“廖新芳”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种抗单粒子辐射加固VDMOS器件结构-CN202310940615.1在审
发明人： 廖新芳;王晨;刘毅;徐长卿;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗单粒子辐射加固VDMOS器件结构；针对现有设计往往只关注于VDMOS器件的某一种抗单粒子能力的提升，并且一些加固技术会使得VDMOS器件的电学特性产生明显退化的问题；包括衬底和位于衬底上方的外延层；高K栅介质层位于外延层的上方中部，多晶硅栅位于高K栅介质层的上方；倒掺杂体区位于外延层内上表面的两侧，源区位于外延层内上表面且位于倒掺杂体区内，倒掺杂体区和源区分布在多晶硅栅两侧，两者横向结深之差形成沟道，接触区位于外延层内的上表面且位于倒掺杂体区内，并与源区邻接，源极金属接触位于接触区上方并覆盖部分源区，漏极金属接触位于衬底下表面；衬底、外延层、源区为N型掺杂；倒掺杂体区和接触区为P型掺杂。
一种粒子辐射加固 vdmos 器件结构

[发明专利]基于正交设计和神经网络的器件级抗辐照加固预测模型的建立方法-CN202211425366.4在审
发明人：徐长卿;廖新芳;刘毅;王晨;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明为解决对宇航用电子器件的抗辐照加固设计需要经过大量的工艺摸底试验才能得到较为优化的加固方案，导致宇航用抗辐照加固产品研制周期长，研制成本高的问题，而提供一种基于正交设计和神经网络的器件级抗辐照加固预测模型的建立方法。该方法在经器件地面辐照试验数据和器件关键电学参数测试数据校准后的器件TCAD仿真模型的基础上，基于正交设计方法利用仿真获取不同加固条件下器件抗辐照性能和关键电学参数的变化，利用神经网络拟合建立复杂加固条件下器件抗辐照性能和关键电学参数变化预测模型。在所建立的预测模型的基础上，进一步通过遗传算法、模拟退火算法等搜索算法获得最优或近似最优的加固方案，从而指导宇航用抗辐照加固产品的制备。
基于正交设计神经网络器件辐照加固预测模型建立方法

[发明专利]一种基于神经网络回归的单粒子瞬态效应建模方法-CN202110553063.X有效
发明人：徐长卿;程佳良;廖新芳;刘毅;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明提出一种基于神经网络回归的单粒子瞬态效应建模方法，解决了现有基于物理机理的单粒子瞬态建模存在模型复杂度高、不适用电路级单粒子效应仿真分析，而基于特定函数拟合的单粒子瞬态建模很难保证模型的精度的技术问题。方法步骤包括：建立场效应管器件结构模型；对器件结构模型进行TCAD仿真，获得不同因素条件下单粒子效应产生的漏极瞬态电流脉冲曲线；对漏极瞬态电流脉冲曲线进行抽样，获得不同时间、不同LET条件下的离散数据；将离散数据随机分成训练集、验证集及测试集；构建基于神经网络的SET模型；神经网络进行学习拟合，对SET模型进行训练和测试，当误差低于设定阈值，训练完成，获得基于神经网络的SET模型。
一种基于神经网络回归粒子瞬态效应建模方法

[发明专利]一种抗单粒子烧毁效应整流二极管及其加固制备方法-CN202111442883.8在审
发明人：莫日根;廖新芳;梅博;袁强;于庆奎;孙毅;吕贺;范晓明 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种抗单粒子烧毁效应整流二极管及其加固制备方法，旨在提升航天器用高压快恢复整流二极管抗辐照能力，为新一代航天器提供元器件保障。针对高能粒子辐照下高压快恢复整流二极管容易在主结边缘处形成失效点这一现象，本发明提出主结边缘局域载流子寿命控制技术，利用高能氦离子注入在主结边缘处形成局域晶格损伤从而引入额外复合中心，提高主结边缘处载流子的复合效率，从而降低主结边缘处的电流密度和热量累积，实现高压快恢复整流二极管抗辐照能力提升目的。本发明提出的高压快恢复整流二极管抗辐照加固制备方法具有工艺制备流程简单、技术成熟、抗辐照加固效果显著、可同时兼顾器件电学性能等技术优势，具有较高的应用价值。
一种粒子烧毁效应整流二极管及其加固制备方法

[发明专利]宇航用高压二极管抗单粒子烧毁系统级加固方法及电路-CN202010921341.8有效
发明人：刘毅;廖新芳;李静;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明提供一种宇航用高压二极管抗单粒子烧毁系统级加固方法及电路，旨在更为简便、低成本地实现高压二极管抗单粒子烧毁加固设计，为宇航系统提供元器件保障。该方法针对宇航系统中采用的多个高压快恢复整流二极管Di，将每个高压快恢复整流二极管Di替换为同规格的至少两个高压快恢复整流二极管串联结构；相应地，对于屏栅电源输出整流滤波电路，原高压快恢复整流二极管D1、D2、D3、D4构成桥式整流电路，高压快恢复整流二极管D5、D6分别作为CDD缓冲网络中的箝位二极管和续流二极管，分别单独替换为同规格的至少两个高压快恢复整流二极管串联结构。本发明实现简便、工艺实施难度小、成本较低，具有很高的应用价值。
宇航高压二极管粒子烧毁系统加固方法电路