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[发明专利]基于道路单元的地质灾害易发性评价方法及系统-CN202310955342.8在审
发明人：朱宇航;殷坤龙;严亮轩;陈琴;刘谢攀;金必晶;廖映雪;王凯 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06Q50/26 文献下载
摘要：本发明公开一种基于道路单元的地质灾害易发性评价方法及系统，方法包括：获取研究区的地质灾害资料、地质勘察资料和历史降雨数据；根据资料和数据选取评价地质灾害易发性的多个评价指标，构建道路单元调查表；野外调查，包括划分道路单元、填写道路单元调查表及测量节理；根据道路单元调查表的信息计算各评价指标权重；采用层次分析法模型计算各道路单元的各评价指标的评分；根据各评价指标的权重及评分计算各道路单元的地质灾害易发性评价指数；采用自然断点法得到地质灾害易发性分区图；绘制节理图归纳典型地质灾害破坏模式，并通过赤平投影分析破坏模式，及结合地质灾害易发性分区图获取地质灾害易发性评价结果；本发明提高易发性评价精度。
基于道路单元地质灾害易发性评价方法系统

[发明专利]一种高植被覆盖地区滑坡识别方法-CN202211326326.4在审
发明人：严亮轩;曾韬睿;杨硕;龚泉冰;邬礼扬;赵玉;廖映雪;殷坤龙 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06V20/10 文献下载
摘要：本发明提供一种高植被覆盖地区滑坡识别方法，包括以下步骤：S1、分析高植被覆盖地区滑坡的成因背景选定滑坡发育优势区；S2、在选定的滑坡发育优势区内进行遥感识别确定滑坡靶区，具体方法为：开展光学遥感解译和I nSAR两种方法的对滑坡发育优势区开展滑坡靶区识别确定初定滑坡靶区，对初定滑坡靶区采用LiDAR多期次精密地形测绘和D I C方法剔除误判的滑坡靶区，获得准确滑坡靶区；S3、对准确滑坡靶区进行工程地质勘察从而最终确定滑坡。本发明的有益效果：解决了高植被覆盖地区因植被覆盖，导致光学遥感解译效果差的问题，适用于山地丘陵高植被覆盖地区滑坡的识别；充分考虑了滑坡的地质环境背景，从孕灾条件出发开展滑坡识别，提高了滑坡识别准确率。
一种植被覆盖地区滑坡识别方法

[发明专利]一种基于AHP和综合指数法的屋后切坡危险性评价方法-CN202210415485.5在审
发明人：曾韬睿;殷坤龙;陈丽霞;严亮轩;廖映雪;王腾飞;邬礼扬;龚泉冰 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于AHP和综合指数法的屋后切坡危险性评价方法，包括以下步骤：基于覆盖层高度与切坡高度的比值，将屋后切坡划分为多种类型，根据屋后切坡类型及影响因素构建易发性评价影响因素体系；采用层次分析法分析各影响因素对目标层的权重系数；对多类切坡分别选取对应的影响因素，每一类切坡影响因素权重不同；根据各影响因素对切坡易发性的影响程度，对影响因素进行分级；对全体评价影响因素进行综合累加，按照分级评价屋后切坡易发性；叠加有效降雨预警分级，确定屋后切坡的危险性及预警等级。本发明提出的技术方案的有益效果是：采用AHP和综合指数法对屋后切坡易发性进行评价，结合降雨阈值分级，得到不同降雨条件下屋后切坡危险性。
一种基于 ahp 综合指数屋后切坡危险性评价方法

[发明专利]一种农村建房切坡滑坡灾害风险评价与管理方法-CN202210415026.7在审
发明人：曾韬睿;殷坤龙;陈丽霞;严亮轩;廖映雪;龚泉冰;邬礼扬;王腾飞 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明提供一种农村建房切坡滑坡灾害风险评价与管理方法，通过TRIGRS模型计算到区域内不同深度各栅格单元体稳定性系数，结合蒙特卡洛法得到区域破坏概率分布图，利用ArcGIS平台将栅格单元转化为斜坡单元，得到区域危险性分布图，根据危险性决定该区域是否允许建房；将切坡划分为土质切坡和岩土混合切坡，基于Geostudio模拟计算不同参数组合下的切坡稳定系数及潜在滑动面积，根据切坡稳定系数决定是否允许切坡；基于潜在滑动面积得到房屋设计安全距离；选定切坡设计方案后，按照切坡稳定系数的安全评判标准对切坡风险进行评价，针对不同的风险等级采取对应的防治方案；将所有信息赋存于数字化平台中。对于农村建房选址科学、系统地考虑地质灾害防治方面的内容。
一种农村建房滑坡灾害风险评价管理方法

