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[实用新型]一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置-CN202223019575.7有效
发明人：张新峰;德米特罗维奇·德米特里;李国平;冒浩然;朱振宇;高欣;杜陈;黄杰;汪淑芬;应艳阳;龙安泽 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置，它包括坩锅组件、感应线圈、保温套、上辅助加热件、下辅助加热件、上保温盘、下保温盘，感应线圈安装在保温套外侧，保温套内部从下往上依次安装有下保温盘、下辅助加热件、坩锅组件、上辅助加热件以及上保温盘，上辅助加热件和下辅助加热件都设计为石墨加热环。优点是设计巧妙，结构合理紧凑，在坩锅组件的上下位置增加上辅助加热件和下辅助加热件，上辅助加热件和下辅助加热件是采用等静压石墨材料制造的石墨加热环，在感应线圈的作用下能够与坩锅组件同时产生高温，加长了产生热量轴向长度，这样可控恒温区域加长；确保碳化硅长晶质量好且生长速率快。
一种提高碳化硅生长梯度稳定性石墨装置

[发明专利]一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置-CN202211419809.9在审
发明人：张新峰;德米特罗维奇·德米特里;李国平;冒浩然;朱振宇;高欣;杜陈;黄杰;汪淑芬;应艳阳;龙安泽 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置，它包括坩锅组件、感应线圈、保温套、上辅助加热件、下辅助加热件、上保温盘、下保温盘，感应线圈安装在保温套外侧，保温套内部从下往上依次安装有下保温盘、下辅助加热件、坩锅组件、上辅助加热件以及上保温盘，上辅助加热件和下辅助加热件都设计为石墨加热环。优点是设计巧妙，结构合理紧凑，在坩锅组件的上下位置增加上辅助加热件和下辅助加热件，上辅助加热件和下辅助加热件是采用等静压石墨材料制造的石墨加热环，在感应线圈的作用下能够与坩锅组件同时产生高温，加长了产生热量轴向长度，这样可控恒温区域加长；确保碳化硅长晶质量好且生长速率快。
一种提高碳化硅生长梯度稳定性石墨装置

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT-CN202210188984.5在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，由底层到顶层依次为P+集电极区和N+集电极区、位于P+集电极区和N+集电极区上方的N+缓冲层、位于N+缓冲层上方的N漂移区，位于漂移区的上方的表面结构，所述P+集电极区的集电极接触为欧姆接触，N+集电极区的集电极接触为肖特基接触；所述N+集电极区使用碳化硅材料制成，所述P+集电极区、N+缓冲层、N漂移区、表面结构均使用硅材料制成。设计除了N+集电极区由碳化硅材料制成，其余区域都由硅材料制成，且N+集电极区的集电极接触为肖特基接触，利用碳化硅肖特基结压降较高的特性，消除电压折回现象。
一种碳化硅硅异质结逆导型 igbt

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT-CN202210188969.0在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，由底层到顶层依次为P+集电极区和N+集电极区、位于P+集电极区和N+集电极区上方的N+缓冲层、位于N+缓冲层上方的N漂移区，位于漂移区的上方的表面结构，所述P+集电极区的集电极接触为欧姆接触，N+集电极区的集电极接触为肖特基接触；所述N+集电极区使用碳化硅材料制成，所述P+集电极区、N+缓冲层、N漂移区、表面结构均使用硅材料制成。设计除了N+集电极区由碳化硅材料制成，其余区域都由硅材料制成，且N+集电极区的集电极接触为肖特基接触，利用碳化硅肖特基结压降较高的特性，消除电压折回现象。
一种碳化硅硅异质结沟槽逆导型 igbt

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结低功耗沟槽型IGBT-CN202210156675.X在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结低功耗沟槽型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，其由底层到顶层依次为P+集电极、位于P+集电极上方的N+缓冲层B、位于N+缓冲层B上的N+缓冲层A、位于N+缓冲层A上的N漂移区、位于N漂移区的上方的表面结构；所述P+集电极、N+缓冲层B均使用硅材料制成，所述N+缓冲层A、N漂移区、表面结构均使用碳化硅材料制成。设计N+缓冲层A以上的部分由碳化硅材料制成，N+缓冲层B及以下的部分由硅材料制成，这样，漂移区部分利用碳化硅的高击穿电压特性，集电极部分利用硅材料的高注入效率，缓冲层利用异质结界面缺陷加快载流子复合，使得IGBT具有超低的导通和关断损耗。
一种碳化硅硅异质结低功耗沟槽 igbt

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT-CN202210156677.9在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，其由底层至顶层依次为P+集电极、位于P+集电极上方的N+缓冲层B、位于N+缓冲层B上方的N+缓冲层A、位于N+缓冲层A上方的N漂移区、位于漂移区的上方的表面结构；所述P+集电极、N+缓冲层B均使用硅材料制成，所述N+缓冲层A、N漂移区、表面结构均使用碳化硅材料制成。设计N+缓冲层A以上的部分由碳化硅制成，N+缓冲层B及以下的部分由硅材料制成，这样，漂移区部分利用碳化硅的高击穿电压特性，集电极部分利用硅材料的高注入效率，缓冲层利用异质结界面缺陷加快载流子复合，使得IGBT具有超低的导通和关断损耗。
一种碳化硅硅异质结低功耗 igbt

