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[发明专利]一种AlN陶瓷覆铜基板的制备方法-CN202310688977.6在审
发明人：孙永健;贾军峰;张维;焦慧敏;豆学刚;陈志忠;康香宁 -专利权人：保定中创燕园半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷金属化技术领域，涉及一种AlN陶瓷覆铜基板的制备方法。通过二次键合工艺方法实现AlN基板与铜箔的键合。在AlN陶瓷基板上涂覆活性金属钎焊层后与无氧铜箔贴合，使用邦定机在真空环境下加温加压进行预键合，将预键合后的产品放入真空钎焊炉中进行二次键合，由此制备得到的AlN陶瓷覆铜基板能够有效减少空洞、虚焊等缺陷，使铜箔与AlN陶瓷基板的接合更容易，更均匀，更牢靠。
一种 aln 陶瓷覆铜基板制备方法

[发明专利]一种微米级垂直结构分立Micro-LED芯片及其制备方法-CN202310835780.0在审
发明人：陈志忠;邓楚涵;康香宁;陈伟华;焦飞;聂靖昕;潘祚坚;张浩东;董勃言;李俞辰;王大奇;陈怡安;席鑫;沈波;夏晨辉;朱剑峰;袁林 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种微米级垂直结构分立Micro‑LED芯片及其制备方法。本发明通过制备硬掩膜，采用光刻再深刻蚀的方式制备出分立的作为发光结构的微米柱，保证较好的光提取效率，从而改善远场分布；采用先深刻蚀再蒸镀金属的方式实现了侧壁修复的工艺，避免了腐蚀性溶液对金属电极造成损伤，解决垂直结构Micro‑LED不易侧壁修复的问题；在侧壁蒸镀金属反射层，并配合出光表面光子晶体结构，实现高度准直发光，避免了芯片与芯片之间的串扰；利用光刻负胶与键合胶化学性质的不同，解决了背面光刻去胶的难题；在N型GaN层通过纳米压印然后刻蚀出光子晶体结构，实现出光效率的增强；本发明为未来大规模量产垂直结构Micro‑LED提供了一种解决方案。
一种微米垂直结构分立 micro led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种异质纳米图形衬底及其制备方法和应用-CN202310417910.9在审
发明人： 康香宁;张浩东;陈志忠;潘作坚;邓楚涵;聂靖昕;董勃言;王大奇;李俞辰;沈波 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公布了一种异质纳米图形衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域。本发明利用异质纳米图形材料和蓝宝石材料对腐蚀液的选择性，通过化学腐蚀的方法实现将GaN从衬底上剥离而不引入损伤。采用本发明实现了外延质量的提高和衬底的有效剥离，有效解决了湿法剥离过程中的均匀性控制问题，提高了后续制备的Micro‑LED性能和良品率。
一种纳米图形衬底及其制备方法应用

[发明专利]一种基于等离激元隙模式的颜色转换micro-LED及其制备方法-CN202310178195.8在审
发明人：陈志忠;邓楚涵;康香宁;陈伟华;焦飞;聂靖昕;潘祚坚;张浩东;董勃言;李俞辰;王大奇;沈波 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于等离激元隙模式的颜色转换micro‑LED及其制备方法。本发明在P型透明电极的表面形成量子点凹槽，量子点分散在各个量子点凹槽内不会凝结，P型透明电极位于金属层与金属纳米颗粒之间，使得金属层和金属纳米颗粒这两个金属结构之间形成金属结构间隙；表面等离激元使得量子阱的自发辐射光被提取至金属结构间隙中，增强量子点的发光速率，同时表面等离激元使得金属纳米颗粒具有天线作用，将能量散射出去；并且，量子点与等离激元和量子阱能够相互作用，从而量子点的发光和自发辐射速率都得到增强，并且与表面等离激元相互作用使得量子阱发射出的大部分光被量子点吸收并增强量子点发光，从而增强颜色转换效率。
一种基于离激元隙模式颜色转换 micro led 及其制备方法

[发明专利]一种micro LED芯片的拉曼增强的检测方法及其装置-CN202010528322.9有效
发明人：陈志忠;潘祚坚;焦飞;张树霖;康香宁;陈怡帆;詹景麟;陈毅勇;聂靖昕;沈波 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种micro LED芯片的拉曼增强的检测方法及其装置。本发明提出的检测方法中，将光致发光检测和拉曼检测结合，光致发光检测提供发光波长和亮度信息，拉曼检测给出电学性质，弥补了光致发光检测准确度不足的问题；采用电子能级共振以及表面等离激元共振增强拉曼技术使得拉曼散射强度有103～108的增强，部分达到了光致发光的强度，从而为快速测量奠定基础；金属纳米结构不但提高micro LED芯片的发光效率，同时也可以利用表面等离激元增强拉曼散射信号，提高检测速度；显微拉曼检测是一种无损伤测试手段，检测过程简单，所需时间短，检测速度快，且不需要对micro LED芯片进行特别处理，适用于micro LED芯片的巨量检测。
一种 micro led 芯片增强检测方法及其装置

