有第一滑槽内部,所述第一支撑架、第二支撑架和第三支撑架分别依次固定连接有第一过滤网、第二过滤网和第三过滤网。本实用新型的优点:通过在隔板顶端设置有第一滑槽和第二滑槽,便于第一支撑架、第二支撑架和第三支撑架从左到右一侧排列,且在第一支撑架、第二支撑就爱和第三支撑架内部分别设置有第一过滤网、第二过滤网和第三过滤网,便于将油水中的杂质进行过滤,且通过将第一过滤网、第二过滤网和第三过滤网设置为由大到小的孔隙,便于过滤不同大小的杂物。
- 一种加热提升设备
- [发明专利]一种晶圆级封装的再处理方法-CN202310431692.4有效
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崔正山;程李标;张国栋;龙欣江
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江苏芯德半导体科技有限公司
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2023-04-21
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2023-07-14
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H01L21/02
- 本发明公开了一种晶圆级封装的再处理方法,该方法包括:如果不需要退PI层,只需要对晶圆进行退Bump、退Ti或TiW处理;如果需要退PI层,再处理方法包括退PI层(IPA浸泡)、退Bump、退Ti或TiW处理。本发明不仅解决了晶圆返工再处理时Al pad(芯片压区/铝衬垫)受损的问题,还可以针对WLCSP、Pillar、Solder等多类型产品所涉及的0P1M、1P1M、1P2M、2P2M等nPnM结构进行部分或者全部工序的再处理。采用本发明的再处理方法可以挽救低良的晶圆,将异常的工序进行返工再处理,甚至将晶圆产品恢复至来料状态,便于后续进行再次加工以提高晶圆良率,以此提高整个晶圆产品的良率。
- 一种晶圆级封装处理方法
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