[发明专利]一种基于滑坡灾害危险性区划农村建房选址方法-CN202210415028.6在审
发明人：曾韬睿;殷坤龙;陈丽霞;严亮轩;王腾飞;廖映雪;邬礼扬;龚泉冰 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明提供一种基于滑坡灾害危险性区划农村建房选址方法，利用TRIGRS模型结合地下孔隙水压力的变化，得到不同深度各栅格单元体稳定性系数表达式；根据区域降雨条件，基于降雨入渗理论，获得斜坡内的水力变化，根据岩土体强度参数的随机分布，利用蒙特卡洛法产生N组符合岩土体强度参数的随机分布的随机数，将随机数代入至栅格单元体稳定性系数表达式中，对同一栅格单元体得到N个稳定性系数结果，N个稳定性系数结果中有M个小于或等于1的数值，该栅格单元体的失稳概率为可得到区域破坏概率分布图，准确地预测降雨滑坡发生的空间位置和规模，对于滑坡灾害破坏概率区域划分提出了具体的计算方法，对建房选址提出了具体的标准，为政府工作提供参考。
一种基于滑坡灾害危险性区划农村建房选址方法

[发明专利]一种农村建房切坡防治工程方案设计方法-CN202210415031.8在审
发明人：曾韬睿;殷坤龙;陈丽霞;严亮轩;龚泉冰;邬礼扬;廖映雪;王腾飞 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明提供一种农村建房切坡防治工程方案设计方法，将切坡参数的参数进行组合，基于Geostudio模拟计算各参数组合下的切坡稳定系数及潜在滑动面积；对岩土混合切坡，利用刚体极限平衡方法，根据土体受力情况，得到切坡稳定系数的公式，与基于Geostudio模拟计算得到的切坡稳定系数比较验证公式准确性；根据切坡型滑坡灾害运动距离公式，得到房屋设计安全距离；按照切坡稳定系数的安全评判标准对切坡风险进行评价，针对不同的风险等级，采取对应的防治方案。本发明提出的技术方案的有益效果是：考虑了不同切坡类型及切坡方式的组合，通过Geostudio模拟和力学模型计算了稳定系数，提出了合理开挖区，对于农村建房切坡提出了不同切坡条件下的防治工程方案设计。
一种农村建房防治工程方案设计方法

[发明专利]一种农村建房切坡设计方法-CN202210415490.6在审
发明人：曾韬睿;殷坤龙;陈丽霞;严亮轩;邬礼扬;龚泉冰;王腾飞;廖映雪 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明提供一种农村建房切坡设计方法，通过现场取土后开展室内试验获取岩土体参数，对切坡参数中的多个参数分别进行不同取值，将切坡参数的参数进行组合，根据岩土体参数，基于Geostudio模拟计算各参数组合下的切坡稳定系数及潜在滑动面积；通过多元拟合，得到切坡稳定系数与切坡参数的拟合公式，潜在滑动面积与切坡参数的拟合公式；基于潜在滑动面积，根据切坡型滑坡灾害运动距离公式，得到房屋设计安全距离。本发明提出的技术方案的有益效果是：采用室内试验确定研究区岩土体物理力学参数，基于Geostudio模拟和多元非线性拟合计算不同参数组合下切坡稳定系数及潜在滑动面积，结合切坡型滑坡运动距离，提出了农村建房切坡方案设计方法。
一种农村建房设计方法

[发明专利]带电筒的书包-CN201110383791.7无效
发明人： 廖映雪 -专利权人：重庆市北碚区王朴中学校
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： A45C3/02 文献下载
摘要：为了有效的拓展书包的功能，实现夜晚外出或晚自习后回家的方便照明，我们特意在原有的书包后面设置了一个带折叠杆的书包，解决夜晚外出或者晚自习结束后放学回家时的照明问题。
电筒书包

[发明专利]改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法-CN201110341214.1有效
发明人： 廖映雪;杨兆宇;许宗能;赵志勇 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，包括以下步骤：提供晶圆，在所述晶圆表面形成栅极层；在所述栅极层表面淀积氮氧化硅，形成电介质防反射涂层，所述电介质防反射涂层任意一处的厚度与目标厚度的偏差都小于2％；在所述电介质防反射涂层上涂敷光刻胶，曝光形成栅极的光刻图案。本发明还涉及一种改善后的电介质防反射涂层。上述改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，使用一种改善后的电介质防反射涂层(DARC)，通过改善DARC中SiON的厚度的均匀性，有效地控制和调整多晶硅栅极关键尺寸的均匀性，达到解决晶圆边缘漏电的目的。和传统的通过调整光刻程式的方法相比，不需重新制版及验证，缩短了良率改善的时间与成本。
改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀方法

[发明专利]相变存储器存储单元的制作方法-CN201010130267.4有效
发明人：张翼英;洪中山;廖映雪;余磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变存储器存储单元的制作方法：在第一氧化硅层的表面沉积氮氧化硅层和第二氧化硅层；刻蚀第二氧化硅层形成第一通孔，以显露出氮氧化硅层；在第一通孔内沉积氮化硅层，以形成侧壁间隔；刻蚀第一通孔底部的氮化硅层、氮氧化硅层和第一氧化硅层形成第二通孔；在第二通孔内部沉积Ti/TiN和金属钨层；回刻金属钨层至第二通孔内剩余金属钨的高度高于预定高度，所述预定高度位于第一氧化硅层和第二氧化硅层之间；采用气体SF6、Cl2和BCl3，回刻Ti/TiN和金属钨至金属钨的高度达到预定高度，而Ti/TiN与金属钨的高度相平或高于金属钨的高度；在第二通孔内填充相变层。该方法提高了相变存储器相变层的填充能力。
相变存储器存储单元制作方法

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