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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有参数校准功能的存储设备及其操作方法-CN201810863665.3有效
发明人：金灿河;康淑恩;金志秀;卢承京;李东起;李允宑;李镇旭;李熙元;张俊锡;崔永夏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种包括控制器的存储设备的操作方法：从非易失性存储器接收读取数据；基于接收到的读取数据测量分别对应于非易失性存储器的多个存储单元块的多个阈值电压分布；基于所测量的多个阈值电压分布来测量多个存储单元块之间的分布变化；基于所测量的分布变化来动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及向非易失性存储器发送操作命令、地址和与该地址相对应的至少一个操作参数。
具有参数校准功能存储设备及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置和非易失性存储器的编程方法-CN202210966737.3在审
发明人：杨永辉;张俊锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的编程方法。非易失性存储器装置包括至少一个存储器块和控制电路。至少一个存储器块包括被划分为在竖直方向设置的多个堆叠件的多个单元串，并且多个堆叠件中的每个堆叠件包括至少一条伪字线。控制电路通过在编程执行时段期间将编程电压施加至多个单元串的选择的字线，并且通过在编程执行时段期间降低施加至多个堆叠件中的至少一个上堆叠件的至少一条伪字线的伪电压的电压电平，来控制编程操作。至少一个上堆叠件在竖直方向上设置在比选择的堆叠件高的位置处，并且来自多个堆叠件中的选择的堆叠件包括选择的字线。
非易失性存储器装置编程方法

[发明专利]非易失性存储装置以及操作非易失性存储装置的方法-CN202211096242.6在审
发明人：金俊镐;金真怜;朴世桓;李书荣;李知尚;张俊锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：提供了非易失性存储装置以及操作非易失性存储装置的方法。通过基于一个或更多个分组读取电压针对一条或更多条干扰源字线执行读取操作，来将连接到所述一条或更多条干扰源字线的干扰源存储单元分组成干扰源单元组，其中所述干扰源字线与存储块的字线当中的对应于读取地址的选定字线相邻。将连接到所述选定字线的选定存储单元分组成分别对应于所述干扰源单元组的选定单元组。确定分别对应于所述选定单元组的组读取条件并且基于所述组读取条件针对所述多个选定单元组执行组读取操作。通过根据操作环境的变化将所述选定存储单元分组成所述选定单元组来减少读取错误。
非易失性存储装置以及操作方法

[发明专利]闪存设备及其数据恢复读取方法-CN202211405464.1在审
发明人：朴恩香;张俊锡;朴世桓;李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：一种闪存设备包括与字线连接的存储器单元阵列和通过数据恢复读取操作对字线执行阈值电压补偿的控制逻辑。当在选择的字线之后对其执行编程的字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的数据恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。当在选择的字线之后对其执行编程的下一字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的前一字线的数据读取恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。
闪存设备及其数据恢复读取方法

[发明专利]存储器件、操作其的方法及操作包括其的存储设备的方法-CN202210916025.0在审
发明人：崔光浩;金珉奭;朴一汉;朴准镛;张俊锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：公开了存储器件、操作其的方法及操作包括其的存储设备的方法，所述存储器件包括历史表并且与存储控制器进行通信。一种操作所述存储器件的方法包括：从所述存储控制器接收指示所述存储器件中的第一存储块的第一核心操作的第一请求；响应于所述第一请求，参考所述历史表来确定所述第一存储块的历史数据具有第一值还是第二值；当确定所述第一存储块的历史数据具有所述第一值时，对所述第一存储块执行对应于第一类型的所述第一核心操作；以及在对所述第一存储块执行了对应于所述第一类型的所述第一核心操作之后，将所述历史表中的所述第一存储块的历史数据从所述第一值更新为所述第二值。
存储器件操作方法包括设备

[发明专利]存储设备和操作存储设备的方法-CN202111333481.4在审
发明人：朴世桓;金真怜;徐荣德;申东旻;张俊锡;曹诚敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：存储设备包括非易失性存储器件和控制非易失性存储器件的存储器控制器。非易失性存储器件包括存储单元阵列。存储单元阵列包括正常单元区域、奇偶校验单元区域和冗余单元区域。第一位线连接到正常单元区域和奇偶校验单元区域，第二位线连接到冗余单元区域。存储器控制器包括用于产生奇偶校验数据的纠错码(ECC)引擎。存储器控制器将用户数据存储在正常单元区域中，控制非易失性存储器件对第一位线中的第一缺陷位线执行列修复，将附加列地址分配给第一缺陷位线和第二位线，以及将奇偶校验数据的至少一部分存储在与附加地分配的列地址相对应的区域中。
存储设备操作方法

[发明专利]存储器件、存储系统及其操作方法-CN202111358539.0在审
发明人：金珉奭;张俊锡;金炯坤;李先庸 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种操作存储器件的方法，该方法包括：执行第一编程操作以形成多个第一阈值电压分布；以及基于偏移信息，通过使用粗略验证电压和精细验证电压来执行第二编程操作，以从多个第一阈值电压分布形成分别与多个编程状态对应的多个第二阈值电压分布，其中，偏移信息包括根据第二阈值电压分布的特性而变化的多个偏移。
存储器件存储系统及其操作方法

[发明专利]非易失性存储装置、其编程方法和具有其的存储设备-CN202111006312.X在审
发明人： 张俊锡;金炯坤;尹相范;金东煜;朴径秀;白世振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：提供了非易失性存储装置、其编程方法和具有其的存储设备。所述对非易失性存储装置进行编程的方法包括：在编程循环中执行单脉冲编程操作；确定在编程循环中条件是否被满足；以及当条件被满足时，在下一个编程循环中执行多脉冲编程操作。单脉冲编程操作包括施加第一编程脉冲和施加多个验证脉冲，多脉冲编程操作包括施加第二编程脉冲、施加第三编程脉冲和施加多个验证脉冲，并且第二编程脉冲和第三编程脉冲的电平均比第一编程脉冲的电平低。
非易失性存储装置编程方法具有设备

