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- [发明专利]热处理装置-CN202111038519.5在审
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上田晃颂;三宅浩志;布施和彦;谷村英昭
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株式会社斯库林集团
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2021-09-06
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2022-03-25
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H01L21/67
- 本发明提供能够防止光扩散板的滑动的热处理装置。在设置于容纳半导体晶片的腔室的上部的石英的上侧腔室窗(63)的上表面载置有石英的光扩散板(90)。光扩散板(90)的下表面被实施喷丸加工而成为磨砂玻璃。在光扩散板(90)载置于上侧腔室窗(63)的上表面时双方不紧贴。即使进入光扩散板(90)与上侧腔室窗(63)之间的接触面的空气团在半导体晶片热处理时发生热膨胀，也会通过光扩散板(90)的下表面的磨砂玻璃而被排出至外部。其结果是，能够抑制产生在光扩散板(90)与上侧腔室窗(63)之间夹入薄空气层的现象，从而能够防止因空气层而引起的光扩散板(90)的滑动。
- 热处理装置
- [发明专利]热处理装置-CN201710649400.9有效
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山田隆泰;阿部诚;布施和彦;渡边纯;宫胁真治
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株式会社斯库林集团
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2017-08-01
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2022-03-08
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H01L21/67
- 本发明提供一种能够防止闪光照射时基板被污染的热处理装置。在容纳半导体晶片(W)的室(6)的内壁面安装环状的支撑部(68)，由该支撑部(68)支撑基座(74)。当半导体晶片(W)载置于基座(74)时，室(6)的内侧空间被分成上部空间(65)和下部空间(67)。在构成室(6)的底部的下侧室窗(64)上容易堆积颗粒，但由于上部空间(65)和下部空间(67)被分离，因此，即使闪光照射时下侧室窗(64)的颗粒被扬起，也能够防止该颗粒流入上部空间(65)附着到半导体晶片(W)的表面而污染该半导体晶片(W)。
- 热处理装置
- [发明专利]热处理方法-CN202110823843.1在审
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大森麻央;布施和彦
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株式会社斯库林集团
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2021-07-21
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2022-02-18
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H01L21/324
- 本发明提供一种能在短时间内高效率地使腔室内的温度稳定化的热处理方法。在对作为处理对象的半导体晶圆进行处理之前，对多个虚设晶圆进行加热处理，从而将基座等腔室内构造物预热。针对多个虚设晶圆中的前几片虚设晶圆，在通过来自卤素灯的光照射加热到第1加热温度之后照射闪光。针对接下来的几片虚设晶圆，在通过来自卤素灯的光照射加热到低于第1加热温度的第2加热温度之后照射闪光。由于将虚设晶圆加热到高温之后再加热到低温，因此，能在短时间内且以较少的虚设晶圆的片数使腔室内构造物的温度稳定化。
- 热处理方法
- [发明专利]热处理装置-CN202011292027.4在审
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三宅浩志;布施和彦;上田晃颂
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株式会社斯库林集团
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2020-11-18
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2021-05-18
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H01L21/67
- 本发明提供一种能够防止气环的变色的热处理装置。在腔室(6)的侧壁即腔室侧部(61)的上部安装气环(90)。气环(90)由上部环(91)和下部环(92)重叠而成。上部环(91)和下部环(92)之间的间隙成为处理气体的流路(97)。在流路(97)形成有具有迷宫结构的阻挡部。增大具有内壁面(92a)的下部环(92)的质量来增大热容量。此外，将下部环(92)相对冷却的腔室侧部(61)以面接触方式安装，将从下部环(92)到腔室侧部(61)的热传导率设为大的值，从而使下部环(92)中蓄积的热量变低。由此，能够在热处理时抑制下部环(92)的温度变高来防止气环(90)的变色。
- 热处理装置
- [发明专利]热处理装置及热处理装置的洗净方法-CN202010639262.8在审
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布施和彦
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株式会社斯库林集团
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2020-07-06
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2021-02-23
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H01L21/67
- 本发明提供一种能够容易地清理腔室内的污染的热处理装置及热处理装置的洗净方法。随着成为产品的半导体晶圆的处理在热处理装置1中进行，污染物质附着在腔室6的内壁面上。当半导体晶圆的处理结束后，向腔室6内供给包含臭氧的气体而形成包含臭氧的氛围。一边通过来自卤素灯HL的光照射对包含臭氧的氛围进行加热，一边从闪光灯FL照射包含紫外线光的闪光。利用紫外线光分解臭氧而生成活性氧，该活性氧与污染物质发生反应，由此从腔室6的内壁面分解去除污染物质。经分解而气化的污染物质通过排出腔室6内的氛围气体而排出至腔室6外。
- 热处理装置洗净方法
- [发明专利]热处理方法及热处理装置-CN202010263737.8在审
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上田晃颂;布施和彦
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株式会社斯库林集团
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2020-04-07
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2020-10-20
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H01L21/324
- 本发明提供一种能够容易地剥离含碳的薄膜的热处理方法及热处理装置。进行氢气退火，即，将成膜有包含掺杂剂及碳的薄膜的半导体晶片在包含氢气的氛围中加热至退火温度T1。之后，将腔室内从氢气氛围置换成氧气氛围，并在氧气氛围中将半导体晶片预加热至预加热温度T2后，进行将半导体晶片的表面以小于1秒的时间加热至峰值温度T3的闪光加热处理。通过在氧气氛围中对半导体晶片进行加热，将掺杂剂活化并促进薄膜中的碳与氛围中的氧的结合，从薄膜排出碳，从而防止薄膜硬化。结果，能够容易地将含碳的薄膜从半导体晶片剥离。
- 热处理方法装置
- [发明专利]热处理方法及热处理装置-CN202010013959.4在审
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上田晃頌;布施和彦
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株式会社斯库林集团
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2020-01-07
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2020-09-15
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H01L21/67
- 本发明提供一种能够形成较薄且特性良好的氧化膜的热处理方法及热处理装置。将硅半导体晶片W搬入到腔室6内，在氮气体氛围中，通过来自卤素灯HL的光照射开始半导体晶片W的预加热。当在预加热的中途半导体晶片W的温度达到特定的切换温度时，对腔室6内供给氧气而将腔室6内从氮气体氛围切换为氧气体氛围。然后，通过闪光照射将半导体晶片W的表面进行极短时间的加热。在半导体晶片W的温度为小于切换温度的相对低温时，氧化受到抑制，在其温度成为高温后进行氧化。其结果，能够在半导体晶片W的表面形成致密且与硅基层的界面的缺陷较少的特性良好的较薄氧化膜。
- 热处理方法装置
- [发明专利]热处理方法-CN201580075686.3有效
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布施和彦
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株式会社斯库林集团
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2015-11-18
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2020-07-10
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H01L21/22
- 本发明的目的在于，提供一种能够容易设置装置且能够缩短热处理时间的热处理方法及热处理装置。为了实现该目的，首先，准备在一个主面上形成有包含掺杂剂的单分子层薄膜及多分子层薄膜中的至少一方薄膜的基板。接着，将准备的基板配置于腔室内，通过第一灯向该基板照射光，来实施温度高于加热前的温度的第一温度区域的预备热处理，从而将包含于薄膜的掺杂剂从该薄膜导入基板的表层。然后，通过第二灯，向实施了预备热处理且配置于腔室内的基板照射闪光，来将基板从第一温度区域加热到温度高于该第一温度区域的第二温度区域，从而对导入基板的表层的掺杂剂进行活化。
- 热处理方法
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