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[发明专利]一种石墨烯电极的LED晶片及其制作方法-CN201110144844.X无效
发明人：樊邦扬;叶国光;梁伏波;杨小东;曹东兴 -专利权人： 广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯电极的LED晶片及其制作方法，包括：N型半导体层，形成于N型半导体层上的发光层；形成于发光层上的P型半导体层；在N型半导体层上通过刻蚀形成的沟槽；在P型半导体层形成的正电极以及在沟槽上形成的负电极；其中，所述正电极和负电极采用石墨烯材料制作。本发明具有出光效率高、散热好及寿命长等优点。
一种石墨电极 led 晶片及其制作方法

[发明专利]一种高压交流LED晶片模块制作方法-CN201110100084.2有效
发明人：樊邦扬;陈立人;叶国光;梁伏波;杨小东;曹东兴 -专利权人： 广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压交流LED晶片模块制作方法，首先在衬底上沉积绝缘层，利用蚀刻工艺在衬底上形成外延生长区和由绝缘层形成的隔离墙；在的外延生长区生长出半导体层；去除隔离墙形成隔离区，通过隔离区形成多颗的LED晶粒；在每颗LED晶粒的表面局部形成凹形台面，使部分N型半导体层露出凹形台面；半导体层表面及隔离区沉积保护层；蚀刻保护层形成安装区并制作P/N电极，通过导电线路连接形成串联或/和并联的LED晶片模块；将外延片切割、研磨、精抛光；最后采用裂片机将每块LED晶片模块进行裂片。本发明制造工艺具有易量产的特点，同时，采用本发明制造工艺制造出来的产品还具有良率高、成本低及使用寿命长的优点。
一种高压交流 led 晶片模块制作方法

[发明专利]一种改进的具有电流阻挡层的LED芯片及其制备方法-CN201110071173.9无效
发明人：樊邦扬;叶国光;梁伏波;杨小东;曹东兴 -专利权人： 广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种改进的具有电流阻挡层的LED芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该LED芯片包括N型半导体层、发光层和P型半导体层的层叠结构以及透明导电层、形成于透明导电层上的P电极和形成于N型半导体层上的N电极，在P型半导体层上P型电极对应的正下方形成有表面光滑的第一沟槽，所述沟槽上形成有电流阻挡层。本发明所提供的LED芯片，不但能够提升芯片的出光效率并延长使用寿命，而且制备方法简单方便，完全能够满足大规模的量产要求。
一种改进具有电流阻挡 led 芯片及其制备方法

[实用新型]一种大功率LED封装结构-CN201120043516.6有效
发明人：樊邦扬 -专利权人： 广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种大功率LED封装结构，包括硅胶透镜、基座、安装固定在基座内的导电脚和导热座，在所述导热座的杯碗内固定着发光芯片，所述发光芯片通过焊线电连接至所述导电脚，所述基座与导热座间形成一环形槽，所述硅胶透镜覆盖住发光芯片并固定在基座上，在所述环形槽内设置有支撑硅胶透镜的支撑柱。当LED受到压力时，由于本实用新型的大功率LED封装结构中有用于支撑硅胶透镜的支撑柱，因此可以在一定程度内减小外部压力对硅胶透镜造成的变形，保护芯片上的焊线。
一种大功率 led 封装结构

[发明专利]一种LED的封装工艺-CN201110234825.6无效
发明人：樊邦扬 -专利权人： 广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-08-15 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED的封装工艺，首先将芯片固定在电极支架上，然后焊线使芯片与电极支架按极性配合电连接，接下来将电极支架放入预制的模具中，最后向模具中注入环氧树脂使其包裹芯片以及部分电极支架，所述环氧树脂包括A组份与B组份，所述的A组份包括烯丙基缩水甘油醚以及双酚A-缩水甘油醚，所述的B组份包括异氟尔酮二胺，所述A组份与B组份的质量比为2∶1。由于本发明的LED封装工艺采用了可在常温下固化的环氧树脂，因此不需要经过高温烘烤的工艺，相对于现有技术中的封装工艺大大缩短的加工时间(缩短8小时)，简化了工艺步骤，提高了生产效率和产品良率，减少了LED的光衰。
一种 led 封装工艺