[发明专利]一种P-GaN增强型HEMT器件的制备方法-CN202310062157.6在审
发明人：岳建英;沈波;康香宁;杨学林;张立胜;贺钟冶;赵斌 -专利权人：北京中博芯半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种P‑GaN增强型HEMT器件的制备方法。本发明的制备方法至少包括以下步骤：1）制作P‑GaN型外延片：依次在Si衬底上生长AlN/GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、Al截止层和P‑GaN帽层，即可得到所述P‑GaN型外延片；2）将所述P‑GaN型外延片清洗后进行光刻；3）将光刻后的所述P‑GaN型外延片采用刻蚀气体进行刻蚀；所述刻蚀气体包括含氟气体。本发明通过设置Al截止层，能与含氟气体反应形成性质稳定的聚合物，从而保护阻挡层不受损伤，具有较高的刻蚀选择比和刻蚀精度。
一种 gan 增强 hemt 器件制备方法

[发明专利]LED芯片、LED器件、消杀设备及LED芯片制备方法-CN202211152295.5在审
发明人：张立胜;沈波;康香宁;许福军;秦志新 -专利权人：北京中博芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种LED芯片、LED器件、消杀设备及LED芯片制备方法，该LED芯片包括第一半导体层、多个凸台、反光膜、第一电极及第二电极，第一半导体层具有第一上表面；各凸台均凸设于第一上表面，各凸台包括发光层和第二半导体层，各凸台具有第二上表面及设于第二上表面周侧的六个侧表面，各侧表面均连接第一上表面和第二上表面；反光膜设于各侧表面；第一电极设于第一上表面并位于凹槽内；第二电极设于凸台的第二上表面。对于该LED芯片，在第一半导体层的第一上表面形成点状分布且具有六个侧表面的多个凸起，各侧表面附着有反光膜，该侧表面的反光膜能够将侧面光反射回出光面，降低了侧表面出光的光损耗，提高了LED芯片的出光效率。
led 芯片器件设备制备方法

[发明专利]一种高晶体质量AlN薄膜及其制备方法和应用-CN202110322125.6在审
发明人：许福军;沈波;王嘉铭;康香宁;秦志新 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于III族氮化物半导体制备技术领域，具体涉及高晶体质量AlN薄膜及其制备方法和应用。本发明所述的AlN薄膜，其含有金属原子空位，且所述金属原子空位的浓度为过饱和浓度。本发明在AlN生长过程中，有意地引入具有低脱附能的异质金属原子，并通过热处理使异质金属原子向表面扩散并脱离晶格，从而在AlN薄膜内产生过饱和浓度的金属原子空位；利用该空位能够促进AlN薄膜中贯穿位错的攀移，进而弯折，发生湮灭或反应，不再向上延伸，从而有效减少贯穿位错密度并实现原子级别平整表面。同时，本发明提供的AlN薄膜的制备方法具有效率高、重复性好的特点，适合大力推广。
一种晶体质量 aln 薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种改善非视觉效应的广色域显示方法-CN202111551219.7有效
发明人：陈志忠;聂靖昕;陈毅勇;潘祚坚;邓楚涵;张浩东;董勃言;陈伟华;焦飞;康香宁;席鑫;沈波 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善非视觉效应的广色域显示方法。本发明通过设定目标显示色彩，构建起四基色显示技术中单个micro‑LED发光特性与显示色域和非视觉效应的关系，包括显示发光的蓝光危害和生物节律影响；通过对显示色域和非视觉效应相关参数的优化，得到单个micro‑LED的峰值波长和光谱半宽；并在一定范围内改变优化的峰值波长和光谱半宽，计算色域覆盖率的变化；优化过程中，除了考虑显示D65白光时的显示屏发光的非视觉效应，还考虑显示其他色彩时的非视觉效应，真实反映全彩显示的非视觉效应；利用本发明，能够在保持广色域的同时，降低显示设备发光的蓝光危害和生物节律影响，并具有高色域稳定性。
一种改善视觉效应广色域显示方法

[发明专利]一种高质量n型AlGaN的制备方法及应用-CN202210281153.2在审
发明人：许福军;王嘉铭;沈波;郎婧;康香宁 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及III族氮化物半导体制备技术领域，具体涉及一种电子浓度高、电阻率低，且具有原子级平整的表面形貌的n型AlGaN的制备方法。所述n型AlGaN的制备方法包括两个关键步骤，一是增大蓝宝石衬底的斜切角，二是降低n‑AlGaN层的外延温度。本发明通过使用较大斜切角的蓝宝石衬底，使得衬底表面台阶宽度变窄，如此可使得n型AlGaN生长时满足二维生长模式所需要的吸附原子扩散长度变短，为较低生长温度情况下仍然维持二维生长、并能保持较高的生长速度打开控制窗口；在此基础上再进一步降低外延n‑AlGaN层的温度，有效抑制了金属空位的形成，缓解了金属空位对电子的补偿作用，从而可在保证表面形貌原子级平整的前提下，显著提高n型AlGaN中的电子浓度，并降低电阻率。
一种质量 algan 制备方法应用