[发明专利]使用时间交错采样页面缓冲器执行读取操作的存储设备-CN202110838978.5在审
发明人：金志秀;金炯坤;朴商秀;张俊锡;金珉奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供了一种通过使用时间交错采样页面缓冲器执行读取操作的存储设备。所述存储设备利用特定时间差控制感测偶数页面缓冲器电路的位线的感测时间点以及感测奇数页面缓冲器电路的位线的感测时间点，并且以偶数感测和奇数感测的所述顺序执行奇偶感测(EOS)操作。所述存储设备执行两步EOS操作，并根据所述两步EOS操作的结果对选定存储单元执行主感测操作。
使用时间交错采样页面缓冲器执行读取操作存储设备

[发明专利]执行双向沟道预充电的非易失性存储器件及其编程方法-CN202110540240.0在审
发明人：曹诚敏;朴商秀;张俊锡;姜沂勋;崔容赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种在编程期间执行双向沟道预充电的非易失性存储器件。非易失性存储器件的编程操作在对选定存储单元进行编程之前，对多个单元串的沟道同时执行在位线方向上的第一预充电和在源极线方向上的第二预充电，以初始化所述沟道。所述第一预充电操作通过第一串选择晶体管和第二串选择晶体管使用被施加到所述位线的第一预充电电压对所述多个单元串的所述沟道进行预充电，而所述第二预充电操作通过第一接地选择晶体管和第二接地选择晶体管使用被施加到所述源极线的第二预充电电压对所述多个单元串的所述沟道进行预充电。
执行双向沟道充电非易失性存储器及其编程方法

[发明专利]存储器设备及其操作方法-CN202110742334.6在审
发明人：金佳林;金炯坤;李知尚;张俊锡;郑原宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成用于存储器单元的编程操作和验证操作的电压；以及控制逻辑，被配置为在向存储器单元阵列写入数据的同时执行多个编程循环，使得执行包括编程操作和验证操作的第一至第N(例如，N≥1)编程循环，并且当第N编程循环中的编程操作的通过/失败确定指示通过时，执行其中跳过验证操作的至少两个编程循环。
存储器设备及其操作方法

[发明专利]操作非易失性存储装置的方法和非易失性存储装置-CN201610842047.1有效
发明人：姜东求;尹翔镛;张俊锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：提供了一种操作非易失性存储装置的方法和非易失性存储装置。所述操作非易失性存储装置的方法的步骤包括：对多个存储块中的第一存储块执行第一存储操作；当在完成第一存储操作之后在等于或大于参考区间的区间期间状态信号指示非易失性存储装置的就绪状态时，对第一存储块的一部分执行固化操作。所述非易失性存储装置包括多个存储块，每个存储块包括相对于基底沿垂直方向延伸的多个垂直串。
操作非易失性存储装置方法

[发明专利]存储系统的操作方法-CN202011293965.6在审
发明人： 张俊锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储系统的操作方法，包括：将存储控制器中的多页面数据预编程到非易失性存储器件；基于所述多页面数据中的多位数据生成状态组代码，并且所述状态组代码中的每一个状态组数据的位数少于相应的所述多位数据的位数；检测在所述预编程之后是否发生突然断电；响应于检测到发生所述突然断电，将所述状态组代码备份到所述非易失性存储器件；在从所述突然断电恢复电力之后，基于所述状态组代码从所述非易失性存储器件恢复所述多页面数据；将所述多页面数据重新编程到所述非易失性存储器件；以及响应于检测到未发生所述突然断电，将所述存储控制器中的所述多页面数据重新编程到所述非易失性存储器件。
存储系统操作方法

[发明专利]非易失性存储器件的编程方法-CN201710058923.6有效
发明人： 张俊锡;郭东勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：公开了一种非易失性存储器件的编程方法，该非易失性存储器件包括耦合到字线的多个多电平单元，该方法包括：执行对所述多个多电平单元中的多比特数据的最低有效位LSB进行编程的LSB编程操作；以及执行对所述多个多电平单元中的多比特数据的最高有效位MSB进行编程的MSB编程操作，MSB编程操作包括MSB预编程操作和MSB主编程操作，MSB预编程操作对所述多个多电平单元当中的、待被编程到多个目标编程状态当中的最高目标编程状态的第一多电平单元进行MSB预编程，MSB主编程操作将所述多个多电平单元编程到与多比特数据相对应的所述多个目标编程状态。
非易失性存储器编程方法

[发明专利]非易失性存储器件及其读取方法-CN201910019862.1在审
发明人： 张俊锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：非易失性存储器件包括页缓冲器和控制逻辑。所述页缓冲器包括多个锁存器组，所述锁存器组锁存根据多个读取信号的多个第一读取操作的第一结果。所述第一读取操作从包括在多个存储器单元中的所选择的存储器单元的多个页数据中识别单个页数据。控制逻辑通过比较所述第一读取操作的第一结果来选择所述读取信号的一部分，并重置未选择的剩余读取信号。所述页缓冲器存储根据所选择的读取信号的第二读取操作的第二结果，并且存储根据重置的剩余读取信号的第三读取操作的第三结果。
读取操作读取信号页缓冲器非易失性存储器件存储器单元控制逻辑锁存器组页数据存储读取锁存重置

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