[实用新型]一种具有反射型电流阻挡层的LED芯片-CN201120189190.8有效
发明人：樊邦扬;叶国光;梁伏波;杨小东;曹东兴 -专利权人： 广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种具有反射型电流阻挡层的LED芯片，包括N型半导体层、形成在N型半导体层上的发光层、形成在发光层上的P型半导体层、形成在P型半导体层上的透明导电层、形成在透明导电层上的P电极和形成于N型半导体层上的N电极，在P型半导体层上P电极对应的正下方形成有第一沟槽，第一沟槽上形成有电流阻挡层，电流阻挡层由多层二氧化硅层和二氧化钛层交互层叠而成。本实用新型具有散热效率高、电流扩散均匀、出光效率高等优点。电流阻挡层既起到阻挡电流的作用，使LED芯片的电流扩散均匀以达到热稳定的性能，又起到光线反射的作用以提高LED芯片的出光效率，同时，本实用新型还具有结构简单、易于量产、良率高的优点。
一种具有反射电流阻挡 led 芯片

[实用新型]一种高压交流LED晶片模块-CN201120189102.4有效
发明人：樊邦扬;叶国光;梁伏波;杨小东;曹东兴 -专利权人： 广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压交流LED晶片模块，包括衬底，形成于衬底正面的半导体层，所述半导体层包括依次形成于衬底正面的缓冲层、N型半导体层、发光层以及P型半导体层，其特征在于，所述半导体层形成有隔离区，所述半导体层由隔离区隔开形成多颗LED晶粒，所述LED晶粒的半导体层成倒梯台形状，半导体层的侧面与衬底的正面形成的夹角为50°～70°，LED晶粒之间通过导电线路连接形成串联或/和并联的LED晶片模块。本实用新型具有成本低、易量产、出光效率高以及使用寿命长等优点。
一种高压交流 led 晶片模块

[实用新型]一种改进的具有电流阻挡层的发光二极管芯片-CN201120079453.X有效
发明人：樊邦扬;叶国光;梁伏波;杨小东;曹东兴 -专利权人： 广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种改进的具有电流阻挡层的发光二极管芯片，属于半导体技术领域。该LED芯片包括N型半导体层、发光层和P型半导体层的层叠结构以及透明导电层、形成于透明导电层上的P电极和形成于N型半导体层上的N电极，在P型半导体层上P型电极对应的正下方形成有一表面光滑的沟槽，所述沟槽上形成有电流阻挡层。本实用新型中的LED芯片在P电极的正下方，不但具有电流阻挡作用，同时光滑的沟槽表面还能起到反光的目的，因此能够提升发光二极管芯片的出光效率并延长使用寿命。
一种改进具有电流阻挡发光二极管芯片

[实用新型]一种SMD发光二极管支架及采用该支架的LED-CN201120099963.3无效
发明人：樊邦扬 -专利权人： 广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SMD发光二极管支架及采用该支架的LED，包括支架、LED芯片及封装胶，所述支架包括正、负极导电脚以及固定正、负极导电脚的塑胶座，所述塑胶座内设置有一开口的封装腔，部分正、负极导电脚外露在所述封装腔内，其特征在于，所述封装腔的底部还设置有碗杯，所述LED芯片固定在所述碗杯内，所述碗杯内填充有覆盖LED芯片的荧光胶，所述封装胶填充在所述封装腔内；所述封装腔的开口处设置有溢胶槽，所述溢胶槽沿所述封装腔的边缘设置。本实用新型具有封装结合牢固、产品成本低及产品良率高的特点。
一种 smd 发光二极管支架采用 led

[实用新型]一种防漏电的LED晶片-CN201120026949.0无效
发明人：樊邦扬 -专利权人： 广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-01-22 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防漏电的LED晶片，包括半导体层，所述半导体层包括N型半导体层、发光层和P型半导体层以及在所述N型半导体层、P型半导体层和发光层内形成的晶体间隙，其特征在于，在所述晶体间隙内设置有绝缘物质。由于在半导体层的表面形成一层绝缘，绝缘层的绝缘物质渗透到半导体层的晶体间隙内，绝缘物质可以将半导体内的晶体间隙堵塞，有效防止漏电流的现象发生，同时，本实用新型也可以提高LED的使用寿命，产品良率也可以大大的提高。
一种漏电 led 晶片