[发明专利]一种降低高Al组分n-AlGaN材料接触电阻的方法及应用-CN202110102249.3在审
发明人：许福军;沈波;张娜;王嘉铭;康香宁;秦志新 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体涉及一种降低器件制造工艺中高Al组分n‑AlGaN材料接触电阻的方法及应用。所述降低高Al组分n‑AlGaN材料接触电阻的方法为在保护气体作用下，对n‑AlGaN层进行表面原子吸附及退火处理；所述原子为Si原子和N原子。采用本发明所述方法可显著提高材料表面的载流子浓度，从而有助于形成优良的欧姆接触性能，降低材料的接触电阻率，解决了高Al组分n‑AlGaN材料欧姆接触制备难，尤其是刻蚀后的欧姆接触难形成的问题。所述方法过程简单易重复，有效避免了现有工艺中酸碱溶液腐蚀或者高温退火等技术带来的工艺复杂、不稳定的问题，可以保障规模化的批量生产，并且对后续的器件制作不会产生任何不良影响，具有较好的工艺兼容性。
一种降低 al 组分 algan 材料接触电阻方法应用

[发明专利]一种用非晶光子结构提高LED封装器件出光效率的制备方法-CN202110625944.8有效
发明人：陈志忠;陈毅勇;詹景麟;聂靖昕;潘祚坚;邓楚涵;席鑫;康香宁;焦飞;沈波 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种用非晶光子结构提高LED封装器件出光效率的制备方法。本发明利用傅里叶变换理论设计，非晶光子结构能够精准的与相关波长的光子作用，有效提高大于全反射角的光的透射，相比光子晶体结构，非晶光子结构对出光效率的提升更高，对白光LED的出光效率增加显著；采用AAO模板制备非晶光子结构，工艺简单，成本低廉；通过改变电解液类型、电解电压、温度和扩孔时间等，能够获得具有无周期性的有不同平均孔间距和孔直径的满足非晶光子结构特征的孔阵列，以便和LED芯片的发光波长匹配；同时利用压印，刻蚀工艺制备得到正版和反版的AAO硬模板；本发明工艺简单可行，转移成本低。
一种用非晶光子结构提高 led 封装器件效率制备方法

[发明专利]一种提高AlGaN基深紫外LED光提取效率的结构及其应用-CN202210095109.2在审
发明人：许福军;沈波;康香宁;张立胜;杨学林;秦志新 -专利权人：北京中博芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明属于III族氮化物半导体技术领域，具体涉及一种能提高AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)的光提取效率的器件结构和相应的电极结构构型。本发明通过采取Al组分含量渐变的薄AlGaN层、薄重掺p‑GaN接触层配合高反射的Ni/Au/Al电极的结构设计，可在保证LED表面形貌良好、欧姆接触良好、低工作电压的同时，减少AlGaN基深紫外LED器件对深紫外光的吸收，并反射大部分光到衬底，从而提高光提取效率。研究表明，本发明提出的薄层设计对于280nm的深紫外光的透过率超过60％，并且厚度越薄，深紫外光透过率越高，有效克服目前深紫外LED器件光提取效率低下的问题。
一种提高 algan 深紫 led 提取效率结构及其应用

[发明专利]一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法-CN202111389389.X在审
发明人：许福军;沈波;王嘉铭;郎婧;康香宁;秦志新 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体光电子器件领域，尤其涉及一种高性能AlGaN基深紫外发光二极管器件(LED)的器件结构及其制备方法。本发明所述的AlGaN基深紫外发光二极管器件结构具有V形立体p‑n结注入结构。所述V形立体p‑n结注入结构是通过在AlGaN基量子阱部分的V形腐蚀坑的侧壁的半极性面上进一步形成AlGaN电子阻挡层(EBL)、p‑AlGaN和p‑GaN接触层而形成的。该V形立体p‑n结注入结构改变了目前广泛使用的在(0001)面蓝宝石衬底上生长的AlGaN基深紫外LED中空穴只能沿着[000‑1]方向注入这一固有限制，从而有效解决空穴迁移能力不足导致的注入效率低下的问题，显著提升LED器件量子阱中空穴浓度和均匀分布，进而提升器件的光输出功率，同时有效解决了大电流注入下的Droop效应问题。
一种 algan 深紫发光二极管器件结构及其制备方法

[发明专利]白光发光二极管的调光方法-CN201910096408.6有效
发明人：陈志忠;聂靖昕;焦飞;康香宁;党卫民;童玉珍;张国义;沈波;唐军;刘亚柱;齐胜利;潘尧波 -专利权人：北京大学;合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H05B45/325 文献下载
摘要：本发明提供一种白光发光二极管的调光方法，所述方法包括：分别测量红色发光二极管、黄色发光二极管、蓝色发光二极管以及绿色发光二极管在额定电流工作状态下单独发光的光谱功率；计算所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管的相对混光比例；根据所述相对混光比例，利用控制单元对所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管输出不同占空比的控制信号；其中，所述红色发光二极管的峰值波长是介于670nm到700nm之间。本发明制备出的白光发光二极管显色性高、蓝光危害低、同时可调节色温，满足在任何色温下都可得到显色性高且蓝光危害低的白光发光二极管。
白光发光二极管调光方法

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