专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种植树用施肥机-CN202320917059.1有效
  • 张亚军;檀永新;李晓英;李瑞娟;张亚民 - 任丘市鸿鹄种植专业合作社
  • 2023-04-22 - 2023-10-10 - A01C23/04
  • 本实用新型涉及施肥技术领域,公开了一种植树用施肥机,包括底板,底板的上方设置有存储机构,存储机构的一侧设置有喷洒机构,喷洒机构的一侧设置有调节机构,调节机构包括固定板,所固定板与底板固定连接,位于固定板一侧的底板的上端安装有第二电机,通过存储机构可以对肥料起到存储的作用,继而在喷洒机构的配合下对幼苗起到喷洒的作用,而喷洒机构与转动块安装,从而可以让第二电机带动连接轴和第二锥形齿轮转动,从而让第二锥形齿轮带动第一锥形齿轮转动,便可以让第一锥形齿轮带动转动杆和转动块转动,继而可以让转动块带动喷洒机构调节喷洒方位,继而可以对更大范围内的幼苗起到喷洒的作用,减少工作人员的工作量。
  • 一种植树施肥
  • [发明专利]一种影响SiC MOSFET阈值电压不稳定的陷阱表征方法-CN202310743955.5在审
  • 郭春生;崔绍雄;朱慧;张亚民;张蒙;冯士维 - 北京工业大学
  • 2023-06-24 - 2023-09-22 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种影响SiCMOSFET阈值电压不稳定的陷阱表征方法,该方法可检测影响SiCMOSFET阈值电压漂移陷阱的时间常数,从而锁定该陷阱。包括:(1)选取测试条件,排除碳化硅材料陷阱的影响,获取IDS随时间的瞬态变化曲线;(2)利用贝叶斯反卷积的方法,分析IDS随时间的瞬态变化曲线,获取不同陷阱的时间常数以及定性代表陷阱量的幅值信息;(3)根据陷阱的时间常数,给定不同脉宽的填充栅压,测试阈值电压漂移,并与陷阱峰幅值变化对应;(4)给定不同间隔时间的选取标准,将阈值电压漂移与陷阱峰幅值变化进行对应,判断不同时间常数的陷阱对阈值电压漂移的影响。利用该方法,实现对影响SiCMOSFET阈值电压漂移的陷阱的无损表征。
  • 一种影响sicmosfet阈值电压不稳定陷阱表征方法

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