[发明专利]一种半导体铝合金零部件清洗装置-CN202210025634.7有效
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;龙安泽;曹金星;杜陈;应艳阳 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及零部件清洗技术领域，具体涉及一种半导体铝合金零部件清洗装置，包括壳体一与壳体二，所述壳体一与壳体二侧面相互接触，且壳体一与壳体二弧形侧面底部通过铰链转动连接，所述壳体一与壳体二内侧面两侧均固定连接有橡胶片，且同一侧的两个橡胶片相互接触，所述橡胶片内侧面固定连接有橡胶条，且同一侧的两个橡胶条相互接触。本发明中，通过橡胶片内侧面固定连接有橡胶条，可以将壳体一与壳体二合围在零件的一部分上，并使橡胶片与橡胶条挡在壳体一与壳体二一侧，这时在清洗零件时，可以避免水流到设备其他零件上，这样可以不需要将零件拆下进行清理，清理较为简单，有利于节约时间，保证半导体的生产可以顺利进行。
一种半导体铝合金零部件清洗装置

[发明专利]一种用于半导体的切割装置-CN202210025656.3有效
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;龙安泽;曹金星;杜陈;应艳阳 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体切割技术领域，具体涉及一种用于半导体的切割装置，包括底板，所述底板的顶面固连有循环机构，所述循环机构包括两个工架，所述工架的底面与底板之间固连有支撑架，两个所述工架的四个顶角之间均固连有限位板一。本发明中，通过承载板和两个激光发射组件的设置，使激光发射组件的移动方向与承载板移动方向垂直，通过承载板与激光发射组件相互垂直移动的配合，使得激光发射组件能对物料进行复杂形状的切割，通过承载板的底面和顶面均能吸附固定物料，实现一次对两块物料进行加工，增加效率，通过移动机构一和移动机构二的设置，移动机构一与移动机构二在循环机构上循环移动，从而减少激光发射组件的等待时间，进一步增加效率。
一种用于半导体切割装置

[发明专利]一种半导体用点胶机-CN202210025450.0有效
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;龙安泽;曹金星;杜陈;应艳阳 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工设备技术领域，具体涉及一种半导体用点胶机，包括机体，所述机体的顶面安装有输送器，所述机体的顶部固定连接有支架，所述支架一侧安装有点胶器，所述点胶器的底面固定连接有支撑套管，所述支撑套管的内部滑动连接有点胶柱，所述点胶柱的内部设置有多个点胶管，多个所述点胶管的底面连通有点胶嘴。本发明中，通过气压推注胶水通过点胶管移动到点胶嘴，点胶嘴移出支撑套管实现点胶，点胶结束后在复位机构的带动下使点胶柱带着点胶管及点胶嘴回到初始位置，此时传动机构带着动开合机构闭合实现将点胶嘴保护在支撑套管里面，保护了点胶嘴，也有利于减少点胶嘴直接与器件表面接触，减少胶水拉丝现象出现。
一种半导体用点胶机

[发明专利]一种半导体晶片测厚设备-CN202210025646.X有效
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;龙安泽;曹金星;杜陈;应艳阳 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及检测设备技术领域，具体涉及一种半导体晶片测厚设备，包括循环检测机构，所述循环检测机构包括检测箱，所述检测箱上固定设置有两个用于吸取晶片的吸持机构。本发明中，通过于半导体晶片测厚设备中的盒体两端均设置有吸持机构，使得两个夹持板能闭合，从而能通过两个夹持板夹持住半导体晶片或者晶圆进行夹持，从而能对半导体晶片或者晶圆对定位，确保晶片能在两个夹持板的中心位置处，这样能便于对晶片的中心点进行测厚，并且通过朝下吸持晶片能防止灰尘落到晶片或者晶圆的表面，从而能提高设备测厚的准确率，通过于半导体晶片测厚设备中设置有循环检测机构，形成一套循环的流程，这样能提高设备对多个晶片或者晶圆的检测效率。
一种半导体晶片设备

[发明专利]一种半导体用塑封残胶去除装置-CN202210013741.8有效
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;龙安泽;曹金星;杜陈;应艳阳 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产技术领域，具体涉及一种半导体用塑封残胶去除装置，包括两个相互接触的输送模块一与输送模块二，所述输送模块一与输送模块二顶部一侧均固定连接有驱动模块，所述驱动模块底部固定连接有除胶模块，所述输送模块一与输送模块二另一侧固定连接有翻转模块，且输送模块一与输送模块二顶部均固定连接有限位框，两个所述限位框相互接触。本发明中，通过固定杆固定连接导向轨，在对半导体的一个面除胶后，导向轨可以使放置板二合在放置板一上，然后可以通过翻转模块将半导体翻转到放置板二上，这样可以对半导体的另一个进行除胶，不需要手动调整半导体的位置，有利于加快除胶的速度，从而提高生产效率。
一种半导体塑封去除装置

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