[实用新型]一种电流均匀分布的LED晶片-CN201120036384.4无效
发明人：樊邦扬;叶国光;梁伏波;杨小东;孔利平 -专利权人： 广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电流均匀分布的LED晶片，包括N型半导体层，形成于N型半导体层上的发光层；形成于发光层上的P型半导体层，所述P型半导体层表面设置有与N型半导体层连通的沟槽，形成于所述沟槽的负电极以及形成于P型半导体层的正电极，其特征在于，所述沟槽为一对称的“E”形沟槽，所述对称的“E”形沟槽布满所述N型半导体层上，所述负电极设置在所述对称的“E”形沟槽上对应形成对称的“E”形负电极，所述正电极环绕在所述对称的“E”形负电极的周围。本实用新型具有散热均匀、出光效率高、使用寿命长等优点。
一种电流均匀分布 led 晶片

[实用新型]一种LED晶片的封装焊线结构及LED晶片-CN201120031705.1无效
发明人：樊邦扬 -专利权人： 广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED晶片的封装焊线结构及LED晶片，包括支架，所述支架包括第一支脚和第二支脚，设置在所述第二支脚上的杯碗，固定在所述杯碗内的LED晶片，用于连接LED晶片与第一支脚的第一金线，所述第一金线包括球形端和鱼尾端，所述第一金线的球形端固定在所述第一支脚上，所述第一金线的鱼尾端固定在所述LED晶片的电极上，所述鱼尾端的尾部到根部的厚度逐渐变厚。本实用新型的焊接方式可以使封装的LED过脉冲电流，即启动电流为30mA，峰值电流为160mA的电流条件可以连续长时间工作，本实用新型具有性能稳定，使用寿命长且良率高的优点。
一种 led 晶片封装结构

[实用新型]一种高出光效率的LED晶片-CN201120034857.7无效
发明人：樊邦扬;叶国光;梁伏波;杨小东;曹东兴 -专利权人： 广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高出光效率的LED晶片，包括衬底，形成于衬底正面的半导体层，所述半导体层包括依次形成于衬底正面的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，其特征在于，所述衬底为倒梯台形状，倒梯台衬底的侧边与垂直方向形成的夹角为30～45°；所述半导体层为倒梯台形状，倒梯台半导体层的侧边与衬底正面形成的夹角为50～70°，所述半导体层的底部表面积比所述衬底正面的表面积小。这样设置可以增大LED晶片的出光面积，减少光在LED晶片内发生全反射，提高LED晶片的出光效率，将光最大可能地从LED晶片内导出，同时也大大提高了LED晶片的使用寿命。
一种高出光效率 led 晶片

[实用新型]一种图形化衬底的结构以及发光二极管芯片-CN201120035968.X无效
发明人：樊邦扬 -专利权人： 广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种图形化衬底的结构以及发光二极管芯片，该衬底上镀有一层图形化的粗化结构。本实用新型相对于现有技术中刻蚀衬底的结构，具有不会损伤衬底、不需要专业的干法、湿法刻蚀设备的优点，可大幅度节约生产成本，提高生产效率，有效地避免衬底内部裂纹的产生，有助于提高后续芯片磊晶的质量和减少光的全反射，进而使后续产品更加稳定、亮度更高。
一种图形衬底结构以及发光二极管芯片

[发明专利]一种图形化衬底的工艺及其结构以及发光二极管芯片-CN201110036599.0无效
发明人：樊邦扬 -专利权人： 广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种图形化衬底的工艺及其结构以及发光二极管芯片，其工艺包括如下步骤：步骤一、在用于生长半导体外延片的蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶；步骤二、通过曝光显影将光刻胶构图；步骤三、通过电子束蒸发台蒸镀或磁控溅射机台在光刻胶构图层上溅镀一层图形化的粗化结构；步骤四、去除光阻，留下图形化的粗化结构。本发明相对于现有技术中刻蚀衬底的工艺，具有不会损伤衬底、不需要专业的干法、湿法刻蚀设备的优点，可大幅度节约生产成本，提高生产效率，有效地避免衬底内部裂纹的产生，有助于提高后续芯片磊晶的质量和减少光的全反射，进而使后续产品更加稳定、亮度更高。本发明还公开一种图形化衬底的结构及发光二极管芯片。
一种图形衬底工艺及其结构以及发光二极管芯片

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